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전도성 투명 기재를 포함하는 제 1 전극에 재결합 방지층을 형성하는 단계;상기 재결합 방지층에 MX2 (여기서, M은 Pb, Sn, Ge, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하고, X는 할로겐임)를 스핀-코팅하고, 상기 스핀-코팅된 MX2에 페로브스카이트 제조용 전구체 RX (여기서, R은 치환된 또는 비치환된 알킬기를 포함하고, 상기 R이 치환된 경우 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기, 또는 메톡시기이고, X는 할로겐임)를 스핀-코팅하는 2-스텝 스핀-코팅 처리에 의해 입방형 페로브스카이트를 포함하는 광활성층을 형성하는 단계;상기 광활성층에 정공 전달층을 형성하는 단계; 및,상기 정공 전달층에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 페로브스카이트 제조용 전구체의 농도에 의해 상기 입방형 페로브스카이트의 결정 크기가 조절되는 것인,페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 광활성층을 형성하는 단계는 상기 MX2가 코팅된 상기 재결합 방지층에 상기 페로브스카이트 제조용 전구체를 로딩한 후 대기하는 것을 추가 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 대기 시간은 30 초 이하인 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 제조용 전구체의 농도는 0
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제 4 항에 있어서,상기 페로브스카이트 제조용 전구체의 농도 조절에 의해 상기 입방형 페로브스카이트의 결정 크기가 90 nm 내지 720 nm 범위에서 조절되는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 광활성층은 다공성 구조를 가지는 반도체층을 추가 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 반도체층은 상기 재결합 방지층에 금속 산화물 반도체 나노입자의 페이스트를 코팅하여 형성되는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는 페로브스카이트 태양전지에 있어서,전도성 투명 기재를 포함하는 제 1 전극;상기 제 1 전극에 형성된 재결합 방지층;상기 재결합 방지층에 형성된 하기 화학식 1로서 표시되는 입방형 페로브스카이트를 포함하는 광활성층;상기 광활성층에 형성된 정공 전달층; 및,상기 정공 전달층에 형성된 제 2 전극을 포함하는, 페로브스카이트 태양전지:[화학식 1]RMX3상기 화학식 1 중,R은 치환된 또는 비치환된 알킬기를 포함하고, 상기 R이 치환된 경우 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기, 또는 메톡시기이고,M은 Pb, Sn, Ge, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하고, X는 할로겐임
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제 8 항에 있어서,상기 화학식 1로서 표시되는 입방형 페로브스카이트 결정의 크기는 90 nm 내지 720 nm인, 페로브스카이트 태양전지
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제 8 항에 있어서,상기 화학식 1로서 표시되는 입방형 페로브스카이트는 CH3NH3PbI3를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제 8 항에 있어서,상기 광활성층은 다공성 구조를 가지는 반도체층을 추가 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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