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제1전압으로 제1플라즈마를 발생시켜 반응물의 온도를 높여서 제1반응물을 생성하는 제1플라즈마 반응부; 및상기 제1플라즈마 반응부에 연결되고, 상기 제1전압보다 높은 제2전압으로 제2플라즈마를 발생시켜 상기 제1반응물에 포함된 제1플라즈마의 전자 밀도 및 전자 에너지를 제어하여 제2반응물을 생성하는 제2플라즈마 반응부를 포함하며,상기 제2플라즈마 반응부는유전체 장벽방전으로 제2플라즈마를 발생시키는 다중 특성을 가지는 플라즈마 반응기
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제1항에 있어서,상기 제1플라즈마 반응부는제1반응물에 포함된 제1플라즈마의 중성종의 온도인 800K 내지 5000K의 고온 조건의 제1플라즈마를 형성하는 방전으로 반응물을 제1반응물로 변환하는 다중 특성을 가지는 플라즈마 반응기
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제2항에 있어 상기 제1플라즈마 반응부는회전아크 방전으로 제1플라즈마를 발생시키는 다중 특성을 가지는 플라즈마 반응기
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제1항에 있어서,상기 제2플라즈마 반응부는제2반응물에 포함된 제2플라즈마의 중성종의 온도인 300K 내지 1000K의 저온 조건의 제2플라즈마를 이용하여 제1반응물을 제2반응물로 변환하는 다중 특성을 가지는 플라즈마 반응기
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삭제
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제1항에 있어서,상기 제1플라즈마 반응부는,전기적으로 접지되고 회전 유동 반응물에서 변화된 제1반응물을 토출하는 제1하우징, 및상기 제1하우징에 내장되고 상기 제1하우징의 내면과의 사이에 방전갭을 형성하여, 제1전압이 인가되면, 상기 방전갭에서 회전 유동 아크로 제1플라즈마를 발생시키는 제11전극을 포함하는 다중 특성을 가지는 플라즈마 반응기
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제6항에 있어서,상기 제1하우징은,상기 제1반응물의 토출측에 확장된 수용부를 구비하고,상기 제2플라즈마 반응부의 일단은상기 수용부에 삽입되어 연결되는 다중 특성을 가지는 플라즈마 반응기
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제7항에 있어서,상기 제2플라즈마 반응부는,상기 수용부에 삽입되고, 일측으로 유입되는 제1반응물에서 변화된 제2반응물을 토출하도록 유전체로 형성되는 제2하우징, 및상기 제2하우징의 외주에 구비되고 제2전압이 인가되면, 상기 제2하우징 내에서 유전체 장벽방전으로 제2플라즈마를 발생시키는 제21전극을 포함하는 다중 특성을 가지는 플라즈마 반응기
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제8항에 있어서,상기 제2플라즈마 반응부는,상기 제21전극과 설정된 간격으로 이격되어 상기 제2하우징의 외주에 구비되어 접지되는 제22전극을 더 포함하는 다중 특성을 가지는 플라즈마 반응기
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제1항에 있어서,상기 제2플라즈마 반응부는, 제1반응물에서 변화된 제2반응물을 토출하는 제2하우징,상기 제2하우징에 내장되고 서로의 사이에 방전갭을 형성하는 제21전극과 제22전극, 및제2전압이 인가되는 상기 제21전극과 접지되는 상기 제22전극의 일측에 구비되어, 제2전압이 인가되면 벽전하를 형성하여 상기 방전갭에서 유전체 장벽방전으로 제2플라즈마를 발생시키는 유전체를 포함하는 다중 특성을 가지는 플라즈마 반응기
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제1항에 있어서,상기 제1플라즈마 반응부는플라즈마 아크 제트로 반응물을 제1반응물로 변환하는 다중 특성을 가지는 플라즈마 반응기
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제11항에 있어서,상기 제1플라즈마 반응부는, 반응물에서 변화된 제1반응물을 토출하도록 절연재로 형성되는 제1하우징,상기 제1하우징에 내장되고 제1전압이 인가되는 제11전극, 및상기 제1하우징의 토출 측에 구비되고 접지되어 상기 제11전극과의 사이에 방전갭을 형성하며 노즐을 형성하는 제12전극을 포함하는 다중 특성을 가지는 플라즈마 반응기
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제1항에 있어서,상기 제1플라즈마 반응부는, 마이크로 웨이브로 반응물을 제1반응물로 변환하는 다중 특성을 가지는 플라즈마 반응기
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제13항에 있어서,상기 제1플라즈마 반응부는, 반응물에서 변화된 제1반응물을 토출하는 노즐,상기 노즐을 수용하고 상기 노즐의 일측에서 단락 회로를 형성하고 다른 일측에서 마이크로 웨이브를 인가하는 웨이브 가이드, 및상기 웨이브 가이드의 상기 노즐 토츨측에 연결되어 상기 마이크로 웨이브에 의하여 발생되는 제1플라즈마로 가열된 제1반응물을 토출하는 제1하우징을 포함하는 다중 특성을 가지는 플라즈마 반응기
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