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반도체 적층 구조, 이를 이용한 질화물 반도체층 분리방법 및 장치(Semiconductor thin film structure, method and apparatus for separating nitride semiconductor using the same)

  • 기술번호 : KST2016005435
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 반도체 적층 구조는 질화물 반도체와 이종인 단결정 기판, 기판과의 사이에 빈 공간(cavity)이 정의되도록 기판 상에 형성되고 기판과 같은 결정 구조로 적어도 일부 결정화된 무기물 박막, 및 빈 공간 위의 결정화된 무기물 박막 상에서부터 성장된 질화물 반도체층을 포함한다. 본 발명에 따른 질화물 반도체층 분리방법 및 장치는 기판과 질화물 반도체층 사이를 기계적으로 분리시킨다. 기계적인 분리는 기판과 질화물 반도체층에 수직 방향 힘을 주어 분리하는 방법, 수평 방향의 힘을 주어 분리하는 방법, 상대적인 원운동의 힘을 주어 분리하는 방법, 및 그 조합의 방법으로 수행할 수 있다.
Int. CL H01L 33/22 (2010.01)
CPC H01L 33/0093(2013.01) H01L 33/0093(2013.01) H01L 33/0093(2013.01)
출원번호/일자 1020140088503 (2014.07.14)
출원인 서울대학교산학협력단, 주식회사 헥사솔루션
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0008382 (2016.01.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020170024938;
심사청구여부/일자 Y (2015.07.14)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 주식회사 헥사솔루션 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤의준 대한민국 서울특별시 용산구
2 문대영 대한민국 서울특별시 강남구
3 장정환 대한민국 부산광역시 기장군
4 박용조 대한민국 경기도 용인시 수지구
5 배덕규 대한민국 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0660058-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0680078-21
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0313043-18
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0613480-58
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-0613470-02
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0776271-92
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.11.25 수리 (Accepted) 7-1-2016-0065634-23
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-1275856-16
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.12.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-1275857-51
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0067290-53
13 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2017.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0194276-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화물 반도체와 이종인 단결정 기판; 상기 기판과의 사이에 빈 공간(cavity)이 정의되도록 상기 기판 상에 형성되고 상기 기판과 같은 결정 구조로 적어도 일부 결정화된 무기물 박막; 및상기 빈 공간 위의 상기 결정화된 무기물 박막 상에서부터 성장된 질화물 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조
2 2
제1항에 있어서, 상기 질화물 반도체층은 합체되어 있거나 합체되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 반도체 적층 구조
3 3
제1항에 있어서, 상기 질화물 반도체층은 수평 방향으로 연속적이거나 불연속적인 것을 특징으로 하는 반도체 적층 구조
4 4
제1항에 있어서, 상기 질화물 반도체층은 상기 빈 공간 사이의 영역에 보이드(void)를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 적층 구조
5 5
제1항에 있어서, 상기 무기물 박막은 기판과 접촉하는 다리부 및 다리부로부터 연장된 상면부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 적층 구조
6 6
제5항에 있어서, 상기 상면부는 상기 기판과 평행한 면 또는 곡면을 가지고, 상기 다리부는 상기 기판과 수직이거나 소정의 기울기를 가지거나 곡면을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 적층 구조
7 7
제1항에 있어서, 상기 질화물 반도체층은 서로 분리된 복수개의 질화물 반도체층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 적층 구조
8 8
질화물 반도체와 이종인 단결정 기판 상에 희생층 패턴을 형성하는 단계;상기 희생층 패턴 상에 무기물 박막을 형성하는 단계; 상기 기판과 무기물 박막으로 정의되는 빈 공간(cavity)이 형성되도록, 상기 무기물 박막이 형성된 상기 기판으로부터 상기 희생층 패턴을 제거하는 단계;상기 기판과 같은 결정 구조로 상기 무기물 박막을 적어도 일부 결정화시키는 단계; 및상기 빈 공간 위의 상기 결정화된 무기물 박막 상에서부터 질화물 반도체층을 성장시키는 단계를 포함하여 반도체 적층 구조를 형성한 후, 상기 기판과 상기 질화물 반도체층 사이를 기계적으로 분리시키는 단계를 포함하는 질화물 반도체층 분리방법
9 9
제1항 기재의 반도체 적층 구조에서 기판과 질화물 반도체층 사이를 기계적으로 분리시키는 단계를 포함하는 질화물 반도체층 분리방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 질화물 반도체층을 성장시키는 단계에서 상기 질화물 반도체층은 서로 분리된 복수개의 질화물 반도체층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층 분리방법
11 11
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 기계적으로 분리시키는 단계는, 상기 기판과 질화물 반도체층에 수직 방향 힘을 주어 분리하는 방법, 수평 방향의 힘을 주어 분리하는 방법, 상대적인 원운동의 힘을 주어 분리하는 방법, 및 그 조합의 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층 분리방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 기판과 질화물 반도체층이 수직 방향으로 압축되는 두께 또는 압력을 감지하여 종말점 검출하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층 분리방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 기판과 질화물 반도체층 분리 후, 상기 분리된 질화물 반도체층을 다른 기판으로 전사하거나 패키징하는 단계를 더 포함하는 질화물 반도체층 분리방법
14 14
제1항 기재의 반도체 적층 구조 또는 기판과 질화물 반도체층 사이에 빈 공간을 포함하는 계면층이 포함된 다른 반도체 적층 구조에서 상기 기판과 질화물 반도체층 사이를 기계적으로 분리시키는 단계를 수행하는 질화물 반도체층 분리장치
15 15
제14항에 있어서, 상기 반도체 적층 구조의 기판과 질화물 반도체층에 각각 적용되는 치구로서 한 쌍의 판상 분리부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층 분리장치
16 16
제15항에 있어서, 상기 분리부재와 상기 반도체 적층 구조 사이는 일시적인 접착이 되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층 분리장치
17 17
제16항에 있어서, 상기 일시적인 접착은 접착층, 접착 코팅, 접착테이프, 정전기적인 힘 또는 진공에 의한 힘 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층 분리장치
18 18
제15항에 있어서, 상기 분리부재 중 적어도 어느 하나에는 안착홈이 형성되고, 상기 안착홈을 통하여 상기 반도체 적층 구조를 흡착하기 위한 진공력을 제공할 수 있도록 진공 공급홀이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층 분리장치
19 19
제14항에 있어서, 상기 반도체 적층 구조에 외력을 인가하는 구동부; 및상기 구동부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층 분리장치
20 20
제19항에 있어서, 상기 구동부는 상기 기판과 질화물 반도체층에 상대적인 압축, 인장, 전단, 비틀음 및 그 조합의 외력을 인가하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층 분리장치
21 21
제20항에 있어서, 상기 반도체 적층 구조의 기판과 질화물 반도체층에 각각 적용되는 치구로서 한 쌍의 판상 분리부재를 적어도 어느 한쪽에는 상기 반도체 적층 구조와 일시적 접착을 한 상태에서 상기 외력을 인가하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층 분리장치
22 22
제21항에 있어서, 상기 분리부재 중 어느 한쪽은 고정하고 다른 한쪽을 나머지에 대해 수직 방향, 수평 방향 또는 회전 외력을 인가하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층 분리장치
23 23
제21항에 있어서, 상기 분리부재 중 어느 한쪽은 고정하고 다른 한쪽을 나머지에 대해 수직 방향으로 구동시켜 압축력을 제공하고, 무기물 박막 또는 계면층 파괴로 상기 질화물 반도체층과 기판이 분리된 직후에 압축력을 해제하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층 분리장치
24 24
제23항에 있어서, 상기 제어부는 상기 질화물 반도체층과 기판이 분리되는 종말점 검출을 통해 상기 구동부를 제어하여 상기 분리부재의 상대적 이동을 멈추거나 서로에 대해 이격시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층 분리장치
25 25
제24항에 있어서, 상기 종말점 검출을 위한 분리감지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층 분리장치
26 26
제25항에 있어서, 상기 분리감지부는 분리부재 사이의 거리 측정 또는 압력 모니터링 방법에 의한 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층 분리장치
27 27
제14항에 있어서, 상기 분리된 질화물 반도체층을 다른 기판으로 전사하거나 패키징하기 위해 운반하는 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층 분리장치
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