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상부층과 하부층으로 구성되는 인공와우용 주파수 분리장치의 제조방법에 있어서,상부층 제조단계와 하부층 제조단계를 포함하고,상기 하부층 제조단계는,베이스의 상면에 제1실리콘층을 적층하고, 상기 베이스의 하면에 제2실리콘층을 적층하는 단계;상기 제1실리콘층 상에 실리콘 나이트라이드(Si3N4)로 구성되는 기저막을 적층하는 단계;상기 기저막 상에 하층 전극부를 패터닝 하는 단계;상기 하층 전극부 상에 압전 특성을 지니는 나노 와이어를 성장시키는 단계;상기 기저막의 하면에 마련된 층을 일부 제거함으로써 상기 기저막의 하면을 외부에 노출시키는 단계;로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 성장을 이용한 인공와우용 주파수 분리장치 제조방법
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제1항에 있어서,상기 하층 전극부를 패터닝 하는 단계는 상호 이격되되 상기 기저막의 길이방향을 따라서 폭이 점점 증가하는 형태의 중앙 전극과 상기 중앙 전극으로부터 연장되는 보조전극을 패터닝 하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 성장을 이용한 인공와우용 주파수 분리장치 제조방법
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제2항에 있어서,상기 나노 와이어를 성장시키는 단계는 상기 기저막의 상면을 감광제로 적층하는 단계; 상기 감광제 일부를 제거하여 중앙전극을 외부로 노출시킴으로써 상기 중앙전극을 시드층(seed-layer)화 하는는 단계; 상기 외부에 노출되는 중앙전극을 시드층으로 하여 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 성장을 이용한 인공와우용 주파수 분리장치 제조방법
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제3항에 있어서,상기 나노 와이어는 산화아연(ZnO)을 저온성장 방식을 통하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어 성장을 이용한 인공와우용 주파수 분리장치 제조방법
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제4항에 있어서,상기 나노 와이어를 성장시키는 단계 이후에 상기 나노 와이어의 손상을 방지하도록 상기 나노 와이어 및 상기 기저막의 상측을 보호층으로 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 성장을 이용한 인공와우용 주파수 분리장치 제조방법
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제5항에 있어서,상기 기저막의 하면을 노출시키는 단계 이후에 상기 나노 와이어 상측에 코팅되는 상기 보호층을 제거함으로써 상기 나노 와이어를 외부에 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 성장을 이용한 인공와우용 주파수 분리장치 제조방법
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상부층과 하부층으로 구성되는 인공와우용 주파수 분리장치 제조방법에 있어서,상부층 제조단계와 하부층 제조단계를 포함하고,상기 하부층 제조단계는,베이스의 상면에 제1실리콘층을 적층하고, 상기 베이스의 하면에 제2실리콘층을 적층하는 단계;상기 제1실리콘층 상에 실리콘 나이트라이드(Si3N4)로 구성되는 기저막을 적층하는 단계;상기 기저막 상에 하층 전극부를 패터닝 하는 단계;상기 하층 전극부 상에 시드층(seed-layer)을 적층하는 단계;상기 기저막의 하면에 마련된 층을 일부 제거함으로써 상기 기저막의 하면을 외부에 노출시키는 단계;상기 시드층으로부터 압전 특성을 지니는 나노 와이어를 성장시키는 단계;로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 성장을 이용한 인공와우용 주파수 분리장치 제조방법
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제7항에 있어서,상기 하층 전극부를 패터닝 하는 단계는 상호 이격되되 상기 기저막의 길이방향을 따라서 폭이 점점 증가하는 형태의 중앙 전극과 상기 중앙 전극으로부터 연장되는 보조전극을 패터닝 하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 성장을 이용한 인공와우용 주파수 분리장치 제조방법
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제8항에 있어서,상기 나노 와이어는 산화아연(ZnO)을 저온성장 방식을 통하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어 성장을 이용한 인공와우용 주파수 분리장치 제조방법
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 상부층 제조단계는기판에 단면이 삼각형 형태로 함몰되되 상호 이격되는 복수개의 제1패턴부를 형성하는 단계; 이웃하는 제1패턴부의 사이에 제2패턴부를 형성하는 단계; 상기 제1패턴부와 상기 제2패턴부 상에 상층 전극부를 코팅하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 성장을 이용한 인공와우용 주파수 분리장치 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제2패턴부를 형성하는 단계는 이웃하는 제1패턴부의 사이의 상기 기판 상에 버퍼층을 코팅하는 단계; 상기 기판의 상측에 이산화규소(SiO2) 층을 증착하는 단계; 상기 버퍼층과 상기 이산화규소(SiO2) 층이 동시에 적층된 영역의 버퍼층과 이산화규소층 만을 선택적으로 제거하는 단계; 이웃하는 이산화규소(SiO2) 층의 사이의 기판영역을 식각하여 제2패턴부를 패터닝 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 성장을 이용한 인공와우용 주파수 분리장치 제조방법
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