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Me-도핑된 리튬 전이금속 복합 산화물 (Me = Mg, Al, Ni, Mn, Zn, Fe, Cr, Mo, Zr, 또는 W); 및 상기 Me-도핑된 리튬 전이금속 복합 산화물의 표면에 위치하고, 불소 화합물이 함유된 코팅층;을 포함하는 리튬 이차 전지용 양극 활물질이되,상기 리튬 이차 전지용 양극 활물질은, a 축 격자 상수가 2
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제1항에 있어서,상기 Me-도핑된 리튬 전이금속 복합 산화물은 하기 화학식 1로 표시되는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질
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제1항에 있어서,상기 코팅층에 함유된 상기 불소 화합물은 CsF, KF, LiF, NaF, RbF, TiF, AgF, AgF₂, BaF2, CaF2, CuF2, CdF2, FeF2, HgF2, Hg2F2, MnF2, MgF2, NiF2, PbF2, SnF2, SrF2, XeF2, ZnF2, AlF3, BF3, BiF3, CeF3, CrF3, DyF3, EuF3, GaF3, GdF3, FeF3, HoF3, InF3, LaF3, LuF3, MnF3, NdF3, VOF3, PrF3, SbF3, ScF3, SmF3, TbF3, TiF3, TmF3, YF3, YbF3, TIF3, CeF4, GeF4, HfF4, SiF4, SnF4, TiF4, VF4, ZrF4, NbF5, SbF5, TaF5, BiF5, MoF6, ReF6, SF6, WF6, 또는 이들의 조합인 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질
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제3항에 있어서, 상기 코팅층에 함유된 상기 불소 화합물은 AlF3 인 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질
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삭제
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 코팅층 두께는 1
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제1항에 있어서, 상기 리튬 이차 전지용 양극 활물질에 대한 코팅층의 함량은 0
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리튬 원료, 전이금속 원료, MeFy (Me= Mg, Al, Ni, Mn, Zn, Fe, Cr, Mo, Zr, 또는 W, 1≤y≤6), 및 용매의 혼합 용액을 준비하는 단계;상기 혼합 용액을 사용하여 Me-도핑된 리튬 전이금속 복합 산화물 전구체를 제조하는 단계;상기 Me-도핑된 리튬 전이금속 복합 산화물 전구체를 금속 전구체 용액에 투입하여 혼합하는 단계; 및상기 Me-도핑된 리튬 전이금속 복합 산화물 전구체의 표면에 잔류하는 불소 및 상기 금속 전구체의 반응에 의해, Me-도핑된 리튬 전이금속 복합 산화물의 표면에 불소 화합물이 코팅된 리튬 이차 전지용 양극 활물질을 수득하는 단계;를 포함하고,상기 Me-도핑된 리튬 전이금속 복합 산화물 전구체의 표면에 잔류하는 불소는 상기 MeFy 에 의한 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 혼합 용액은 상기 리튬 원료, 상기 전이금속 원료, 및 상기 MeFy 가 31
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제9항에 있어서,상기 MeFy는 MgF2인 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 혼합 용액을 사용하여 Me-도핑된 리튬 전이금속 복합 산화물 전구체를 제조하는 단계;는,500 내지 700 ℃에서, 2 내지 4시간 동안 열처리하는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 Me-도핑된 리튬 전이금속 복합 산화물 전구체는 하기 화학식 2로 표시되는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 금속 전구체는 Cs, K, Li, Na, Rb, Ti, Ag(Ⅰ), Ag(Ⅱ), Ba, Ca, Cu, Cd, Fe, Hg(Ⅱ), Hg(Ⅰ), Mn(Ⅱ), Mg, Ni, Pb, Sn, Sr, Xe, Zn, Al, B, Bi(Ⅲ), Ce(Ⅲ), Cr, Dy, Eu, Ga, Gd, Fe, Ho, In, La, Lu, Mn(Ⅲ), Nd, VO, Pr, Sb(Ⅲ), Sc, Sm, Tb, Ti(Ⅲ), Tm, Y, Yb, TI, Ce(Ⅳ), Ge, Hf, Si, Sn, Ti(Ⅳ), V, Zr, Nb, Sb(Ⅴ), Ta, Bi(Ⅴ), Mo, Re, S, W 또는 이들의 조합을 포함하는 금속의 질산염, 황산염, 인산염, 초산염 중 어느 하나인 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 금속 전구체는 Al의 질산염인 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 금속 전구체 용액 내 용매는 불소 작용기를 가지고 있지 않는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 Me-도핑된 리튬 전이금속 복합 산화물 전구체를 금속 전구체 용액에 투입하여 혼합하는 단계;는,상기 금속 전구체 용액에 대해 상기 Me-도핑된 리튬 전이금속 복합 산화물 전구체를 0
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제9항에 있어서,상기 Me-도핑된 리튬 전이금속 복합 산화물 전구체를 금속 전구체 용액에 투입하여 혼합하는 단계;는,20 내지 100 ℃의 온도 범위에서 수행하는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 Me-도핑된 리튬 전이금속 복합 산화물 전구체를 금속 전구체 용액에 투입하여 혼합하는 단계;는,1분 내지 5 시간 동안 수행하는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 Me-도핑된 리튬 전이금속 복합 산화물은 하기 화학식 1로 표시되는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 Me-도핑된 리튬 전이금속 복합 산화물의 표면에 코팅되는 상기 불소 화합물은,CsF, KF, LiF, NaF, RbF, TiF, AgF, AgF₂, BaF2, CaF2, CuF2, CdF2, FeF2, HgF2, Hg2F2, MnF2, MgF2, NiF2, PbF2, SnF2, SrF2, XeF2, ZnF2, AlF3, BF3, BiF3, CeF3, CrF3, DyF3, EuF3, GaF3, GdF3, FeF3, HoF3, InF3, LaF3, LuF3, MnF3, NdF3, VOF3, PrF3, SbF3, ScF3, SmF3, TbF3, TiF3, TmF3, YF3, YbF3, TIF3, CeF4, GeF4, HfF4, SiF4, SnF4, TiF4, VF4, ZrF4, NbF5, SbF5, TaF5, BiF5, MoF6, ReF6, SF6, WF6, 또는 이들의 조합인 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 Me-도핑된 리튬 전이금속 복합 산화물 전구체의 표면에 잔류하는 불소 및 상기 금속 전구체의 반응에 의해, 상기 Me-도핑된 리튬 전이금속 복합 산화물의 표면에 불소 화합물이 코팅된 리튬 이차 전지용 양극 활물질을 수득하는 단계; 이후에,상기 수득된 리튬 이차 전지용 양극 활물질을 건조시키는 단계;를 더 포함하는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제22항에 있어서, 상기 건조는 80 내지 120 ℃의 온도 범위에서 수행하는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제22항에 있어서, 상기 건조는 5 내지 24 시간 동안 수행하는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제22항에 있어서, 상기 수득된 리튬 이차 전지용 양극 활물질을 건조시키는 단계; 이후에,상기 건조된 리튬 이차 전지용 양극 활물질을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제25항에 있어서, 상기 열처리는 200 내지 700℃의 온도 범위에서 수행하는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제25항에 있어서, 상기 열처리는 3 내지 12 시간 동안 수행하는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제25항에 있어서, 상기 열처리는 환원성 분위기, 산화성 분위기, 또는 진공 분위기에서 수행하는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
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양극;음극; 및전해질;을 포함하고,상기 양극은, 상기 제1항 내지 제4항, 제7항, 및 제8항 중 어느 한 항에 따른 리튬 이차 전지용 양극 활물질을 포함하는 것인 리튬 이차 전지
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