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전자 소자(ELECTRONIC DEVICE)

  • 기술번호 : KST2016005190
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 전자 소자는 기판, 기판 위에 형성되어 있으며 복수의 선형 반도체가 교차 결합된 복수의 교차점을 가지는 망형 반도체, 망형 반도체와 전기적으로 연결되어 있는 제1 전극 및 제2 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020140080076 (2014.06.27)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0001472 (2016.01.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.27)
심사청구항수 34

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임태욱 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 백창기 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김재준 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0608341-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0056120-52
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0604431-22
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.11.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1063836-07
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-1063822-68
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2016.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0178997-59
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.05.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0439507-65
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-0439486-94
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0453121-10
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0612292-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판,상기 기판 위에 형성되어 있으며 복수의 선형 반도체가 교차 결합된 복수의 교차점을 가지는 망형 반도체,상기 망형 반도체와 전기적으로 연결되어 있는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전자 소자
2 2
제1항에서,상기 교차점은 상기 선형 반도체가, X, Y 및 T 중 어느 하나의 형태로 교차 결합하는 전자소자
3 3
제2항에서,상기 교차점은 일정한 간격으로 배치되어 있는 전자소자
4 4
제1항에서,상기 망형 반도체는 비정질 규소, 다결정 규소, 단결정규소, 게르마늄 반도체, 마이크로 결정질 규소 또는 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어지는 전자소자
5 5
제4항에서,상기 망형 반도체는 도전형 불순물 이온을 포함하는 전자소자
6 6
제1항에서,상기 교차점의 폭은 상기 선형 반도체의 폭보다 넓은 전자소자
7 7
제1항에서,상기 선형 반도체의 폭은 1㎛이하인 전자소자
8 8
제1항에서,상기 기판은 가요성 기판인 전자 소자
9 9
제1항에서,상기 망형 반도체는 상기 선형 반도체로 둘러싸인 복수의 개구부를 포함하고,상기 개구부는 원형, 타원형 또는 다각형 중 어느 하나로 이루어지는 전자 소자
10 10
기판,상기 기판 위에 형성되어 있으며 복수의 개구부를 포함하는 망형 반도체,상기 망형 반도체와 전기적으로 연결되어 있는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전자 소자
11 11
제10항에서,상기 개구부는 일정한 형태로 배열되어 있는 전자 소자
12 12
제11항에서,상기 개구부는 원형, 타원형 또는 다각형 중 어느 하나로 이루어지는 전자 소자
13 13
제10항에서,상기 개구부의 일변의 길이는 1㎛이하인 전자 소자
14 14
제10항에서,상기 망형 반도체의 두께는 1㎛이하인 전자 소자
15 15
제10항에서,이웃하는 개구부 사이에 위치하는 상기 망형 반도체의 폭은 1㎛이하인 전자 소자
16 16
제10항에서,상기 이웃하는 개구부와 꼭지점이 만나는 부분에 위치하는 상기 망형반도체의 폭은 상기 이웃하는 개구부의 일변과 일변 사이에 위치하는 망형 반도체의 폭보다 넓은 전자 소자
17 17
제10항에서,상기 망형 반도체는 비정질 규소, 다결정 규소, 단결정규소, 게르마늄 반도체, 마이크로 결정질 규소 또는 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어지는 전자 소자
18 18
제17항에서,상기 망형 반도체는 도전형 불순물 이온을 포함하는 전자 소자
19 19
제10항에서,상기 기판은 가요성 기판인 전자 소자
20 20
기판,상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극,상기 게이트 전극 위에 형성되어 있는 게이트절연막,상기 게이트절연막 위에 형성되어 있으며 복수의 선형 반도체가 교차 결합된 복수의 교차점을 가지고, 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 망형 반도체,상기 망형 반도체의 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 전기적으로 연결되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 전자 소자
21 21
제20항에서,상기 게이트 전극은 상기 게이트 전극과 중첩하는 상기 망형 반도체와 동일한 평면 모양을 가지는 제1 게이트 전극을 포함하는 전자 소자
22 22
제21항에서,상기 기판 위에 형성되어 있으며 상기 제1 게이트 전극과 중첩하며 게이트 신호를 전달하는 신호선을 포함하는 제2 게이트 전극을 더 포함하는 전자 소자
23 23
제20항에서,상기 게이트절연막은 상기 망형 반도체를 감싸도록 형성되어 있는 전자 소자
24 24
제23항에서,상기 게이트절연막은 상기 소스 영역 및 드레인 영역을 노출하는 접촉 개구부를 포함하고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 상기 접촉 개구부를 통해서 상기 소스 영역 및 드레인 영역과 연결되어 있는 전자 소자
25 25
제20항에서,상기 교차점은 상기 선형 반도체가, X, Y 및 T 중 어느 하나의 형태로 교차 결합하는 전자 소자
26 26
제25항에서,상기 교차점은 일정한 간격으로 배치되어 있는 전자 소자
27 27
기판,상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극,상기 게이트 전극 위에 형성되어 있는 게이트절연막,상기 게이트절연막 위에 형성되어 있으며 복수의 개구부를 가지고, 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 망형 반도체,상기 망형 반도체의 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 전기적으로 연결되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 전자 소자
28 28
제27항에서,상기 게이트 전극은 상기 게이트 전극과 중첩하는 상기 망형 반도체와 동일한 평면 모양을 가지는 제1 게이트 전극을 포함하는 전자 소자
29 29
제28항에서,상기 게이트 전극은 상기 기판 위에 형성되어 있으며 상기 개구부 및 이웃하는 개구부 사이의 선형 반도체와 중첩하는 제2 게이트 전극을 더 포함하고,상기 제2 게이트 전극은 상기 제1 게이트 전극과 접촉하는 전자 소자
30 30
제27항에서,상기 게이트절연막은 상기 망형 반도체를 감싸도록 형성되어 있는 전자 소자
31 31
제27항에서,상기 게이트절연막은 상기 소스 영역 및 드레인 영역을 노출하는 접촉 개구부를 포함하고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 상기 접촉 개구부를 통해서 상기 소스 영역 및 드레인 영역과 연결되어 있는 전자 소자
32 32
제27항에서,상기 망형 반도체의 두께는 1㎛이하인 전자 소자
33 33
제32항에서,이웃하는 개구부 사이에 위치하는 상기 망형 반도체의 폭은 1㎛이하인 전자 소자
34 34
제33항에서,상기 이웃하는 개구부와 꼭지점이 만나는 부분에 위치하는 상기 망형 반도체의 폭은 상기 이웃하는 개구부의 일변과 일변 사이에 위치하는 망형 반도체의 폭보다 넓은 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
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1 US20150380486 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2015380486 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 IT명품인재양성사업 포스텍 미래 IT 융합연구원