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수소플라즈마 처리를 통한 다이아몬드상 필름 제조방법(Preparing method of diamond like carbon film using hydrogen plasma)

  • 기술번호 : KST2016004736
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 저압화학기상증착법(Low pressure chemical vapor deposition)을 이용하여 기판 상에 단층의 그래핀(graphene)을 형성하는 단계(제1단계); 상기 기판의 단층의 그래핀을 분리하여 다시 제1단계의 공정으로 제조된 단층의 그래핀이 형성된 기판에 전사하여, 2개층의 그래핀을 적층하는 단계(제2단계); 상기 2개층의 그래핀이 형성된 기판에서 2개층을 가지는 그래핀을 분리하고, 다시 제2단계에서 제조된 2개층의 그래핀이 형성된 기판에 전사하여 4개층을 적층하는 단계(제3단계); 및 상기 제3단계의 과정으로 제조된 기판을 수소플라즈마 처리하여 다이아몬드상 필름으로 형성하는 단계(제4단계)를 포함하는 수소플라즈마 처리를 통한 다이아몬드상 필름 제조방법을 제공한다.그래핀을 기판 상에 형성하고, 별도의 그래핀을 박리하기 위한 별도의 장치를 사용하지 아니하고, 습식전사(wet transfer)를 이용하여 기판 상에 그래핀을 적층할 수 있으며, 적층된 4개 내지 8개의 그래핀층을 수소플라즈마 처리하여 다이아몬드상 필름을 제조할 수 있다. 제조된 다이아몬드상 필름은 기계적 물성이 크게 증가하여 다양한 성형품의 내마모성 등을 증가시키는데 매우 효과적이다.
Int. CL B01J 19/08 (2015.01) C01B 31/04 (2006.01) C01B 31/06 (2006.01)
CPC C01B 32/25(2013.01) C01B 32/25(2013.01) C01B 32/25(2013.01) C01B 32/25(2013.01)
출원번호/일자 1020140074697 (2014.06.19)
출원인 울산과학기술원
등록번호/일자 10-1662710-0000 (2016.09.28)
공개번호/일자 10-2015-0145746 (2015.12.31) 문서열기
공고번호/일자 (20161006) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.19)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신현석 대한민국 울산광역시 울주군
2 윤성인 대한민국 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0571874-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0004752-73
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2016.02.05 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2016-0129163-14
6 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2016.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0027012-63
7 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2016.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0028260-47
8 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2016.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0188137-54
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0179276-27
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0260196-16
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0431984-33
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.05.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0431979-15
13 등록결정서
Decision to grant		 2016.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0676667-45
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
저압화학기상증착법(Low pressure chemical vapor deposition)을 이용하여 기판 상에 단층의 그래핀(graphene)을 형성하는 단계(제1단계);상기 기판의 단층의 그래핀을 분리하여 다시 제1단계의 공정으로 제조된 단층의 그래핀이 형성된 기판에 전사하여, 2개층의 그래핀을 적층하는 단계(제2단계);상기 2개층의 그래핀이 형성된 기판에서 2개층을 가지는 그래핀을 분리하고, 다시 제2단계에서 제조된 2개층의 그래핀이 형성된 기판에 전사하여 4개층을 적층하는 단계(제3단계); 및상기 제3단계의 과정으로 제조된 기판을 수소플라즈마 처리하여 다이아몬드상 필름으로 형성하는 단계(제4단계)를 포함하며,상기 기판은 백금, 니켈, 이산화규소 및 구리로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수소플라즈마 처리를 통한 다이아몬드상 필름 제조방법
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 제1단계는 기판에 수소가스 1 내지 15 sccm을 투입하여, 1000 내지 1050 ℃까지 온도를 상승시키고, 메탄가스 5 내지 15 sccm을 13 내지 15 분간 투입하여 상온으로 냉각하는 것을 특징으로 하는 수소플라즈마 처리를 통한 다이아몬드상 필름 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 제4단계는 20 내지 40 ℃에서 5 내지 30분 동안 20 내지 20
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 제2단계 및 제3단계의 기판 상의 그래핀을 분리하는 과정은, 단층 또는 2개층의 그래핀이 형성된 기판의 뒷면을 산소플라즈마를 사용하여 식각하는 단계(a단계);상기 단층 또는 2개층의 그래핀이 형성된 기판의 윗면에 유기물질을 도포하여 유기막을 형성하고, 에칭용액에 담지하여 기판을 에칭하는 단계(b단계); 및상기 기판에서 분리된 단층 또는 2개층의 그래핀을 세척하고, 아세톤을 사용하여 상기 유기막을 제거하는 단계(c단계)를 포함하는 수소플라즈마 처리를 통한 다이아몬드상 필름 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 유기물질은 메타크릴산 메틸, 벤조트리아졸 및 폴리메틸메타아크릴레이트(poly methyl methacrylate; PMMA)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 그래핀의 수소플라즈마 처리를 통한 다이아몬드상 필름 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 기판은 세로 0
8 8
저압화학기상증착법(Low pressure chemical vapor deposition)을 이용하여 기판 상에 단층의 그래핀(graphene)을 형성하는 단계(제1단계);상기 기판의 단층의 그래핀을 분리하여 다시 제1단계의 공정으로 제조된 단층의 그래핀이 형성된 기판에 전사하여, 2개층의 그래핀을 적층하는 단계(제2단계);상기 2개층의 그래핀이 형성된 기판에서 2개층을 가지는 그래핀을 분리하고, 다시 제2단계에서 제조된 2개층의 그래핀이 형성된 기판에 전사하여 4개층을 적층하는 단계(제3단계); 및상기 제3단계의 과정으로 제조된 기판을 수소플라즈마 처리하여 다이아몬드상 필름으로 형성하는 단계(제4단계); 및상기 기판에서 다이아몬드상 필름을 분리하여, 성형 물품에 표면 상에 증착하는 단계(제5단계)를 더 포함하며,상기 기판은 백금, 니켈, 이산화규소 및 구리로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표면에 다이아몬드상 필름이 피복된 성형 물품 제조방법
9 9
청구항 8의 제조방법으로 제조된 다이아몬드상 필름이 표면에 피복된 성형 물품
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 울산과학기술대학교 글로벌 프론티어 연구개발사업 2차원 및 차원 융합 소재 합성 및 응용