맞춤기술찾기

이전대상기술

TSV 충전 도금액 및 이를 이용한 TSV 내의 도금층 돌출 억제방법(Through Silicon Via electroplating filling solution and Method for suppressing Cu-SiC layer extrusion in Through Silicon Via using the filling solution)

  • 기술번호 : KST2016004652
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 TSV 충전용 도금액 및 이를 이용한 TSV 내의 도금층 돌출 억제방법에 관한 것으로, 고열에 의해 실리콘 기판과 TSV 충전 도금층의 열팽창 계수 차이에서 발생할 수 있는 충전 도금층의 돌출을 억제하기 위해, TSV 충전용 구리 도금액에 열팽창 계수가 낮은 실리콘 카바이드와 같은 물질을 첨가하여 TSV 충전용 도금액을 제조하고, 이 도금액에 전류차단 시간이 적용된 주기적인 펄스 및 역펄스의 전류를 인가하여 TSV 내에 도금층을 형성함으로써, 반도체 제조 중 고열 공정에서 발생되는 TSV 충전 도금층의 돌출을 억제하여 반도체 칩의 손상을 방지하면서도 TSV 내부에 보이드 등의 결함없이 상향식 충전을 달성할 수 있다.
Int. CL C25D 7/12 (2006.01) H01L 21/288 (2006.01) H01L 23/498 (2006.01) C25D 3/02 (2006.01)
CPC C25D 7/12(2013.01) C25D 7/12(2013.01) C25D 7/12(2013.01) C25D 7/12(2013.01)
출원번호/일자 1020140077055 (2014.06.24)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1617382-0000 (2016.04.26)
공개번호/일자 10-2016-0000125 (2016.01.04) 문서열기
공고번호/일자 (20160502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.24)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정재필 대한민국 서울특별시 동대문구
2 기세호 대한민국 서울시 도봉구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김윤배 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, ****호(서초동, 강남빌딩)(특허법인인터브레인)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0588219-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0047069-48
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0626369-04
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-1098041-25
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-1212336-31
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.01.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0026535-68
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0026553-80
9 등록결정서
Decision to grant
2016.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0280303-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
열팽창 계수가 낮은 실리콘 카바이드(SiC)를 함유하는 TSV 충전용 도금액으로서,상기 도금액은, 황산구리(CuSO4·5H2O) 80~200g/L, 황산(H2SO4) 15~60㎖/L 및 염화수소(HCl) 0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
(A) 제 1항의 TSV 충전용 도금액을 제조하는 단계;(B) 실리콘 웨이퍼에 TSV를 형성한 후, 상기 TSV 내부에 절연층(SiO2), 확산 방지층(Ti) 및 시드층(Cu)을 순차적으로 형성하는 단계;(C) 염화수소(HCl) 용액에서 에칭을 실시하여 TSV 표면의 산화막을 제거하는 단계; 및(D) 전류제어 단말기를 통해 TSV에 전류차단 시간이 적용된 주기적인 펄스 및 역펄스 전류를 인가하여 TSV 내에 도금액을 충전하여 도금층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 TSV 내의 도금층 돌출 억제방법
5 5
삭제
6 6
제 4항에 있어서,상기 (C) 단계 이전에는,상기 TSV 표면의 산화막 제거를 위해 실리콘 웨이퍼를 연마포로 연마하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 TSV 내의 도금층 돌출 억제방법
7 7
제 4항에 있어서,상기 전류차단 시간이 적용된 주기적인 펄스 및 역펄스 전류를 인가하는 조건은, 전류제어 단말기에 내장된 전류제어 프로그램에 의해, 순방향 펄스 도금시간은 1초~50초, 역방향 펄스 도금시간은 0
8 8
제 7항에 있어서,상기 순방향 펄스는 6~10mA/cm2 이고, 역방향 펄스는 38~42mA/cm2로 설정되는 것을 특징으로 하는 TSV 내의 도금층 돌출 억제방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.