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기판을 표면처리하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 표면처리된 기판에 전도성 나노입자를 포함하는 잉크를 코팅하여 전도성 배선을 형성시키는 단계(단계 2);상기 단계 2의 형성된 전도성 배선을 비활성 분위기에서 열처리하는 단계(단계 3);상기 단계 3의 열처리된 전도성 배선이 형성된 기판 상부에 경화성 고분자를 코팅하고 경화시켜 전도성 배선이 함입된 고분자 층을 제조하는 단계(단계 4); 및상기 단계 4의 고분자 층을 박리시키는 단계(단계 5);를 포함하고, 상기 열처리는 250 내지 500 ℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 전도성 배선이 함입된 필름의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1의 표면처리는 플라즈마 처리인 것을 특징으로 하는 전도성 배선이 함입된 필름의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1의 표면처리는 기판 상으로 이형의 코팅막 증착인 것을 특징으로 하는 전도성 배선이 함입된 필름의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 플라즈마 처리 후, 기판에 이형의 코팅막을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 배선이 함입된 필름의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 산소플라즈마, 아르곤플라즈마, 질소플라즈마 및 수소플라즈마 중 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 배선이 함입된 필름의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 이형의 코팅막 증착은 디메틸 디클로로실란(dimethyl dichlorosilane), 트리메틸 클로로실란(trimethyl chlorosilane), 옥타데실 트리클로로실란(octadecyl trichlorosilane), 퍼플루로옥틸 트리클로로실란(perfluorooctyl trichlorosilane), FOTS(Trichloro-(1H,1H,2H,2H-perfluorooctyl) silane) 및 퍼플루로데실 트리클로로실란(perfluorodecyl trichlorosilane) 으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상에 의한 SAM(self assembled monolayer) 처리인 것을 특징으로 하는 전도성 배선이 함입된 필름의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 3의 비활성 분위기는 질소, 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤, 크세논, 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로 부터 선택된 것을 특징으로 하는 전도성 배선이 함입된 필름의 제조방법
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제1항에 있어서, 단계 5까지 수행되어 박리된 고분자 층은 또 다른 기판으로 전사되는 것을 특징으로 하는 전도성 배선이 함입된 필름의 제조방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 전도성 배선이 함입된 필름의 제조방법에 의해 제조되는, 전도성 배선이 함입된 필름
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