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산화된 그라파이트 타겟을 제조하는 단계; 및 상기 산화된 그라파이트 타겟을 아르곤/산소 혼합기체 분위기에서 RF 마그네트론(Radio Frequency Magnetron) 스퍼터링하여 기판 상에 그래핀 옥사이드 박막을 증착하는 단계; 를 포함하는, 그래핀 옥사이드 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 산화된 그라파이트 타겟은 그라파이트에 산화제를 처리한 후 마이크로파를 조사하여 얻은 박리된 그라파이트의 적층체를 밀봉하여 제조되는 것을 특징으로 하는, 그래핀 옥사이드 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 아르곤 : 산소의 혼합기체는 분압비가 1 : 0
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제1항에 있어서, 상기 스퍼터링이 일어나는 챔버내 압력은 10 mTorr로 유지하는 것을 특징으로 하는, 그래핀 옥사이드 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판의 회전속도는 5 rpm 인 것을 특징으로 하는, 그래핀 옥사이드 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는, 그래핀 옥사이드 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판 온도는 22 ~ 27℃로 유지하는 것을 특징으로 하는, 그래핀 옥사이드 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 그래핀 옥사이드 박막의 두께는 증착 시간, 기판 회전속도, 및 기판 온도 중에서 선택된 파라미터를 조절함으로써 조절가능한 것을 특징으로 하는, 그래핀 옥사이드 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 아르곤 대 산소가스를 1: 1의 분압비로 투입한 경우, 그래핀 옥사이드 박막의 단일층의 두께는 0
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제9항에 있어서, 상기 그래핀 옥사이드 박막의 평균 성장속도는 단위시간당 7 ~ 9개 층인 것을 특징으로 하는, 그래핀 옥사이드 박막의 제조방법
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산화된 그라파이트 타겟을 제조하는 단계; 상기 산화된 그라파이트 타겟을 아르곤/산소 혼합기체 분위기에서 RF 마그네트론 스퍼터링하여 기판 상에 그래핀 옥사이드 박막을 증착하는 단계; 및 상기 그래핀 옥사이드 박막을 환원하는 단계; 를 포함하는, 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 그래핀 옥사이드 박막을 열처리하여 환원하는 것을 특징으로 하는, 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 그래핀 옥사이드 박막에 환원제를 처리하여 환원하는 것을 특징으로 하는, 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법
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