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저주파 플리커 잡음 감소를 위한 MOSFET 회로 및 상기 MOSFET 회로를 채용한 증폭기(MOSFET CIRCUIT ARCHITECTURE FOR THE 1/f NOISE REDUCTION AND AMPLIFIER OFHAVING THE MOSFET CIRCUIT ARCHITECTURE)

  • 기술번호 : KST2016005783
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저주파 플리커 잡음 감소를 위한 MOSFET 회로 구조 및 상기 MOSFET 회로 구조를 채용한 증폭기에 관한 것으로서, 상기 MOSFET 회로 구조는 다수 개(N)의 MOSFET이 병렬로 연결된 MOSFET부; 및 상기 다수 개(N)의 MOSFET 중 어느 하나의 MOSFET은 턴오프(turn off)하고, N-1개의 MOSFET은 턴온(turn on)하는 스위치 제어부를 포함함으로써, 회로의 복잡성 및 추가 회로에 따른 전력 소모 없이 증폭기 회로의 동작을 유지시키면서 기존의 증폭기에서 발생하는 플리커 잡음을 최소화할 수 있다.
Int. CL H03F 3/16 (2006.01) H03K 17/687 (2006.01) H03K 17/16 (2006.01)
CPC H03K 17/16(2013.01) H03K 17/16(2013.01) H03K 17/16(2013.01)
출원번호/일자 1020140089203 (2014.07.15)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1603883-0000 (2016.03.10)
공개번호/일자 10-2016-0009194 (2016.01.26) 문서열기
공고번호/일자 (20160318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.15)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양병도 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
2 우기찬 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 추혁 대한민국 경기도 화성시 동탄대로 ***-** 효성아이씨티타워 ****호(지엠국제특허)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0664606-29
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0567263-45
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.10.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0998341-59
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0998332-48
7 등록결정서
Decision to grant		 2016.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0051649-97
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다수 개(N)의 MOSFET이 병렬로 연결된 MOSFET부; 및상기 다수 개(N)의 MOSFET에 대해 순차적인 스위칭을 수행하되, 어느 하나의 MOSFET이 턴오프(turn off) 상태이면, 나머지 N-1개의 MOSFET은 턴온(turn on) 상태를 유지시키는 스위치 제어부를 포함하는 MOSFET 회로
2 2
삭제
3 3
제1 입력 신호가 인가되는, 병렬로 연결된 다수 개의 MOSFET을 포함하는 제1 MOSFET 회로부; 및제2 입력 신호가 인가되는, 병렬로 연결된 다수 개의 MOSFET을 포함하는 제2 MOSFET 회로부를 포함하고,상기 제1 MOSFET 회로부 및 상기 제2 MOSFET 회로부는,다수 개(N)의 MOSFET이 병렬로 연결된 MOSFET부; 및 상기 다수 개(N)의 MOSFET에 대해 순차적인 스위칭을 수행하되, 어느 하나의 MOSFET이 턴오프(turn off) 상태이면, 나머지 N-1개의 MOSFET은 턴온(turn on) 상태를 유지시키는 스위치 제어부를 포함하는 MOSFET 회로를 갖는 증폭기
4 4
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단(미래부) 충북대학교 산학협력단 일반연구자지원사업(지역대학우수과학자) 휴대용 심전도 측정 시스템을 위한 저전압 아날로그 회로 개발