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마그네슘계 금속을(a)소듐실리케이트 또는 소듐알루미네이트에서 선택되는 어느 하나;(b)수산화나트륨 또는 수산화칼륨에서 선택되는 어느 하나;(c)플루오르화 칼륨; 및 Trilon B가 첨가된 Cu(I)의 킬레이트, Na2CrO7·2H2O, (NH4)6Mo7O24·4H2O 및 5(NH4)2O·12WO3·11H2O에서 선택되는 어느 하나의 수용성 금속염을 포함하는 전해액에 침지시켜 전류를 인가하여, 생성되는 마그네슘 금속 산화막을 착색시키며, 상기 전해액이 하기 식 1 및 식 3을 만족하는 것인 마그네슘계 금속의 플라즈마 전해 산화 표면처리 방법
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제 1항에 있어서,상기 전해액이 하기 식 2를 만족하는 것을 특징으로 하는 마그네슘계 금속의 플라즈마 전해 산화 표면처리 방법
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제 1항에 있어서,상기 전해액은 하기 식 4를 만족하는 것을 특징으로 하는 마그네슘계 금속의 플라즈마 전해 산화 표면처리 방법
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제 3항에 있어서,상기 전류비와 전류밀도는 하기 식 5와 하기 식 6을 만족하는 것을 특징으로 하는 마그네슘계 금속의 플라즈마 전해 산화 표면처리 방법
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삭제
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제 1항에 있어서,상기 수용성 금속염은 농도 0
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제 1항 내지 제 4항 및 제 6항에서 선택되는 어느 한 항의 마그네슘계 금속의 플라즈마 전해 산화 표면처리방법에 따라 제조되는 산화막의 결정상이 Mg2SiO4 또는 MgO를 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네슘 금속 산화막
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8
제 7항에 있어서,상기 제조된 마그네슘 금속 산화막의 두께가 90 ~ 140㎛인 것을 특징으로 하는 마그네슘 금속 산화막
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제 7항에 있어서,상기 제조된 마그네슘 금속 산화막의 경도가 500 ~ 900 Hv인 것을 특징으로 하는 마그네슘 금속 산화막
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10
제 7항에 있어서,상기 제조된 마그네슘 금속 산화막 표면의 평활도가 1 ~ 45㎛인 것을 특징으로 하는 마그네슘 금속 산화막
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