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ＰＮ접합 및 쇼트키 접합을 갖는 다중 태양 전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2016002380
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 PN접합 및 쇼트키 접합을 갖는 다중 태양 전지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지는 P형 반도체층과 N형 반도체층을 갖는 PN 반도체층과 상기 PN 반도체층의 제1 면에 오믹 접합된 제1 전극과 상기 PN 반도체층의 상기 제1 면과 반대방향을 향하는 제2 면에 쇼트키 접합된 쇼트키 접합층, 및 상기 쇼트키 접합층과 접하도록 형성된 제2 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100031547 (2010.04.06)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1003808-0000 (2010.12.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20101223) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.06)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김준동 대한민국 대전시 유성구
2 한창수 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인천대학교 산학협력단 인천광역시 연수구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0219626-78
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0430683-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.07.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.29 수리 (Accepted) 9-1-2010-0046928-02
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0390453-34
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0715598-88
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0715597-32
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0573611-44
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
P형 반도체층과 N형 반도체층을 갖는 PN 반도체층;상기 PN 반도체층의 제1 면에 오믹 접합된 제1 전극;상기 PN 반도체층의 상기 제1 면과 반대방향을 향하는 제2 면에 쇼트키 접합된 쇼트키 접합층;상기 쇼트키 접합층과 접하도록 형성된 제2 전극; 및상기 쇼트키 접합층과 상기 PN 반도체층 사이에 배치되며 절연성을 갖는 물질로 이루어진 재결합 방지층;을 포함하는 태양 전지
2 2
삭제
3 3
제1 항에 있어서,상기 재결합 방지층은 0
4 4
제1 항에 있어서,상기 N형 반도체층이 상기 재결합 방지층과 접하도록 배치된 태양 전지
5 5
제4 항에 있어서,상기 쇼트키 접합층은 상기 N형 반도체층 보다 더 큰 일함수를 갖는 태양 전지
6 6
제1 항에 있어서,상기 P형 반도체층이 상기 재결합 방지층과 접하도록 배치된 태양 전지
7 7
제6 항에 있어서,상기 쇼트키 접합층은 상기 P형 반도체층 보다 더 작은 일함수를 갖는 태양 전지
8 8
제1 항에 있어서,상기 쇼트키 접합층은 금속으로 이루어진 태양 전지
9 9
제1 항에 있어서,상기 쇼트키 접합층은 금속, ITO, ATO, IZO, AZO로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질로 이루어진 태양 전지
10 10
제1 항에 있어서,상기 PN 반도체층은 웨이퍼로 이루어진 태양 전지
11 11
제1 항에 있어서,상기 PN 반도체층은 유기물질로 이루어진 태양 전지
12 12
제1 항에 있어서,상기 쇼트키 접합층 상에는 반사 방지막이 부착된 태양 전지
13 13
제12 항에 있어서,상기 반사 방지막은 SiOx 또는 SiN으로 이루어진 태양 전지
14 14
제12 항에 있어서,상기 반사 방지막은 0
15 15
제1 항에 있어서,상기 제1 전극에는 광투과성 기판이 접하도록 배치되고,상기 PN 반도체층은 P형 반도체층과 N형 반도체층 및 상기 P형 반도체층과 상기 N형 반도체층 사이에 배치된 I(Intrinsic)형 반도체층을 갖는 박막 형태로 이루어진 태양 전지
16 16
제1 항에 있어서,상기 PN 반도체층의 상기 제2 면에 오믹 접합되며, 상기 쇼트기 접합층에서 이격되어 상기 쇼트키 접합층과 나란하게 배치된 오믹 금속층을 더 포함하는 태양 전지
17 17
제16 항에 있어서,상기 PN 반도체층의 제1 면에 쇼트키 접합되며, 상기 제1 전극과 나란하게 배치된 제2 쇼트키 접합층을 더 포함하는 태양 전지
18 18
제17 항에 있어서,상기 제2 쇼트키 접합층은 상기 오믹 금속층과 상하 방향으로 대응되는 위치에 배치되고, 상기 쇼트키 접합층은 상기 제1 전극과 상하 방향으로 대응되는 위치에 배치된 태양 전지
19 19
제16 항에 있어서,상기 쇼트키 접합층과 상기 제1 전극은 배선을 통해서 축전지에 전기적으로 연결되며, 상기 오믹 금속층과 상기 제1 전극은 배선을 통해서 전기적으로 연결된 태양 전지
20 20
광투과성 기판;상기 광투과성 기판 상에 형성되며, P형 반도체층과 N형 반도체층을 포함하는 PN 반도체층;상기 PN 반도체층의 제1 면에 쇼트키 접합된 제1 쇼트키 접합층;상기 PN 반도체층의 상기 제1 면과 반대방향을 향하는 제2 면에 쇼트키 접합되며, 상기 광투과성 기판과 상기 PN 반도체층 사이에 배치된 제2 쇼트키 접합층;상기 제1 쇼트키 접합층 상에 형성된 전극; 및상기 제1 쇼트키 접합층과 상기 PN 반도체층 사이에 배치되며 절연성을 갖는 물질로 이루어진 제1 재결합 방지층과,상기 제2 쇼트키 접합층과 상기 PN 반도체층 사이에 배치되며 절연성을 갖는 물질로 이루어진 제2 재결합 방지층;을 포함하는 태양 전지
21 21
제20 항에 있어서,상기 PN 반도체층은 상기 P형 반도체층과 상기 N형 반도체층 사이에 배치되며 진성 반도체로 이루어진 I형 반도체층을 포함하는 박막 형태로 이루어진 태양 전지
22 22
제20 항에 있어서,상기 제1 쇼트키 접합층은 상기 N형 반도체층보다 일함수가 더 큰 물질로 이루어져서 상기 N형 반도체층에 쇼트키 접합되고, 상기 제2 쇼트키 접합층은 상기 P형 반도체층보다 일함수가 더 작은 물질로 이루어져서 상기 P형 반도체층에 쇼트키 접합된 태양 전지
23 23
제20 항에 있어서,상기 제1 쇼트키 접합층은 상기 P형 반도체층보다 일함수가 더 작은 물질로 이루어져서 상기 P형 반도체층에 쇼트키 접합되고, 상기 제2 쇼트키 접합층은 상기 N형 반도체층보다 일함수가 더 큰 물질로 이루어져서 상기 N형 반도체층에 쇼트키 접합된 태양 전지
24 24
삭제
25 25
P형 반도체층과 N형 반도체층을 갖는 PN 반도체층을 마련하는 PN 반도체층 준비 단계;상기 PN 반도체층 상에 절연성을 갖는 재결합 방지층을 형성하는 재결합 방지층 형성 단계;상기 PN 반도체층에 쇼트키 접합된 금속층을 형성하는 쇼트키 접합층 형성 단계; 및상기 쇼트키 접합층 상에 도전성을 갖는 전면 전극을 형성하는 전면 전극 형성 단계;를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
26 26
제25 항에 있어서,상기 PN 반도체층 형성 단계는 웨이퍼를 도핑하여 N형 반도체층을 형성하는 웨이퍼 도핑 단계와 PN 반도체층의 배면에 제1 전극을 형성하는 제1 전극 형성 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
27 27
제25 항에 있어서,PN 반도체층 준비 단계는 N형 반도체층의 페르미 준위를 증가시키는 페르미 준위 조절 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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2 JP05420109 JP 일본 FAMILY
3 JP25524501 JP 일본 FAMILY
4 WO2011126209 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
5 WO2011126209 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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4 JP2013524501 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP5420109 JP 일본 DOCDBFAMILY
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7 WO2011126209 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 교과부 한국기계연구원 21세기 프론티어연구개발사업 나노소재조립 공정 원천기술개발(2/4)