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(a) 제1 면과 제2 면을 구비하는 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 기판의 상기 제1 면에 서로 이격하여 배치되는 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계;(c) 상기 소스 영역 및 드레인 영역이 형성된 상기 기판 상에 유전체층을 형성하는 단계;(d) 상기 유전체층 상에 전극층을 형성하는 단계; 및(e) 상기 기판의 제2 면으로부터 상기 기판을 선택적으로 리세스하여, 적어도 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이의 채널 영역을 커버하는 폭 및 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역의 깊이를 커버하는 두께를 가지는 다이어프램을 형성하는 단계를 포함하되,(c) 단계는(c1) 상기 기판의 제1 면 상에 유전막을 증착하는 단계; 및(c2) 상기 유전막을 패터닝하여, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역을 선택적으로 노출시키는 컨택홀을 형성하는 단계를 포함하되,상기 유전막의 패터닝에 의해, 상기 채널 영역 상에 제1 유전체층이 형성되고, 상기 채널 영역을 제외한 영역 상에 제2 유전체층이 형성되고,(d) 단계는(d1) 상기 컨택홀을 채우고 상기 제1 유전체층 및 상기 제2 유전체층을 덮는 전도성 박막을 증착하는 단계; 및(d2) 상기 전도성 박막을 선택적으로 패터닝하여, 상기 제1 유전체층 상에 전도성 패턴을 형성하고, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 전기적으로 연결되는 소스 전극 라인 및 드레인 전극 라인을 형성하는 단계를 포함하는전계효과트랜지스터 형 압력 센서의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 기판은 제1 형으로 도핑된 기판이며,(b) 단계는 이온주입법을 이용하여 상기 기판의 표면으로부터 내부 영역으로 제2 형 도펀트를 선택적으로 주입하는 단계를 포함하는전계효과트랜지스터 형 압력 센서의 제조 방법
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제6 항에 있어서,(e) 단계는 (e1) 상기 기판의 상기 제2 면 상에 레지스트 패턴층을 형성하는 단계; 및(e2) 상기 레지스트 패턴층을 식각 마스크로 이용하여, 상기 기판의 잔존 두께가 3 내지 50 ㎛의 두께에 이르도록 상기 기판을 식각하는 단계를 포함하는전계효과트랜지스터 형 압력 센서의 제조 방법
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기판;상기 기판 내에 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역; 상기 소스 영역 및 드레인 영역 사이의 채널 영역의 상부에 배치되는 제1 게이트 유전체층; 상기 제1 게이트 유전체층과 이격하여 배치되며, 제2 게이트 유전체층 및 게이트 전극층을 포함하는 다이어프램; 및상기 제1 게이트 유전층 및 상기 제2 게이트 유전층 사이에 배치되어, 제3 게이트 유전층으로 기능하는 에어갭 영역을 포함하며,상기 다이어프램의 변이량은 상기 채널 영역, 상기 제1 게이트 유전층, 상기 제2 게이트 유전층, 상기 제3 게이트 유전층 및 상기 게이트 전극을 포함하는 캐패시터 소자의 캐패시턴스를 변화시키는전계효과트랜지스터 형 압력 센서
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제11 항에 있어서,상기 다이어프램은 인가되는 압력에 대응하여 상기 에어갭 영역으로 변이하는 전계효과트랜지스터 형 압력 센서
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제11 항에 있어서,상기 다이어프램의 변이량에 대응하여 변화하는 상기 캐패시턴스 소자의 캐패시턴스에 근거하여, 상기 채널 영역을 통해 흐르는 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 간 전류값이 변화하는전계효과트랜지스터 형 압력 센서
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(a) 소스 영역, 드레인 영역, 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이의 채널 영역, 및 상기 채널 영역 상의 제1 게이트 유전체층을 구비하는 제1 기판을 준비하는 단계;(b) 제2 게이트 유전체층 및 게이트 전극을 구비하는 다이어프램이 선택적으로 패터닝된 제2 기판을 제공하는 단계; 및(c) 상기 제1 게이트 유전체층과 상기 제2 게이트 유전체층이 서로 이격하여 마주보도록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 접합하되, 상기 제1 게이트 유전체층과 상기 제2 게이트 유전체층 사이에 에어갭 영역을 형성하는 단계를 포함하되,(b) 단계는 (b1) 제1 면과 제2 면을 구비하는 상기 제2 기판을 준비하는 단계;(b2) 상기 제1 면과 상기 제2 면 상에 제1 절연층 및 제2 절연층을 각각 형성하는 단계;(b3) 상기 제1 절연층으로부터 상기 제2 기판의 내부를 관통하도록 선택적 가공을 수행하여, 상기 제2 절연층을 부분적으로 노출시키는 단계; 및(b4) 상기 부분적으로 노출되는 상기 제2 절연층 상에 도전층 패턴을 선택적으로 형성하는 단계를 포함하는 전계효과트랜지스터 형 압력 센서의 제조 방법
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제16 항에 있어서,(a) 단계는(a1) 제1 형으로 도핑된 기판을 준비하는 단계;(a2) 이온주입법을 이용하여 상기 기판의 표면으로부터 내부 영역으로 제2 형 도펀트를 선택적으로 주입하는 단계를 포함하는전계효과트랜지스터 형 압력 센서의 제조 방법
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제16 항에 있어서,(a) 단계는(a1) 상기 기판의 제1 면 상에 유전막을 증착하는 단계; (a2) 상기 유전막을 패터닝하여, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역을 선택적으로 노출시키는 컨택홀을 형성하고, 상기 채널 영역 상부의 상기 제1 게이트 유전체층 및 상기 채널 영역을 제외한 영역 상부의 제1 절연성 유전체층을 형성하는 단계;(a3) 상기 컨택홀을 채우고 상기 제1 게이트 유전체층 및 상기 제1 절연성 유전체층을 덮는 전도성 박막을 증착하는 단계;(a4) 상기 전도성 박막을 선택적으로 패터닝하여, 상기 컨택홀을 통해 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 전기적으로 연결되는 소스 전극 라인 및 드레인 전극 라인을 형성하는 단계;(a5) 상기 제1 절연성 유전체층, 상기 소스 전극 라인 및 상기 드레인 전극 라인 중 적어도 하나 위에 지지 구조물 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는전계효과트랜지스터 형 압력 센서의 제조 방법
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