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단결정 실리콘 박막 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2016004342
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요약 본 발명은 단결정 실리콘 박막 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 상압 플라즈마 화학기상증착 기법(APCVD)을 통해 400~700℃의 저온과 0.1~1kgf/㎠의 고압에서 원료가스로 모노실란(SiH4) 가스와 사불화실리콘(SiF4)를 혼합한 가스를 이용하여 상압에서 고밀도 플라즈마를 생성시키고, 모노실란과 사불화실리콘 가스가 갖는 산화환원 반응을 이용해 고품질의 단결정 실리콘 박막을 고속으로 제조하여 제조 단가를 상대적으로 낮추고, 태양전지 흡수층으로 사용시 15% 이상(싱글 셀, Single cell)의 변환효율을 갖도록 하는 단결정 실리콘 박막 및 이의 제조 방법을 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/0262(2013.01) H01L 21/0262(2013.01) H01L 21/0262(2013.01) H01L 21/0262(2013.01) H01L 21/0262(2013.01)
출원번호/일자 1020120032962 (2012.03.30)
출원인 재단법인 녹색에너지연구원
등록번호/일자 10-1169018-0000 (2012.07.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120727) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 녹색에너지연구원 대한민국 전라남도 목포시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임철현 대한민국 전남 목포시 옥암로***번길
2 이석호 대한민국 전남 무안군
3 박주영 대한민국 전라남도 목포시 삼향천

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 선종철 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 녹색에너지연구원 전라남도 목포시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0256398-33
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0256586-10
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2012.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2012.04.13 수리 (Accepted) 9-1-2012-0029266-11
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0267077-97
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.05.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0370851-67
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0370850-11
8 등록결정서
Decision to grant
2012.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0392100-59
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-5170319-74
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-0012701-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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상부에 전기화학에칭법으로 기공율이 서로 다른 하부 기공층과, 상부 기공층을 형성시킨 후 1000~1200℃ 이상의 수소분위기에서 열처리하여 상기 상부 기공층 상에 시드층을 형성하여 n형 또는 p형 실리콘 웨이퍼를 준비하는 제 1공정과;상기 실리콘 웨이퍼의 시드층 상에 단결정 실리콘을 플라즈마 파워 100~3000W, 주파수가 20~150㎒, 400~700℃의 저온과 0
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삭제
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제 1 항의 단결정 실리콘 박막의 제조 방법에 의해 제조된 단결정 실리콘 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서남권청정에너지기술연구원 전남 과학연구단지 기초·원천연구개발지원사업 상압고주파플라즈마CVD를 활용한 고품질 단결정 실리콘 박막 제작기술개발