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실리콘 웨이퍼 상에 박리막을 형성한 다음 상기 박리막을 분리한 후 상기 박리막 상하면에 순차적으로 i형 비정질 실리콘인 제 1실리콘층과, p+형 비정질 실리콘 또는 n+형 비정질 실리콘인 제 2실리콘층이 형성되는 광전 변환부와;상기 광전 변환부의 제 2실리콘층 상면에 형성되는 상면 투명 전극층과;하나의 단위 셀을 이루도록 상기 상면 투명 전극층 상면에 형성되는 상면 금속 전극과;상기 상면 금속 전극과 대응되도록 일면에 제 1금속 전극이 구비되고, 상기 제 1금속 전극을 상기 상면 금속 전극과 면접시키되, 상기 상면 금속 전극과 제 1금속 전극의 면접으로 인한 공간부에 투명 전도성 레진을 충진하여 부착되는 상면 강화 유리와;상기 광전 변환부의 제 2실리콘층 하면에 형성되는 하면 투명 전극층과;상기 하면 투명 전극층 상면에 형성되는 하면 금속 전극; 및상기 하면 금속 전극과 대응되도록 일면에 제 2금속 전극이 구비되고, 상기 제 2금속 전극을 상기 하면 금속 전극과 면접시키되, 상기 하면 금속 전극과 제 2금속 전극의 면접으로 인한 공간부에 상기 투명 전도성 레진을 충진하여 부착되는 하면 강화 유리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 박리막은,상기 실리콘 웨이퍼 상면에 에칭(ECE : electro chemical etching) 기법을 통해 다공성 상태로 에칭한 다음, 수소 가스를 이용하는 열처리(Annealing) 기법을 통해 표면 상태를 재배열한 후 화학기상증착(CVD) 기법, 분자선 증착(MBE) 기법, 스퍼터링(Sputtering) 기법중 선택된 하나의 기법으로 박리막을 에피 성장시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 박리막은,상기 실리콘 웨이퍼 상면에 이온 주입 또는 레이져에 의해 상기 박리막과 동일 두께로 결함면을 생성하는 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼는,단결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 박리막은,그 두께가 1~50㎛인 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼는,상기 상면 강화 유리를 접착 후 상기 박리막에서 분리하여 제거하는 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 단위 셀은,하나의 웨이퍼 고정 기판에 다수개의 상기 실리콘 웨이퍼가 연속해서 배열되어 하나의 단위 셀군을 이루는 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈
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10
제 1 항에 있어서,상기 단위 셀은,하나의 웨이퍼 고정 기판에 다수개의 상기 실리콘 웨이퍼가 연속해서 배열되어 하나의 단위 셀군을 이루고, 상기 단위 셀군이 상호 이격되어 복수개가 형성되는 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈
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11
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 상면 강화 유리 및 하면 강화 유리는,상기 웨이퍼 고정 기판과 동일 사이즈로 제작되고, 일면에 복수의 상기 상면 금속 전극 또는 하면 금속 전극이 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈
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12
제 12 항에 있어서,상기 단위 셀군은,상기 상면 강화 유리 및 하면 강화 유리를 절단하여 복수의 모듈로 제작되는 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈
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13
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 웨이퍼 고정 기판은,유리 기판, 금속 기판, 세라믹 기판중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈
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제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 웨이퍼 고정 기판은,상기 실리콘 웨이퍼와 함께 상기 박리막에서 제거되는 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈
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제 1 항의 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈을 제조하는 방법에 있어서,실리콘 웨이퍼 상면에 박리막을 형성하는 제 1공정과;상기 박리막의 상면에 i형 비정질 실리콘인 제 1실리콘층을 형성하는 제 2공정과;상기 제 1실리콘층의 상면에 p+형 비정질 실리콘 또는 n+형 비정질 실리콘인 제 2실리콘층을 형성하는 제 3공정과;상기 제 2실리콘층 상면에 전면 투명 전극층을 형성하는 제 4공정과;상기 전면 투명 전극층 상면에 상면 금속 전극을 형성하여 단위 셀을 제작하는 제 5공정과;상기 상면 금속 전극과 대응되도록 하면에 제 1금속 전극이 형성된 상면 강화 유리를 부착하되, 상기 상면 금속 전극과 제 1금속 전극의 면접으로 인한 공간부에 투명 전도성 레진을 충진하여 상기 단위 셀과 상면 강화 유리를 부착하는 제 6공정과;상기 박리막에서 상기 실리콘 웨이퍼를 분리하여 제거하는 제 7공정과;상기 박리막의 배면에 상기 제 1실리콘층을 형성하는 제 8공정과;상기 제 1실리콘층의 상면에 상기 제 2실리콘층을 형성하는 제 9공정과;상기 제 2실리콘층 상면에 하면 투명 전극층을 형성하는 제 10공정과;상기 하면 투명 전극층 상면에 하면 금속 전극을 형성하여 단위 셀을 완성시키는 제 11공정; 및상기 하면 금속 전극과 대응되도록 상면에 제 2금속 전극이 형성된 하면 강화 유리를 부착하되, 상기 하면 금속 전극과 제 2금속 전극의 면접으로 인한 공간부에 투명 전도성 레진을 충진하여 상기 단위 셀과 하면 강화 유리를 부착하는 제 12공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 제 1공정은,상기 실리콘 웨이퍼 상면에 에칭(ECE : electro chemical etching) 기법을 통해 다공성 상태로 에칭하는 제 1-1공정과;수소 가스를 이용하는 열처리(Annealing) 기법을 통해 표면 상태를 재배열하는 1-2공정; 및화학기상증착(CVD) 기법, 분자선 증착(MBE) 기법, 스퍼터링(Sputtering) 기법중 선택된 하나의 기법으로 박리막을 에피 성장시키는 1-3공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 제 1공정은,상기 실리콘 웨이퍼 상면에 이온 주입 또는 레이져에 의해 상기 박리막과 동일 두께로 결함면을 생성하는 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼는,단결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 박리막은,그 두께가 1~50㎛인 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 단위 셀은,하나의 웨이퍼 고정 기판에 다수개의 상기 실리콘 웨이퍼가 연속해서 배열되어 하나의 단위 셀군을 이루는 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 단위 셀은,하나의 웨이퍼 고정 기판에 다수개의 상기 실리콘 웨이퍼가 연속해서 배열되어 하나의 단위 셀군을 이루고, 상기 단위 셀군이 상호 이격되어 복수개가 형성되는 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈의 제조 방법
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제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,상기 상면 강화 유리 및 하면 강화 유리는,상기 웨이퍼 고정 기판과 동일 사이즈로 제작되고, 일면에 복수의 상기 상면 금속 전극 또는 하면 금속 전극이 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈의 제조 방법
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제 23 항에 있어서,상기 단위 셀군은,상기 제 1공정~ 제 12공정 완료후에 상기 상면 강화 유리 및 하면 강화 유리를 절단하여 복수의 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈로 제작되는 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈의 제조 방법
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제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,상기 웨이퍼 고정 기판은,유리 기판, 금속 기판, 세라믹 기판중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈의 제조 방법
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제 22 항 또는 제 23 항에 있어서,상기 웨이퍼 고정 기판은,상기 제 7공정에서 상기 실리콘 웨이퍼와 함께 상기 박리막에서 제거되는 것을 특징으로 하는 고효율 단결정 실리콘 박막 태양전지 모듈의 제조 방법
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