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다이아몬드 제조방법

  • 기술번호 : KST2016003169
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다이아몬드의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 다이아몬드 제조방법은, 탄소원료가 되는 적어도 하나의 탄소 디스크(111) 및 용융된 탄소 디스크를 고용화 시키는 적어도 하나의 촉매 디스크(112)를 포함하는 적층셀(110)을 제공하는 단계; 및 상기 적층셀(110)에 열 및 압력을 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B01J 19/24 (2006.01) B01J 23/755 (2006.01) C01B 31/06 (2006.01)
CPC B01J 3/062(2013.01) B01J 3/062(2013.01) B01J 3/062(2013.01) B01J 3/062(2013.01)
출원번호/일자 1020110127834 (2011.12.01)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1345862-0000 (2013.12.20)
공개번호/일자 10-2013-0061495 (2013.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20131230) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.01)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송오성 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 수 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 케이앤와이빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0957210-33
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.12.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.01.04 수리 (Accepted) 9-1-2013-0000473-77
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0421730-18
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0735690-53
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0754436-63
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0754479-15
8 등록결정서
Decision to grant
2013.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0877779-50
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소원료가 되는 적어도 하나의 탄소 디스크, 용융된 탄소 디스크를 고용화 시키는 적어도 하나의 촉매 디스크 및 적어도 하나의 도금된 촉매 디스크를 포함하는 적층셀을 제공하는 단계; 및상기 적층셀에 열 및 압력을 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 탄소 디스크 및 상기 촉매 디스크는 서로 교차되어 적층된 것을 특징으로 하는 다이아몬드 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 촉매 디스크의 소재는 니켈(Ni), 철(Fe), 망간(Mn), 코발트(Co) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 촉매 디스크에는 인산칼슘(calcium phosphate), 보론(boron), 알루미늄(aluminum), 티타늄(titanium) 중 적어도 어느 하나가 첨가된 것을 특징으로 하는 다이아몬드 제조방법
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 도금된 촉매 디스크는 아연(Zn), 구리(Cu), 철(Fe), 코발트(Co), 망간(Mn), 니켈(Ni), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 탄탈(Ta), 크롬(Cr) 중 적어도 어느 하나를 이용하여 도금된 것을 특징으로 하는 다이아몬드 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 탄소 디스크 및 상기 도금된 촉매 디스크는 서로 교차되어 적층된 것을 특징으로 하는 다이아몬드 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 적층셀은 외부로부터 전기 에너지를 인가 받아 열을 발생시키는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 전기 에너지를 인가하는 전극체가 상기 적층셀의 적어도 일부와 접촉되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 전극체는 상기 적층셀의 양 단부에 접촉되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 제조방법
11 11
제9항에 있어서,상기 전극체는 복수의 탄소 디스크를 포함하는 전극부 및 탄소강 재질의 캡을 적층한 것을 특징으로 하는 다이아몬드 제조방법
12 12
제1항에 있어서,상기 적층셀의 외면을 감싸는 개스킷을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 개스킷의 소재는 파이로필라이트(pyrophyllite)를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 제조방법
14 14
제12항에 있어서,상기 개스킷의 형상은 육면체인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 제조방법
15 15
제1항에 있어서,상기 적층셀의 상기 탄소 디스크, 상기 촉매 디스크 및 상기 도금된 촉매 디스크를 분리하는 단계;상기 탄소 디스크, 상기 촉매 디스크 및 상기 도금된 촉매 디스크를 왕수에 넣어 다이아몬드와 흑연을 분리하는 단계;상기 다이아몬드와 상기 흑연을 황산에 넣어 상기 흑연을 1차적으로 제거하는 단계; 및상기 다이아몬드와 상기 흑연을 열분해하여 상기 흑연을 2차적으로 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 제조방법
16 16
제1항에 있어서,상기 적층셀에 가해지는 상기 열은 1500 ℃이고, 상기 압력은 5 내지 11 GPa 인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 기초연구사업 서울시립대학교 산학협력단 일반연구자지원사업 HPHT를 이용한 합성다이아몬드의 성장 및 향상처리 연구