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반응 공간을 제공하는 반응 챔버;상기 반응챔버의 상측에 구비되며, 플라즈마를 발생시켜 실리콘 전구체를 분해하여 Si 입자를 생성하는 플라즈마 토치부;상기 반응챔버 내부에 구비되며, 상기 반응챔버 내부로 공급되는 Si 입자를 냉각하는 냉각부; 및상기 반응챔버 내부로 탄소구조체를 공급하는 탄소체 공급부;를 포함하고,상기 탄소체 공급부는 상기 냉각부로 연결되어, 상기 냉각부를 통하여 탄소구조체가 공급되고,상기 반응챔버 내부에서 상기 Si 입자와 상기 탄소구조체가 복합화되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 Si-C 복합체 제조장치
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제 1 항에 있어서,상기 반응 챔버의 후단에 구비되어 Si-C 입자를 포집하는 입자 포집부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Si-C 복합체 제조장치
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제 3 항에 있어서,상기 입자 포집부의 후단에 구비되어산 배기가스를 처리하는 스크러버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Si-C 복합체 제조장치
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반응 공간을 제공하는 반응 챔버와, 상기 반응챔버의 상부에 구비되어 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 토치부와, 상기 반응챔버 내부에 구비되어 냉각가스를 공급하는 냉각부를 포함하는 Si-C 복합체 제조장치를 이용한 Si-C 복합체 제조방법으로,반응챔버 내부로 Si 전구체를 플라즈마 형성 가스와 함께 공급하여, 플라즈마와 함께 주입되는 Si 전구체가 해리 및 결합하여 핵화 및 핵성장 과정을 통해 Si 입자가 형성되도록 하는 단계와,상기 반응 챔버 내부로 냉각가스와 함께 탄소구조체를 공급하여, 상기 Si 입자와 탄소구조체를 복합화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 Si-C 복합체 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 Si 전구체는고상의 마이크로 Si 입자 또는 액상의 SiCl4를 분무하거나 가스화한 것이거나, SiH4 가스인 것을 특징으로 하는 Si-C 복합체 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 탄소구조체는탄소나노튜브(CNT), 탄소나노섬유(CNF) 및 흑연 등의 1종 이상의 탄소구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 Si-C 복합체 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 냉각가스는공기(Air), 질소(N2), 아르곤(Ar), 헬륨(He) 및 수소(H2) 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 Si-C 복합체 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 냉각부로 탄소 전구체 가스를 추가로 공급하여, Si-C 복합체에 탄소 코팅이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 Si-C 복합체 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 탄소 전구체 가스는 알코올 또는 탄화수소계 가스인 것을 특징으로 하는 Si-C 복합체 제조방법
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반응 공간을 제공하는 반응 챔버와, 상기 반응챔버의 상부에 구비되어 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 토치부와, 상기 반응챔버 내부에 구비되어 냉각가스를 공급하는 냉각부를 포함하는 Si-C 복합체 제조장치를 이용하여,반응챔버 내부로 Si 전구체를 플라즈마 형성 가스와 함께 공급하여, 플라즈마와 함께 주입되는 Si 전구체가 해리 및 결합하여 핵화 및 핵성장 과정을 통해 Si 입자가 형성되도록 하는 단계와,상기 반응 챔버 내부로 냉각가스와 함께 탄소구조체를 공급하여, 상기 Si 입자와 탄소구조체를 복합화하는 단계를 포함하는 방법으로 제조된 Si-C 복합체로,구형의 Si 나노 입자에 탄소(C)가 코팅된 형태인 것을 특징으로 하는 Si-C 복합체
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제 11 항의 Si-C 복합체를 음극소재로 적용한 리튬이차전지
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