1 |
1
금속전구체용액을 승온시켜 나노입자를 성장시키는 단계(단계 1); 및 상기 단계 1에서 성장된 나노입자를 음압(negative pressure) 하에서 숙성시키는 단계(단계 2);를 포함하고,상기 음압 하에서 숙성시키는 단계는 1 내지 3시간 동안 수행함으로써, 나노입자의 응집정도를 조절하는 것을 특징으로 하는 금속나노입자의 제조방법
|
2 |
2
금속전구체용액으로부터 수열합성공정을 통해 나노입자를 성장시키는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 성장된 나노입자를 음압하에서 숙성시키는 단계(단계 2);를 포함하고,상기 음압 하에서 숙성시키는 단계는 1 내지 3시간 동안 수행함으로써, 나노입자의 응집정도를 조절하는 것을 특징으로 하는 금속나노입자의 제조방법
|
3 |
3
삭제
|
4 |
4
삭제
|
5 |
5
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 음압숙성은 상기 반응이 일어나는 챔버(chamber)에 펌프나 실린더를 연결하여 공기를 제거하는 방법에 의하는 것을 특징으로 하는 금속나노입자의 제조방법
|
6 |
6
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 음압숙성은 냉각과정 중 챔버(chamber)내부를 폐쇄하는 방법에 의하는 것을 특징으로 하는 금속나노입자의 제조방법
|
7 |
7
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 음압은 1기압이하의 압력인 것을 특징으로 하는 금속나노입자의 제조방법
|
8 |
8
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속전구체는 구리, 은, 니켈, 철, 금, 백금, 아연, 티타늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나를 포함하는 화합물인 금속나노입자의 제조방법
|
9 |
9
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속전구체는 Cu(NO3)2, CuCl2, CuSO4, (CH3COO)2Cu 및 아세틸로아세트산구리(copper acetyloacetate, Cu(acac)2) 로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 구리전구체인 것을 특징으로 하는 금속나노입자의 제조방법
|