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플루오린화마그네슘을 전류 억제층으로 이용하는 질화갈륨 계열 반도체 기반 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법(Vertical gallium nitride-type light emitting diode having as current block layer of MgF2 and method for manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2016005702
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 수직형 발광 다이오드의 제조방법은, 기판 상에 제1도전성 반도체층, 활성층, 및 제2도전성 반도체층을 순차적으로 형성하고, 상기 제2도전성 반도체층 상에 전류 억제층을 증착 장비를 이용하여 형성하며, 상기 전류 억제층 상에 제2전극을 형성하되, 상기 전류 억제층의 증착 장비를 이용하여 증착하며, 상기 기판을 제거하고, 상기 제1도전성 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 것을 포함한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 플루오린화마그네슘(MgF2) 물질의 전류 차단을 통하여 전기적 기능을 개선되는 동시에 플루오린화마그네슘(MgF2) 물질의 낮은 굴절률에 의하여 광학적 기능이 동시에 개선되는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/14 (2010.01)
CPC H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01)
출원번호/일자 1020160003675 (2016.01.12)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0013224 (2016.02.03) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2014-0024207 (2014.02.28)
관련 출원번호 1020140024207
심사청구여부/일자 Y (2016.01.12)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현수 대한민국 전라북도 전주시 완산구
2 오문식 대한민국 전라북도 군산시 삼화길 ** (
3 김성준 대한민국 전라북도 전주시 완산구
4 정은진 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이룸리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층 (반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2016.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0032615-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0107487-33
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0242707-25
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0242694-19
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0511509-24
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0531181-57
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0722173-70
9 등록결정서
Decision to grant		 2016.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0549485-97
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판 상에 제1도전성 반도체층, 활성층, 및 제2도전성 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 제2도전성 반도체층 상에 전류 억제층을 증착 장비를 이용하여 형성하되, 화학 기상 증착 방법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정을 실시하지 않음으로써, 플라즈마 데미지에 의한 누설전류 생성, 열화 현상을 억제하는 단계;상기 전류 억제층 상에 제2전극을 형성하되, 상기 전류 억제층의 증착 장비를 이용하여 증착하는 단계; 및상기 기판을 제거하고, 상기 제1도전성 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제2도전성 반도체층은 p타입 질화갈륨(p-GaN)을 포함하고, 상기 전류 억제층은 플루오린화마그네슘(MgF2)을 포함하며, 상기 플루오린화마그네슘(MgF2)은 상기 p타입 질화갈륨(p-GaN) 상에 전자 빔 증착기(E-beam evaporator)를 이용하여 증착되며,상기 제2전극은 은(Ag)을 포함하며,상기 은(Ag)은 상기 플루오린화마그네슘(MgF2) 상에 상기 전자 빔 증착기(E-beam evaporator)를 이용하여 증착되며, 상기 전자 빔 증착기를 이용하여 형성되는 상기 전류 억제층과 상기 전자 빔 증착기를 이용하여 형성되는 상기 제2전극은 인 시튜 공정에 의하여 형성됨으로써, 동일한 상기 전자 빔 증착기로 상기 전류 억제층 형성 공정과 상기 제2전극 형성 공정이 실시되고,이산화규소 대비 상기 플루오린화마그네슘의 저 굴절률(1
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1 KR1020150102396 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2015129991 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 미래창조과학부 전북대학교 산학협력단 지역혁신인력양성사업 UV LED 소자 제조 및 응용 기술 개발
2 미래창조과학부 전북대학교 산학협력단 신진연구지원사업 고신뢰도 수직형 질화갈륨 발광다이오드 제조 및 특성평가 연구