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탄소나노튜브, 바인더 및 금속 전구체를 동시에 용해 가능한 용매에 넣고, 졸겔 공정을 통해 바인더와 금속 전구체간를 교반하여 금속전구체를 금속나노입자화시켜 혼합물인 탄소나노튜브/바인더/금속나노입자 분산액을 제조하고, 이를 스프레이법으로 캐소드 기판 상부에 코팅하여 박형의 전자방출원을 형성시키되, 상기 바인더 함량은 탄소나노튜브와 바인더 혼합물 100중량부에 대해 0
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탄소나노튜브, 바인더 및 금속 전구체를 동시에 용매에 용해시키고 졸겔 공정을 이용하여 탄소나노튜브, 바인더 및 금속전구체가 금속나노입자화되어 분산된 혼합물인 탄소나노튜브/바인더/금속나노입자 분산액을 제조하는 제1단계와;
상기 제1단계의 탄소나노튜브/바인더/금속나노입자 분산액을 스프레이법을 이용하여 캐소드 기판 상부에 코팅시키는 제2단계와;
150℃ 이하의 온도에서 상기 제 2단계의 바인더의 경화 및 금속나노입자의 소성을 동시에 수행하여 박형의 전자방출원을 형성시키는 제3단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 저전압 구동용 탄소나노튜브 전자 방출원의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 바인더 함량은,
탄소나노튜브와 바인더 혼합물 100중량부에 대해 0
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 바인더는,
무기 또는 금속 산화물로 경화온도가 150℃ 이하인 물질로서, SiO2, TiO2, SnO2, ZnO, MgO, V2O5, ZrO2, B2O3, Al2O3, Fe2O3, BaTiO3, V2O5, WO3 의 전구체 물질 중 1종 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 저전압 구동용 탄소나노튜브 전자 방출원의 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 금속 전구체의 함량은,
바인더와 금속 전구체 혼합물 100 중량부에 대해 0
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6
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 졸겔 공정을 통해 형성된 금속나노입자는,
직경이 1nm 내지 20nm 이하이고 전도성이 우수한 금속 계열로서 Ag, Au, Al, Cu, Pt, Pd, Ti 중 1종 이상인 것을 특징으로 하는 저전압 구동용 탄소나노튜브 전자 방출원의 제조방법
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7
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 용매는,
아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글라이콜, 폴리에틸렌글라이콜, 테트라하이드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥산, 사이클로헥사논, 톨루엔, 클로로포름, 증류수, 디클로로벤젠, 디메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 피리딘, 메틸나프탈렌, 니트로메탄, 아크릴로니트릴, 옥타데실아민, 아닐린, 디메틸설폭사이드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 것이고, 상기 분산액은, 분산액의 농도 조절을 위해 희석용매가 첨가되고, 상기 희석용매는 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글라이콜, 폴리에틸렌글라이콜, 테트라하이드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥산, 사이클로헥사논, 톨루엔, 클로로포름, 증류수, 디클로로벤젠, 디메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 피리딘, 메틸나프탈렌, 니트로메탄, 아크릴로니트릴, 옥타데실아민, 아닐린, 디메틸설폭사이드, 메틸렌클로라이드 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 1종이고, 상기 용매 및 희석용매는 용해용매로 사용하는 것을 특징으로 하는 저전압 구동용 탄소나노튜브 전자 방출원의 제조방법
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제 1항 또는 제 2항의 제조방법에 의해 제조된 전계 방출 소자용 탄소나노튜브 전자 방출원
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바인더 및 금속 전구체를 동시에 용매에 용해시키고 졸겔 공정을 이용하여 바인더 및 금속 전구체가 금속나노입자화되어 분산된 혼합물인 바인더/금속나노입자 분산용액을 제조하는 제1단계와;
상기 제1단계의 분산된 바인더/금속나노입자 분산용액에 탄소나노튜브 분말 혹은 탄소나노튜브가 분산된 용액을 혼합 교반한 혼합물인 탄소나노튜브/바인더/금속나노입자 분산액을 제조하는 제2단계와;
상기 제2단계의 탄소나노튜브/바인더/금속나노입자 분산액을 스프레이법을 이용하여 캐소드 기판 상부에 코팅시키는 제3단계와;
150℃도 이하의 온도에서 상기 제3단계의 바인더의 경화 및 금속나노입자의 소성을 동시에 수행하여 박형의 전자방출원을 형성시키는 제4단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 저전압 구동용 탄소나노튜브 전자 방출원의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 바인더 함량은,
탄소나노튜브와 바인더 혼합물 100중량부에 대해 0
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제 9항에 있어서, 상기 바인더는,
무기 또는 금속 산화물로 경화온도가 150℃ 이하인 물질로서 SiO2, TiO2, SnO2, ZnO, MgO, V2O5, ZrO2, B2O3, Al2O3, Fe2O3, BaTiO3, V2O5, WO3 의 전구체 물질 중 1종 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 저전압 구동용 탄소나노튜브 전자 방출원의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 금속 전구체의 함량은,
바인더와 금속 전구체 혼합물 100 중량부에 대해 0
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제 9항에 있어서, 상기 졸겔 공정을 통해 형성된 금속나노입자는,
직경이 1nm 내지 20nm 이하이고 전도성이 우수한 금속 계열로서 Ag, Au, Al, Cu, Pt, Pd, Ti 중 1종 이상인 것을 특징으로 하는 저전압 구동용 탄소나노튜브 전자 방출원의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 용매는,
아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글라이콜, 폴리에틸렌글라이콜, 테트라하이드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥산, 사이클로헥사논, 톨루엔, 클로로포름, 증류수, 디클로로벤젠, 디메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 피리딘, 메틸나프탈렌, 니트로메탄, 아크릴로니트릴, 옥타데실아민, 아닐린, 디메틸설폭사이드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 것이고, 상기 분산액은, 분산액의 농도 조절을 위해 희석용매가 첨가되고, 상기 희석용매는 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글라이콜, 폴리에틸렌글라이콜, 테트라하이드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥산, 사이클로헥사논, 톨루엔, 클로로포름, 증류수, 디클로로벤젠, 디메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 피리딘, 메틸나프탈렌, 니트로메탄, 아크릴로니트릴, 옥타데실아민, 아닐린, 디메틸설폭사이드, 메틸렌클로라이드 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 1종이고, 상기 용매 및 희석용매는 용해용매로 사용하는 것을 특징으로 하는 저전압 구동용 탄소나노튜브 전자 방출원의 제조방법
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제 9항의 제조방법에 의해 제조된 전계 방출 소자용 탄소나노튜브 전자 방출원
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