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염화비닐벤질 단량체와 가교제를 용매에 용해시켜 염화비닐벤질 단량체/가교제 혼합용액을 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 단량체/가교제 혼합용액에 불소계 고분자막을 첨가하고, 방사선 동시조사법을 이용하여 폴리염화비닐벤질이 그라프트된 불소고분자막을 제조하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2의 폴리염화비닐벤질이 그라프트된 불소고분자막을 술폰화 반응시켜 폴리비닐벤질술폰산이 그라프트된 불소고분자막을 제조하는 단계(단계 3)를 포함하는 방사선 동시조사법을 이용한 불소고분자막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1의 가교제는 디비닐벤젠, 비스비닐페닐에탄, 트리알릴시아누레이트, 헥산디올 디아크릴레이트, 디프로필렌 글라이콜 디아크릴레이트, 네오펜틸 글라이콜 디아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 에톡실레이트 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트 또는 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트인 것을 특징으로 하는 불소고분자막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1의 용매는 사염화탄소, 클로로포름, 디클로로메탄, 톨루엔, 1,4-다이옥신, 1,2-디클로로에탄, 디메틸포름아미드, 아세톤 또는 테트라하이드로퓨란 인 것을 특징으로 하는 불소고분자막의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 용매는 디클로로메탄인 것을 특징으로 하는 불소고분자막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1의 용매에 대하여 염화비닐벤질 단량체의 함량은 30 - 70 부피%인 것을 특징으로 하는 불소고분자막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 2의 불소계 고분자막은 에틸렌테트라플루오로에틸렌(ETFE), 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌(FEP), 페르플루오로알킬비닐에테르(PFA), 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF) 및 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 불소고분자막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 2의 방사선은 1kGy/h의 조사선량으로 총 조사선량이 10 내지 20 kGy 범위인 것을 특징으로 하는 불소고분자막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 2에서 불소계 고분자막에 그라프트되는 염화비닐벤질의 그라프트율은 15 내지 95%인 것을 특징으로 하는 불소고분자막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 3의 술폰화 반응은상기 단계 2의 가교된 폴리염화비닐벤질이 그라프트된 불소고분자막을 티오우레아 용액에 첨가하여 반응시켜 티오우로늄 염을 도입시키는 단계(단계 3(a)); 상기 단계 3(a)에서 제조된 티오우로늄 염이 도입된 불소고분자막을 염기성용액에 첨가하여 가수분해시키는 단계(단계 3(b)); 및 상기 단계 3(b)의 가수분해에 의해 티올기를 포함하는 불소고분자막을 산화시키는 단계(단계 3(c))를 포함하는 것을 특징으로 하는 불소고분자막의 제조방법
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제1항, 제2항, 제4항 내지 제10항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조되는 불소고분자막
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제11항의 불소고분자막을 이용한 이온교환막
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제11항의 불소고분자막을 이용한 연료전지막
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