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기판; 및상기 기판 상부에 소정의 간격으로 복수의 나노 홀이 형성된 금속막을 포함하며, 상기 금속막의 나노 홀 형태는 원 또는 다각형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속 나노 홀 어레이가 형성된 투명전극
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제 1항에 있어서,상기 나노 홀 각각의 직경은 30 내지 1500 nm인 것을 특징으로 하는 금속 나노 홀 어레이가 형성된 투명전극
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제 1항에 있어서, 상기 나노 홀 각각의 상호 간격은 5 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 금속 나노 홀 어레이가 형성된 투명전극
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제 1항에 있어서, 상기 금속막은 은, 금, 백금, 알루미늄 및 구리로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 플라즈모닉 특성을 가지는 금속 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 금속 나노 홀 어레이가 형성된 투명전극
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제 1항에 있어서,상기 금속막의 두께는 10 내지 300nm인 것을 특징으로 하는 금속 나노 홀 어레이가 형성된 투명전극
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기판을 준비하는 단계(단계 1);상기 기판 상에 스핀 코팅하여 레지스트층을 형성하는 단계(단계 2);상기 레지스트층의 적어도 일부를 노광하여 복수의 나노 점을 형성하는 단계(단계 3);상기 복수의 나노 점 영역 및 상기 복수의 나노 점이 형성되지 않은 영역 상부에 금속을 증착하는 단계(단계 4); 및상기 복수의 나노 점 영역 및 상기 복수의 나노 점이 형성되지 않은 영역의 레지스트를 용매를 이용하여 제거함으로써 복수의 나노 홀을 형성하는 단계(단계 5)를 포함하는 금속 나노 홀 어레이가 형성된 투명전극 제조 방법
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기판을 준비하는 단계(단계 1);상기 기판상의 적어도 일부를 고분자 나노 입자를 포함하는 코팅용액으로 드롭 코팅(drop coating)하는 단계(단계 2);상기 드롭 코팅된 영역 및 드롭 코팅되지 않은 영역 상부에 금속을 증착하는 단계(단계 3); 및상기 고분자 나노입자를 제거하여 상기 기판상에 오목한 복수의 나노 홀을 형성하는 단계(단계 4)를 포함하는 금속 나노 홀 어레이를 포함하는 투명전극 제조 방법
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제 7항에 있어서, 상기 고분자는 폴리스틸렌 나노스피어, 실리카 나노스피어로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 고분자인 것을 특징으로 하는 금속 나노 홀 어레이를 포함하는 투명전극 제조 방법
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제 7항에 있어서, 상기 코팅용액은 소디움 도데실 설페이트(SDS, Sodium Dodecyl Sulfate), 알파 올레핀 설포네이트(AOS, alpha olefin sulfonate), 리니어 알킬 벤젠술폰산(LAS, linear alkyl benzene sulfonic acid) 으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 코팅용액인 것을 특징으로 하는 금속 나노 홀 어레이를 포함하는 투명전극 제조 방법
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