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하기 화학식 1의 구조를 가지며,화학식 1로 나타내는 화합물은 게르마늄을 중심으로 대칭구조인 유기광전자소자용 게르마늄 중심 덴드리머 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1에서, R1, R2, R3 및 R4는 화학식 5 또는 화학식 6을 나타내되, R1, R2, R3 및 R4는 동일하며,R1, R2, R3 및 R4는 게르마늄에 치환된 페닐기의 파라 위치에 결합되고,[화학식 5] [화학식 6] 상기 화학식 5 및 6에서, R5, R6, R8 및 R9는 각각 수소 또는 탄소수 6 내지 12를 갖는 아릴기를 나타내고,R7 및 R10은 각각 탄소수 6 내지 12를 갖는 아릴기를 나타내며,R5 내지 R10의 수소들 중 하나 이상은 각각 탄소수 1 내지 6을 갖는 알킬기, 탄소수 6 내지 16을 갖는 아릴기, 탄소수 3 내지 12를 갖는 헤테로시클릭기, 탄소수 12 내지 18을 갖는 디아릴아미노기 및 할로겐기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된다
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제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1에서,R1, R2, R3 및 R4는 각각 하기 화학식 5를 나타내며,[화학식 5] 상기 화학식 5에서,R5는 수소를 나타내고,R6는 수소 또는 탄소수 6 내지 12를 갖는 아릴기를 나타내며,R7은 탄소수 6 내지 12를 갖는 아릴기를 나타내고,R6 및 R7의 수소들 중 하나 이상은 각각 탄소수 1 내지 6을 갖는 알킬기, 탄소수 6 내지 16을 갖는 아릴기, 탄소수 3 내지 12를 갖는 헤테로시클릭기, 탄소수 12 내지 18을 갖는 디아릴아미노기 및 Br으로 이루어진 할로겐기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된다
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제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1에서,R1, R2, R3 및 R4는 각각 하기 화학식 6를 나타내며,[화학식 6]상기 화학식 6에서,R8은 수소를 나타내고,R9는 수소 또는 탄소수 6 내지 12를 갖는 아릴기를 나타내며,R10은 탄소수 6 내지 12를 갖는 아릴기를 나타내고,R9 및 R10의 수소들 중 하나 이상은 각각 탄소수 1 내지 6을 갖는 알킬기, 탄소수 6 내지 16을 갖는 아릴기, 탄소수 3 내지 12를 갖는 헤테로시클릭기, 탄소수 12 내지 18을 갖는 디아릴아미노기 및 Br으로 이루어진 할로겐기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된다
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제 1 항에 있어서, 화학식 1로 나타내는 화합물은 하기 구조 3 내지 12 및 25 내지 27로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 유기광전자소자용 게르마늄 중심 덴드리머 화합물
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제 1 항에 따른 유기광전자소자용 게르마늄 중심 덴드리머 화합물을 포함하는 유기광전자소자
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제 5 항에 있어서,유기광전자소자는 유기발광소자, 유기태양전지 또는 유기 반도체인 것을 특징으로 하는 유기광전자소자
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제 5 항에 있어서,유기광전자소자는 유기발광소자이고,상기 유기발광소자는,제 1 전극, 유기층 및 제2 전극을 포함하고,상기 유기층은, 정공 수송층, 발광층, 정공 차단층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 한 층 이상을 포함하며, 상기 유기층을 이루는 층 중 한 층 이상은 제 1 항에 따른 유기광전자소자용 게르마늄 중심 덴드리머 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기광전자소자
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