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오염 물질 제거용 플라즈마 반응기

  • 기술번호 : KST2016002458
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기는 내부 공간을 형성하는 유전체와, 유전체의 양단에 고정된 제1 접지 전극 및 제2 접지 전극과, 제1 접지 전극 및 제2 접지 전극과 거리를 두고 유전체의 외면에 고정되며 각자의 교류 전원부와 연결되어 제1 교류 전압과 제2 교류 전압을 각각 인가받는 제1 구동 전극 및 제2 구동 전극을 포함한다. 제1 교류 전압과 제2 교류 전압은 180°의 위상차를 가지며, 제1 교류 전압과 제2 교류 전압의 진폭은 방전 구동 전압 진폭의 절반 값을 가진다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01J 37/32853(2013.01) H01J 37/32853(2013.01)
출원번호/일자 1020100091074 (2010.09.16)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1063515-0000 (2011.09.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110907) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.16)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허민 대한민국 대전 유성구
2 이대훈 대한민국 대전 유성구
3 이재옥 대한민국 대전 유성구
4 차민석 대한민국 대전 유성구
5 김관태 대한민국 대전 서구
6 송영훈 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0603849-05
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0061432-00
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0477822-86
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로간 거리를 두고 위치하는 제1 접지 전극 및 제2 접지 전극;제1 유전체 영역을 사이에 두고 상기 제1 접지 전극의 내측에 위치하며, 제1 교류 전압을 인가받는 제1 구동 전극; 및제2 유전체 영역을 사이에 두고 상기 제1 구동 전극과 분리되고, 제3 유전체 영역을 사이에 두고 상기 제2 접지 전극의 내측에 위치하며, 제2 교류 전압을 인가받는 제2 구동 전극을 포함하고,상기 제1 교류 전압과 상기 제2 교류 전압은 180°의 위상차를 가지며,상기 제1 교류 전압과 상기 제2 교류 전압의 진폭은 방전 구동 전압의 진폭의 절반 값을 가지는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
2 2
제1항에 있어서,상기 방전 구동 전압은 상기 제1 교류 전압과 상기 제2 교류 전압 중 어느 하나와 같은 위상을 가지는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
3 3
저압 공정 챔버와 진공 펌프 사이에 위치하며, 저압 플라즈마를 생성하여 저압 공정 챔버에서 발생된 오염 물질을 제거하는 플라즈마 반응기에 있어서,내부 공간을 형성하는 유전체;상기 유전체의 양단에 고정된 제1 접지 전극 및 제2 접지 전극;상기 제1 접지 전극 및 상기 제2 접지 전극과 거리를 두고 상기 유전체의 외면에 고정되며, 각자의 교류 전원부와 연결되어 제1 교류 전압과 제2 교류 전압을 각각 인가받는 제1 구동 전극 및 제2 구동 전극을 포함하고,상기 제1 교류 전압과 상기 제2 교류 전압은 180°의 위상차를 가지며,상기 제1 교류 전압과 상기 제2 교류 전압의 진폭은 방전 구동 전압의 진폭의 절반 값을 가지는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
4 4
제3항에 있어서,상기 방전 구동 전압은 상기 제1 교류 전압과 상기 제2 교류 전압 중 어느 하나와 같은 위상을 가지는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
5 5
제3항에 있어서,상기 제1 접지 전극과 상기 유전체 및 상기 제2 접지 전극은 고리 모양으로 형성되고, 한 방향을 따라 이어져 관을 구성하는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
6 6
제5항에 있어서,상기 제1 접지 전극과 상기 제2 접지 전극 중 어느 하나는 상기 저압 공정 챔버에 연결되고, 다른 하나는 상기 진공 펌프와 연결되는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
7 7
제5항에 있어서,상기 제1 구동 전극과 상기 제2 구동 전극은 상기 유전체를 둘러싸는 고리 모양으로 형성되며, 서로간 거리를 유지하는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
8 8
제4항에 있어서,상기 제1 구동 전극과 상기 제2 구동 전극 사이에 위치하는 적어도 하나의 구동 전극과 적어도 2개의 접지 전극을 더 포함하는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
9 9
제8항에 있어서,상기 적어도 하나의 구동 전극은 제3 구동 전극이고,상기 적어도 2개의 접지 전극은 상기 제1 구동 전극과 상기 제3 구동 전극 사이에 위치하는 제3 접지 전극과, 상기 제2 구동 전극과 상기 제3 구동 전극 사이에 위치하는 제4 접지 전극을 포함하는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
10 10
제9항에 있어서,상기 제3 구동 전극은 상기 방전 구동 전압을 인가받는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
11 11
제9항에 있어서,상기 제3 구동 전극과 상기 제3 접지 전극 및 상기 제4 접지 전극은 상기 유전체를 둘러싸는 고리 모양으로 형성되며, 서로간 거리를 유지하는 오염 물질 제거용 플라즈마 반응기
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1 CN102085470 CN 중국 FAMILY
2 EP02312612 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02312612 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP02312612 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 JP05473001 JP 일본 FAMILY
6 JP23083770 JP 일본 FAMILY
7 KR101065013 KR 대한민국 FAMILY
8 US08852520 US 미국 FAMILY
9 US20110089017 US 미국 FAMILY

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1 CN102085470 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102085470 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2011083770 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5473001 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2011089017 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US8852520 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업기술연구회 한국기계연구원 주요사업 플라즈마가스화기술개발