| 1 |
1
(a) 온도조건 278~328°K 및 습도조건 70% 미만으로 제어되며 시편이 안치되는 챔버, 상기 챔버 내 시편에 X선을 조사하는 평행빔 X선 조사장치 및 상기 챔버 내 시편을 투과하는 X선을 검출하는 검출장치를 포함하여 구성된 X선 분석 장치를 준비하는 단계;(b) 상기 챔버에 크기 0
|
| 2 |
2
제1항에서,상기 그래핀 시편은 에칭을 통해 기판의 일부를 제거한 시편(이하, 'A타입 시편'이라 함), 기판의 전부를 제거한 시편(이하, 'B타입 시편'이라 함), 상기 B타입 시편을 메쉬 또는 다공성 기판에 전사한 시편(이하, 'C타입 시편'이라 함) 및 상기 C타입 시편의 전사 기판에 에칭을 실시하여 제조한 시편(이하, 'D타입 시편'이라 함) 중 어느 하나를 적용한 것을 특징으로 하는 극 미세 두께를 갖는 그래핀에 대한 X선 투과 분석방법
|
| 3 |
3
제1항에서,상기 그래핀 시편은 판면의 일부가 제거된 기판에 미리 준비된 그래핀막을 물리적으로 얹은 것을 특징으로 하는 극 미세 두께를 갖는 그래핀에 대한 X선 투과 분석방법
|
| 4 |
4
제1항에서,상기 (a)단계는 상기 그래핀 시편에 X선을 조사하여 투과하지 못하고 반사되는 X선을 검출하는 제2검출장치를 함께 준비하고,상기 (c)단계는 상기 평행빔 X선 조사장치에서의 X선 조사각 및 상기 제2검출장치의 배치를 2θ(쎄타)-ω(오메가) 방법으로 설정하는 것을 특징으로 하는 극 미세 두께를 갖는 그래핀에 대한 X선 투과 분석방법
|
| 5 |
5
제4항에서,상기 (c)단계는 상기 그래핀 시편에 조사되는 X선의 각도를 하기 [조사각 도출식]에 따라 도출된 범위 내에서 설정하는 것을 특징으로 하는 극 미세 두께를 갖는 그래핀에 대한 X선 투과 분석방법
|
| 6 |
6
제4항에서,상기 (c)단계는 상기 그래핀 시편을 기준으로 상기 제2검출장치를 하기 [검출각 도출식]에 따라 도출된 각도범위 내에서 설치하는 것을 특징으로 하는 극 미세 두께를 갖는 그래핀에 대한 X선 투과 분석방법
|
