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기판 또는 박막 상에 형성되며, 패턴의 형태가 변형이 가능한 가변형 임프린트용 스탬프의 가압력, 가압 방향 또는 임프린트층의 두께에 따라 비대칭성 정도가 제어되어 형성되는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체를 포함하여 이루어지며,상기 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체는,기판 또는 박막 상에 임프린트층을 형성하는 제1단계;상기 임프린트층 상에 플렉시블한 재질의 가변형 임프린트용 스탬프를 위치시켜, 상기 가변형 임프린트용 스탬프의 패턴이 휘어짐 변형이 유발되는 압력 또는 방향으로 가변형 임프린트용 스탬프를 가압하고, 경화 공정을 수행하여 비대칭 패턴층을 형성하는 제2단계;상기 비대칭 패턴층의 잔류막을 제거하여 기판 또는 박막의 일부 영역을 노출시키는 제3단계;상기 노출된 기판 또는 박막 영역 및 비대칭 패턴층 상에 금속 또는 금속산화물을 증착하는 제4단계;상기 비대칭 패턴층을 제거하여 기판 또는 박막 상에 금속 또는 금속산화물 패턴을 형성하는 제5단계;를 포함하여 구성되고,상기 제1단계의 임프린트층의 두께는,상기 가변형 임프린트용 스탬프로 상기 임프린트층을 가압시 임프린트층이 상기 가변형 임프린트용 스탬프 패턴 사이로 충진이 완전히 되지 않도록 상기 가변형 임프린트용 스탬프 패턴의 두께보다 상대적으로 더 얇게 형성되고,상기 제2단계는,상기 가변형 임프린트용 스탬프의 패턴을 변형시키기 위해 1
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제 1항에 있어서, 상기 기판은,실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 갈륨비소인(GaAsP), SiC, GaN, ZnO, MgO, 사파이어, 석영, 유리 중 어느 하나의 무기물 기판 또는 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylene naphthalate, PEN), 폴리노르보넨(Polynorbornene), 폴리아크릴레이드(polyacrylate), 폴리비닐알콜(Polyvinyl alcohol), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리에테르설폰(Polyethersulfone, PES) 중 어느 하나의 폴리머 기판인 것을 특징으로 하는 가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체
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제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 임프린트층은,임프린트 레진 또는 감광성 금속-유기물 전구체로 이루어진 것을 특징으로 하는 가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체
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제 3항에 있어서, 상기 제 1단계는,기판 또는 박막 상에 고분자층을 먼저 형성하고, 상기 임프린트층을 형성하는 것을 특징으로 하는 가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체
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제 4항에 있어서, 상기 고분자층은,50nm ~ 3000nm 두께로 형성되며,PVC(Polyvinyl Chloride), Neoprene, PVA(Polyvinyl Alcohol), PMMA(Poly Methyl Meta Acrylate), PBMA(Poly Benzyl Meta Acrylate), PolyStylene, SOG(Spin On Glass), PDMS(Polydimethylsiloxane), PVFM(Poly Vinyl formal), Parylene, Polyester, Epoxy, Polyether, Polyimide 및 LOR (Lift-off resist) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체
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제 1항에 있어서, 상기 제2단계의 가변형 임프린트용 스탬프는,PDMS(Polydimethylsiloxane), PUA(Polyurethane acrylate), ETFE(Ethylene Tetrafluoroethylene), PFA(Perfluoroalkyl acrylate), PFPE(Perfluoropolyether) 및 PTFE(Polytetrafluoroethylene) 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체
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제 1항에 있어서, 상기 제2단계의 경화 공정은,자외선에 의한 광경화에 의해 수행되며, 상기 임프린트층에 자외선을 1초 내지 5시간 조사하는 것을 특징으로 하는 가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체
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제 1항에 있어서, 상기 제2단계의 경화 공정은,열에 의한 열경화에 의해 수행되며, 상기 임프린트층에 30℃ 내지 300℃에서 1초 내지 5시간 동안 열을 가하는 것을 특징으로 하는 가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체
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제 1항에 있어서, 상기 제3단계의 잔류막 제거는,BCl3, SiCl4, Cl2, HBr, SF6, CF4, C4F8, CH4, CHF3, NF3, CFCs(chlorofluorocarbons), H2 및 O2 로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 가스를 사용한 건식 식각에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체
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제 9항에 있어서,상기 가스에 N2, Ar 및 He 중에서 선택되는 적어도 하나의 불활성 가스를 더 포함시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체
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제 1항 내지 제 10항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제4단계의 금속 또는 금속산화물의 증착은,전자빔 증착기를 이용하는 것을 특징으로 하는 가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체
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제 11항에 있어서, 상기 금속 또는 금속산화물은 10nm~1000nm 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체
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제 11항에 있어서, 상기 금속 또는 금속산화물은,이종(異種)의 금속 또는 금속산화물을 순차적으로 증착하여 다층구조를 이루는 것을 특징으로 하는 가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체
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제 11항에 있어서, 상기 비대칭 패턴층의 제거는,아세톤, 4-메틸-2-펜타논(4-methyl-2-pentanone), 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 에틸 케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 디메틸설폭사이드(dimethyl sulfoxide, DMSO), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide, DMF), N-메틸피롤리돈, 아세톤, 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF), 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄, 펜탄 및 2-메톡시에탄올(e-methoxyethanol)로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 용매에 의한 습식 식각 공정에 의하는 것을 특징으로 하는 가변형 임프린트용 스탬프를 이용한 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체
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