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저항변화 메모리를 이용한 실 난수 발생기 및 이의 동작방법(True random number generator using resistance random access memory and operating method thereof)

  • 기술번호 : KST2016005221
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항변화 메모리의 장점인 높은 집적도와 빠른 읽기/쓰기를 그대로 유지하고 저항변화 전압값의 편차를 이용하는 실 난수 발생기 및 이의 동작방법을 제시한다. 제시된 실 난수 발생기는 저항변화 메모리 단위 셀에 의해 난수를 생성하는 저항변화 메모리 어레이, 및 저항변화 메모리 단위 셀을 제 1 저항상태로 초기화시킨 후 셋 전압을 인가하여 저항변화 메모리 어레이에서 난수를 생성하게 하거나 저항변화 메모리 단위 셀을 제 2 저항상태로 초기화시킨 후 리셋 전압을 인가하여 저항변화 메모리 어레이에서 난수를 생성하게 하는 저항변화 메모리 컨트롤러를 포함한다.
Int. CL G06F 7/58 (2006.01) G11C 13/00 (2006.01)
CPC G11C 13/0002(2013.01) G11C 13/0002(2013.01) G11C 13/0002(2013.01) G11C 13/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020140080708 (2014.06.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1593164-0000 (2016.02.02)
공개번호/일자 10-2016-0002027 (2016.01.07) 문서열기
공고번호/일자 (20160215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.30)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김문석 대한민국 대전광역시 유성구
2 유상경 대한민국 대전광역시 유성구
3 류석 대한민국 대전광역시 유성구
4 이봉수 대한민국 대전광역시 유성구
5 강준기 대한민국 대전광역시 유성구
6 이상한 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0612399-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0026241-69
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0418468-47
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0791492-91
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0791491-45
8 등록결정서
Decision to grant		 2015.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0895042-11
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
저항변화 메모리 단위 셀이 어레이되어 있고, 상기 저항변화 메모리 단위 셀에 의해 난수를 생성하는 저항변화 메모리 어레이; 및상기 저항변화 메모리 어레이에서 난수를 생성하게 하되, 상기 저항변화 메모리 단위 셀을 제 1 저항상태로 초기화시킨 후 셋 전압을 인가하여 상기 저항변화 메모리 어레이에서 난수를 생성하게 하거나 상기 저항변화 메모리 단위 셀을 제 2 저항상태로 초기화시킨 후 리셋 전압을 인가하여 상기 저항변화 메모리 어레이에서 난수를 생성하게 하는 저항변화 메모리 컨트롤러;를 포함하고,상기 저항변화 메모리 컨트롤러는상기 셋 전압의 산포의 중간값 또는 평균값을 상기 셋 전압으로 설정하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리를 이용한 실 난수 발생기
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서,상기 셋 전압은 2V ~ 4
4 4
청구항 1에 있어서,상기 제 1 저항상태는 저항값이 큰 상태(HRS)이고, 상기 제 2 저항상태는 저항값이 작은 상태(LRS)이고,상기 셋 전압은 상기 제 1 저항상태에서 상기 제 2 저항상태로 변화하기 위한 전압인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리를 이용한 실 난수 발생기
5 5
청구항 1에 있어서,상기 저항변화 메모리 컨트롤러는 상기 리셋 전압의 산포의 중간값 또는 평균값을 상기 리셋 전압으로 설정하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리를 이용한 실 난수 발생기
6 6
청구항 1에 있어서,상기 제 1 저항상태는 저항값이 큰 상태(HRS)이고, 상기 제 2 저항상태는 저항값이 작은 상태(LRS)이고,상기 리셋 전압은 상기 제 2 저항상태에서 상기 제 1 저항상태로 변화하기 위한 전압인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리를 이용한 실 난수 발생기
7 7
저항변화 메모리 컨트롤러가, 저항변화 메모리 어레이내의 저항변화 메모리 단위 셀을 제 1 저항상태로 초기화시키는 단계;상기 저항변화 메모리 컨트롤러가, 셋 전압을 상기 저항변화 메모리 단위 셀에게 인가하는 단계; 및상기 저항변화 메모리 어레이가, 상기 셋 전압에 의해 난수를 생성하는 단계;를 포함하고,상기 셋 전압은상기 셋 전압의 산포의 중간값 또는 평균값으로 설정되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리를 이용한 실 난수 발생기의 동작방법
8 8
삭제
9 9
청구항 7에 있어서,상기 셋 전압은 2V ~ 4
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청구항 7에 있어서,상기 셋 전압은 상기 제 1 저항상태에서 제 2 저항상태로 변화하기 위한 전압인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리를 이용한 실 난수 발생기의 동작방법
11 11
청구항 10에 있어서,상기 제 1 저항상태는 저항값이 큰 상태(HRS)이고, 상기 제 2 저항상태는 저항값이 작은 상태(LRS)인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리를 이용한 실 난수 발생기의 동작방법
12 12
저항변화 메모리 컨트롤러가, 저항변화 메모리 어레이내의 저항변화 메모리 단위 셀을 제 2 저항상태로 초기화시키는 단계;상기 저항변화 메모리 컨트롤러가, 리셋 전압을 상기 저항변화 메모리 단위 셀에게 인가하는 단계; 및상기 저항변화 메모리 어레이가, 상기 리셋 전압에 의해 난수를 생성하는 단계;를 포함하고,상기 리셋 전압은상기 리셋 전압의 산포의 중간값 또는 평균값으로 설정되는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리를 이용한 실 난수 발생기의 동작방법
13 13
삭제
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청구항 12에 있어서,상기 리셋 전압은 상기 제 2 저항상태에서 제 1 저항상태로 변화하기 위한 전압인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리를 이용한 실 난수 발생기의 동작방법
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청구항 14에 있어서,상기 제 1 저항상태는 저항값이 큰 상태(HRS)이고, 상기 제 2 저항상태는 저항값이 작은 상태(LRS)인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리를 이용한 실 난수 발생기의 동작방법
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