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플라즈마를 이용한 Si-C 복합체 제조장치 및 이를 이용한 Si-C 복합체 제조방법(MANUFACTURING DEVICE OF Si-C USING PLASMA SOURCE AND MANUFACTURING METHOD USING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016005827
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플라즈마를 이용한 실리콘-탄소(Si-C) 복합체를 제조하는 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 실리콘 나노 입자를 형성하고, 실리콘 나노 입자와 탄소를 복합화하는 Si-C 복합체 제조장치 및 제조방법에 관하여 개시한다.본 발명은 반응 공간을 제공하는 반응 챔버; 상기 반응챔버의 상측에 구비되며, 플라즈마를 발생시켜 실리콘 전구체를 분해하여 Si 입자를 생성하는 플라즈마 토치부; 상기 반응챔버 내부에 구비되며, 상기 반응챔버 내부로 공급되는 Si 입자를 냉각하는 냉각부; 및 상기 반응챔버 내부로 탄소구조체를 공급하는 탄소체 공급부;를 포함하고, 상기 반응챔버 내부에서 상기 Si 입자와 상기 탄소구조체가 복합화되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 Si-C 복합체 제조장치를 제공한다.
Int. CL B01J 19/08 (2015.01) C01B 31/36 (2006.01)
CPC B01J 19/08(2013.01) B01J 19/08(2013.01) B01J 19/08(2013.01) B01J 19/08(2013.01) B01J 19/08(2013.01) B01J 19/08(2013.01)
출원번호/일자 1020140090084 (2014.07.16)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1692443-0000 (2016.12.28)
공개번호/일자 10-2016-0009817 (2016.01.27) 문서열기
공고번호/일자 (20170104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.16)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장보윤 대한민국 대전광역시 유성구
2 구정분 대한민국 대전광역시 유성구
3 김준수 대한민국 대전광역시 유성구
4 이진석 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0670293-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0026036-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0766249-73
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0005436-10
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0123351-62
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.02.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0123361-18
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0450177-41
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0755319-12
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.08.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0755320-58
12 등록결정서
Decision to grant
2016.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0867891-91
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반응 공간을 제공하는 반응 챔버;상기 반응챔버의 상측에 구비되며, 플라즈마를 발생시켜 실리콘 전구체를 분해하여 Si 입자를 생성하는 플라즈마 토치부;상기 반응챔버 내부에 구비되며, 상기 반응챔버 내부로 공급되는 Si 입자를 냉각하는 냉각부; 및상기 반응챔버 내부로 탄소구조체를 공급하는 탄소체 공급부;를 포함하고,상기 탄소체 공급부는 상기 냉각부로 연결되어, 상기 냉각부를 통하여 탄소구조체가 공급되고,상기 반응챔버 내부에서 상기 Si 입자와 상기 탄소구조체가 복합화되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 Si-C 복합체 제조장치
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 반응 챔버의 후단에 구비되어 Si-C 입자를 포집하는 입자 포집부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Si-C 복합체 제조장치
4 4
제 3 항에 있어서,상기 입자 포집부의 후단에 구비되어산 배기가스를 처리하는 스크러버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Si-C 복합체 제조장치
5 5
반응 공간을 제공하는 반응 챔버와, 상기 반응챔버의 상부에 구비되어 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 토치부와, 상기 반응챔버 내부에 구비되어 냉각가스를 공급하는 냉각부를 포함하는 Si-C 복합체 제조장치를 이용한 Si-C 복합체 제조방법으로,반응챔버 내부로 Si 전구체를 플라즈마 형성 가스와 함께 공급하여, 플라즈마와 함께 주입되는 Si 전구체가 해리 및 결합하여 핵화 및 핵성장 과정을 통해 Si 입자가 형성되도록 하는 단계와,상기 반응 챔버 내부로 냉각가스와 함께 탄소구조체를 공급하여, 상기 Si 입자와 탄소구조체를 복합화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 Si-C 복합체 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 Si 전구체는고상의 마이크로 Si 입자 또는 액상의 SiCl4를 분무하거나 가스화한 것이거나, SiH4 가스인 것을 특징으로 하는 Si-C 복합체 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 탄소구조체는탄소나노튜브(CNT), 탄소나노섬유(CNF) 및 흑연 등의 1종 이상의 탄소구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 Si-C 복합체 제조방법
8 8
제 5 항에 있어서,상기 냉각가스는공기(Air), 질소(N2), 아르곤(Ar), 헬륨(He) 및 수소(H2) 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 Si-C 복합체 제조방법
9 9
제 5 항에 있어서,상기 냉각부로 탄소 전구체 가스를 추가로 공급하여, Si-C 복합체에 탄소 코팅이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 Si-C 복합체 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 탄소 전구체 가스는 알코올 또는 탄화수소계 가스인 것을 특징으로 하는 Si-C 복합체 제조방법
11 11
반응 공간을 제공하는 반응 챔버와, 상기 반응챔버의 상부에 구비되어 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 토치부와, 상기 반응챔버 내부에 구비되어 냉각가스를 공급하는 냉각부를 포함하는 Si-C 복합체 제조장치를 이용하여,반응챔버 내부로 Si 전구체를 플라즈마 형성 가스와 함께 공급하여, 플라즈마와 함께 주입되는 Si 전구체가 해리 및 결합하여 핵화 및 핵성장 과정을 통해 Si 입자가 형성되도록 하는 단계와,상기 반응 챔버 내부로 냉각가스와 함께 탄소구조체를 공급하여, 상기 Si 입자와 탄소구조체를 복합화하는 단계를 포함하는 방법으로 제조된 Si-C 복합체로,구형의 Si 나노 입자에 탄소(C)가 코팅된 형태인 것을 특징으로 하는 Si-C 복합체
12 12
제 11 항의 Si-C 복합체를 음극소재로 적용한 리튬이차전지
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101574754 KR 대한민국 FAMILY
2 US20160016143 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국에너지기술연구원 주요사업(구, 기본사업) 금속도입 나노탄소구조체 및 응용기술 개발