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기판;상기 기판 내부에 수소 이온 주입에 의해 형성되며, 금속 불순물을 게터링하는 게터링층; 및상기 기판의 일면 상에 형성된 에피택셜층을 포함하고, 상기 게터링층은 상기 수소 이온이 1×1015ions/㎠ 내지 1×1016ions/㎠의 도즈량으로 주입되어 형성된 이미지 센서용 웨이퍼
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청구항 1에 있어서, 상기 게터링층은 상기 기판의 표면으로부터 100㎚ 내지 3㎛의 깊이로 형성된 이미지 센서용 웨이퍼
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 게터링층은 Fe, Ni, Cu 및 Co를 포함하는 금속 불순물을 게터링하는 이미지 센서용 웨이퍼
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수소 이온을 주입하여 기판 내의 소정 깊이에 게터링층을 형성하는 단계; 및상기 기판 상에 에피택셜층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 수소 이온은 상기 기판 내에 캐비티가 형성되지 않는 범위의 도우즈량으로 주입되는 이미지 센서용 웨이퍼의 제조 방법
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청구항 4에 있어서, 상기 수소 이온을 주입하기 이전에 상기 기판 상에 절연층을 형성하고 상기 수소 이온 주입 후 상기 절연층을 제거하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서용 웨이퍼의 제조 방법
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청구항 4 또는 청구항 5에 있어서, 상기 수소 이온은 1×1015ions/㎠ 내지 1×1016ions/㎠의 도즈량으로 주입되는 이미지 센서용 웨이퍼의 제조 방법
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청구항 6에 있어서, 상기 수소 이온은 10keV 내지 300keV의 가속 전압으로 주입되며, 상기 게터링층은 상기 기판의 표면으로부터 100㎚ 내지 3㎛의 깊이로 형성되는 이미지 센서용 웨이퍼의 제조 방법
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8
기판;상기 기판 내부에 수소 이온 주입에 의해 형성되며, 금속 불순물을 게터링하는 게터링층;상기 기판의 일면 상에 형성된 에피택셜층;상기 에피택셜층 내의 소정 영역에 형성된 광전 변환부 및 플로팅 확산 영역;상기 에피택셜층 상의 소정 영역에 형성된 독출 소자;상기 에피택셜층 상의 소정 영역에 형성된 절연층 및 광투과부; 및상기 절연층 및 광투과부 상에 형성된 컬러 필터를 포함하고, 상기 게터링층은 상기 수소 이온이 상기 기판 내에 캐비티가 형성되지 않는 범위의 도우즈량으로 주입되어 형성된 이미지 센서
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청구항 8에 있어서, 상기 수소 이온은 1×1015ions/㎠ 내지 1×1016ions/㎠의 도즈량으로 주입하여 형성된 이미지 센서
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10
청구항 8 또는 청구항 9에 있어서, 상기 게터링층은 상기 기판의 표면으로부터 100㎚ 내지 3㎛의 깊이로 형성된 이미지 센서
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청구항 8 또는 청구항 9에 있어서, 상기 게터링층은 Fe, Ni, Cu 및 Co를 포함하는 금속 불순물을 게터링하는 이미지 센서
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