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탄소계 소재,상기 탄소계 소재의 표면에 위치하는 실리콘 코팅층 및상기 실리콘 코팅층 상에 위치하는 탄소 코팅층을 포함하고,상기 실리콘 코팅층 내 실리콘 입자는 비정질 또는 준결정질의 실리콘 입자이고,상기 실리콘 코팅층은 실리콘 입자가 상기 탄소계 소재의 표면에 아일랜드 형태 또는 실리콘 입자가 서로 중첩된 박막 형태로 존재하는 것인 음극 활물질
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제1항에서,상기 탄소계 소재 내부에 실리콘 입자가 포함된 음극 활물질
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제1항에서,상기 실리콘 코팅층의 두께는 15nm 내지 30nm인 음극 활물질
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제1항에서,상기 실리콘 입자는 반구(hemisphere) 형태인 음극 활물질
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제2항에서,상기 실리콘 입자의 평균 입경은 5nm 내지 20nm인 음극 활물질
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제1항에서,상기 실리콘 입자의 평균 입경은 5nm 내지 20nm인 음극 활물질
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제1항에서,상기 실리콘 입자는 상기 탄소계 소재의 표면에 균일하게 분포되어 있는 음극 활물질
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제2항에서,상기 탄소계 소재 내부의 실리콘 입자는 비정질 또는 준결정질의 실리콘 입자인 음극 활물질
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제1항에서,상기 음극 활물질은,상기 음극 활물질 총량에 대하여,상기 탄소계 소재 92 중량% 내지 96 중량%;상기 실리콘 코팅층 3 중량% 내지 6 중량%; 및 상기 탄소 코팅층은 0
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제1항에서,상기 탄소계 소재는 결정질계 탄소계 소재인 음극 활물질
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제1항에서,상기 탄소계 소재는 그라파이트인 음극 활물질
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제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제8항, 및 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항의 음극 활물질로 제작된 음극판
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제14항에서,상기 음극판의 전극밀도는 1
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제14항에서,상기 음극판은 "50 사이클 이후 음극판의 두께"/"1 사이클 이후 음극판의 두께"가 0
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탄소계 소재를 준비하는 단계;상기 탄소계 소재에 실리콘을 코팅하는 단계; 및탄화수소가스를 열분해시켜 상기 코팅된 실리콘 상에 탄소층을 코팅하는 단계를 포함하고,상기 탄소계 소재에 실리콘을 코팅하는 단계;는 실란 가스를 사용하여 상기 탄소계 소재의 표면에 실리콘을 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition; CVD)을 이용하여 코팅하는 것이고, 상기 탄소계 소재에 실리콘을 코팅하는 단계;는 420℃ 내지 650℃에서 수행되는 것인 음극 활물질의 제조 방법
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제17항에서,상기 실리콘은 비정질 또는 준결정질 실리콘인 음극 활물질의 제조 방법
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제17항에서,상기 탄화수소가스를 열분해시켜 상기 코팅된 실리콘 상에 탄소층을 코팅하는 단계에서, 상기 열분해 온도는 800℃ 내지 1000℃인 음극 활물질의 제조 방법
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제17항에서,상기 탄소계 소재는 결정질계 탄소계 소재인 음극 활물질의 제조 방법
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제17항에서,상기 탄소계 소재는 그라파이트인 음극 활물질의 제조 방법
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제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제8항, 및 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 음극 활물질을 포함하는 음극,양극, 및전해질을 포함하는 리튬 이차 전지
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