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반도체 기판 상에 성장된 에피박막의 갈라짐 회피 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법(method for avoiding crack of epi-film grown on semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor devices thereby)

  • 기술번호 : KST2016004920
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판 상에 이종 반도체를 에피성장함에 있어서, 반도체 기판 상에 미리 패턴을 형성하여 에피박막의 갈라짐 배열이 이 패턴에 의해 제어되도록 하는 것으로서, 반도체 기판 상에 이종 물질의 에피박막을 형성하고, 상기 에피박막의 갈라짐(crack)을 회피하기 위한 방법에 있어서, 상기 반도체 기판 상에 상기 에피박막의 갈라짐 배열(crack array)을 결정짓는 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 상에 성장된 에피박막의 갈라짐 회피 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 반도체 기판 상에 미리 패턴을 형성하여 에피박막의 갈라짐 배열이 이 패턴에 의해 제어되도록 하여, 실제로 소자로 동작하는 부분에서는 갈라짐에 의한 영향으로부터 회피할 수 있도록 하거나 줄일 수 있도록 하여 소자의 특성을 향상시키는 이점이 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/2003(2013.01) H01L 21/2003(2013.01)
출원번호/일자 1020140072820 (2014.06.16)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-1594171-0000 (2016.02.04)
공개번호/일자 10-2015-0144393 (2015.12.28) 문서열기
공고번호/일자 (20160216) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오세웅 대한민국 서울특별시 관악구
2 전동환 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 김영조 대한민국 경기도 수원시 팔달구
4 황선용 대한민국 경기도 용인시 수지구
5 최인혜 대한민국 충청남도 세종특별자치시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0558740-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0025423-65
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0269929-32
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2015-0592082-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0712845-29
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0821407-79
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0924634-64
10 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2015.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0149869-56
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-1027630-65
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.10.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1027629-18
13 등록결정서
Decision to grant		 2016.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0082788-40
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번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 이종 물질의 에피박막을 형성하고, 상기 에피박막의 갈라짐(crack)을 회피하기 위한 방법에 있어서,상기 반도체 기판 상에 상기 에피박막의 갈라짐 배열(crack array)을 결정짓는 패턴을 형성하되,상기 반도체 기판에 형성된 패턴은,특정 결정 방향으로 응력을 받을 수 있는 형태로 상기 반도체 기판과 에피박막의 격자상수 차이에 의해 발생하는 응력에 대해 방향성이 있는 형태로 형성하며,상기 반도체 기판 하측으로 식각된 형태로 상기 갈라짐 배열의 형태에 따라 방향성이 있는 다각형 또는 타원형으로 형성되고,상기 반도체 기판에 형성된 패턴에 의한 상기 에피박막의 갈라짐 배열은, 어레이(array) 형태의 소자 제작시 고립(isolation) 공정을 대체할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 상에 성장된 에피박막의 갈라짐 회피 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 반도체 기판은,실리콘, GaN, GaAs 및 SiC 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 기판 상에 성장된 에피박막의 갈라짐 회피 방법
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삭제
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삭제
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반도체 기판 상에 갈라짐이 회피된 이종 물질의 에피박막을 형성하여 반도체 소자를 제작하기 위한 방법에 있어서,상기 반도체 기판 상에 상기 에피박막의 갈라짐 배열(crack array)을 결정짓는 패턴을 형성하는 단계;상기 패턴이 형성된 반도체 기판 상에 에피박막을 성장시키는 단계;상기 패턴에 대응하여 에피박막에 갈라짐 배열(crack array)이 형성되면, 상기 갈라짐 배열을 따라 셀 단위 소자로의 분리 공정을 진행하는 단계;를 포함하여 이루어지되,상기 반도체 기판 상에 형성된 패턴은,특정 결정 방향으로 응력을 받을 수 있는 형태로 상기 반도체 기판과 에피박막의 격자상수 차이에 의해 발생하는 응력에 대해 방향성이 있는 형태로 형성하고,상기 반도체 기판 상에 형성된 패턴에 의한 상기 에피박막의 갈라짐 배열은, 어레이(array) 형태의 소자 제작시 고립(isolation) 공정을 대체할 수 있는 것을 특징으로 하는 에피박막의 갈라짐이 회피된 반도체 소자의 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 반도체 기판은,실리콘, GaN, GaAs 및 SiC 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 에피박막의 갈라짐이 회피된 반도체 소자의 제조방법
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9 9
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10 10
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