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침입형 도핑재 첨가에 의해 복합결정구조가 형성된 Ｔｅ계 열전재료(Thermoelectric telluride materials formed complex-crystalline structure by interstitial doping)

  • 기술번호 : KST2016004635
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 침입형 도핑재 첨가에 의해 적층결함이 형성된 Te계 열전재료에 관한 것으로,A-B-A-C-A 원소가 5개층으로 적층되는 단위셀과, 상기 단위셀 말단의 A원소와 다른 단위셀 말단의 A원소는 상호간에 반데르 발스 결합에 의해 반복 적층되는 구조를 가지는 Te계 열전재료에 있어서, 상기 반복적층되는 A원소와 인접한 A원소 사이에 도핑재인 침입형 원소가 침입 위치되어, 반복 적층되는 단위셀의 적층결함이 발생되어 상기 단위셀과는 다른 복합결정구조가 형성됨과 동시에 쌍정이 형성되는 침입형 도핑재 첨가에 의해 복합결정구조가 형성된 Te계 열전재료를(여기서 A는 Te 또는 Se 중 하나이고, B는 Bi 또는 Sb중 하나이고, C는 Bi 또는 Sb중 하나이다.) 기술적 요지로 한다. 이에 따라, Te계 열전재료에 은(Ag) 등의 침입형 도핑재를 첨가함에 의해 도핑재가 침입형 자리에 위치되어 열전재료의 격자 쌓임을 파괴하고 쌍정과 함께 적층결함에 의한 새로운 복합결정 구조를 형성시켜 열전성능을 향상시키는 이점이 있다.
Int. CL H01L 35/16 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020140077124 (2014.06.24)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1631858-0000 (2016.06.14)
공개번호/일자 10-2016-0000152 (2016.01.04) 문서열기
공고번호/일자 (20160620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.24)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박수동 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 김봉서 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 민복기 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 오민욱 대한민국 경상남도 창원시 진해구
5 이재기 대한민국 경상남도 창원시 마산회원구
6 이희웅 대한민국 경상남도 창원시 성산구
7 공기정 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0588590-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.01.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2015-0016843-55
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0651714-39
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-1138174-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1252432-43
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1252419-59
9 등록결정서
Decision to grant		 2016.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0265230-89
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번호 청구항
1 1
A-B-A-C-A 원소가 5개층으로 적층되는 단위셀과, 상기 단위셀 말단의 A원소와 다른 단위셀 말단의 A원소는 상호간에 반데르 발스 결합에 의해 반복 적층되는 구조를 가지는 Te계 열전재료에 있어서, 상기 반복적층되는 단위셀 말단의 A원소와 이에 인접한 다른 단위셀 말단의 A원소 사이에 도핑재인 침입형 원소가 침입 위치되어, 반복 적층되는 단위셀의 적층결함이 발생되어 상기 단위셀과는 다른 복합결정구조가 형성됨과 동시에 쌍정이 형성되며,상기 복합결정구조는 여섯 개의 Bi2Te3와 하나의 BiTe2가 혼합된 Bi13Te20 구조를 가지는 물질임을 특징으로 하는 침입형 도핑재 첨가에 의해 복합결정구조가 형성된 Te계 열전재료
2 2
제1항에 있어서, 상기 Te계 열전재료는 Bi0
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 도핑재는 Na, K, Zn, Al, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Pd, Ag, Pt, Au 및 Hg 중 어느 하나, 또는 이들을 둘 이상 혼합한 혼합물 임을 특징으로 하는 침입형 도핑재 첨가에 의해 복합결정구조가 형성된 Te계 열전재료
5 5
제1항에 있어서
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
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2 JP28009857 JP 일본 FAMILY
3 US20150372212 US 미국 FAMILY

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1 JP2016009857 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP6285323 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2015372212 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.