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하부 폭에 비해 상부 폭이 좁은 다면체를 포함하는 발광다이오드 및 이의 제조방법(Light emitting diode having polyhedron having upper width narrower than lower width and method for fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2016005919
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광다이오드 및 이의 제조방법을 제공한다. 상기 발광다이오드는 기판 및 상기 기판 상에 배치되고 하부 폭에 비해 상부 폭이 좁은 다면체를 구비한다. 상기 다면체 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층이 차례로 배치된다. 상기 제1 도전형 반도체층에 제1 전극이 전기적으로 연결된다. 상기 제2 도전형 반도체층에 제2 전극이 전기적으로 연결된다.
Int. CL H01L 33/36 (2010.01) H01L 33/20 (2010.01)
CPC H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1020140142018 (2014.10.20)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0008944 (2016.01.25) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140088471   |   2014.07.14
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.20)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동립 대한민국 서울특별시 서초구
2 장한민 대한민국 서울특별시 강남구
3 전민수 대한민국 서울특별시 광진구 군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-1000208-00
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-1039577-23
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2014.10.29 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.11.06 수리 (Accepted) 9-1-2014-0085819-20
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0804366-53
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-0026667-41
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0026669-32
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2015.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0016977-25
10 출원심사처리보류통지서
Notice of Deferment of Processing of Application Examination		 2015.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0310661-54
11 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2015.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0031564-80
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2015.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0436739-37
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0636700-57
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.06.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0636706-20
15 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2015.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0636718-78
16 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0616799-33
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-1085563-42
18 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.11.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1085602-35
19 등록결정서
Decision to grant		 2016.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0039787-07
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 폭에 비해 상부 폭이 좁은 결정성 실리콘 다면체;상기 다면체 상에 차례로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 소자층;상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 및상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극을 구비하고,상기 소자층의 두께는 상기 다면체의 높이에 비해 낮고, 상기 소자층이 형성된 구조체는 하부폭에 비해 상부폭이 좁은 형태를 갖는 발광다이오드
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제2 도전형 반도체층은 화합물 반도체층들인 발광다이오드
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제2 도전형 반도체층은 에피층들인 발광다이오드
4 4
제1항에 있어서,상기 다면체는 그의 최상부에 뾰족한 꼭지점 또는 모서리를 갖는 발광다이오드
5 5
제1항에 있어서,상기 다면체는 다수 개의 결정면들을 구비하는 발광다이오드
6 6
제5항에 있어서,상기 다면체는 기판 상에 배치되고,상기 다면체의 각 결정면이 상기 기판의 표면과 이루는 각은 상부로 갈수록 줄어드는 발광다이오드
7 7
제6항에 있어서,상기 다면체는 하부에서 상부방향으로 차례로 배치되고 상기 기판의 표면과 이루는 각을 기준으로 구분된 제1 결정면, 제2 결정면, 및 제3 결정면을 구비하고,상기 기판의 표면과 이루는 각이 제1 결정면에 비해 제2 결정면이 작고 제2 결정면에 비해 제3 결정면이 작은 발광다이오드
8 8
제5항에 있어서,상기 다면체는 그의 상부에 4개의 {111}면과 4개의 {111}면이 만나 이루어진 뾰족한 꼭지점을 구비하거나, 그의 상부에 2개의 {111}면과 2개의 {111}면이 만나 이루어진 모서리를 구비하거나, 그의 상부에 3개의 {111}면과 3개의 {111}면이 만나 이루어진 평면을 구비하는 발광다이오드
9 9
제8항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층은 [0002] 방향으로 성장된 GaN층인 발광다이오드
10 10
각 면이 결정면인 실리콘 다면체; 및상기 다면체 상에 차례로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 소자층;상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 및상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극을 구비하되,상기 소자층의 두께는 상기 다면체의 높이에 비해 낮고, 상기 소자층이 형성된 구조체는 하부폭에 비해 상부폭이 좁은 형태를 갖는 발광다이오드
11 11
제10항에 있어서,상기 다면체는 기판 상에 배치되고,상기 다면체의 각 결정면이 상기 기판의 표면과 이루는 각은 상부로 갈수록 줄어드는 발광다이오드
12 12
제11항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제2 도전형 반도체층은 화합물 반도체 에피층들인 발광다이오드
13 13
제11항에 있어서,상기 다면체는 그의 상부에 4개의 {111}면과 4개의 {111}면이 만나 이루어진 뾰족한 꼭지점을 구비하거나, 그의 상부에 2개의 {111}면과 2개의 {111}면이 만나 이루어진 모서리를 구비하거나, 그의 상부에 3개의 {111}면과 3개의 {111}면이 만나 이루어진 평면을 구비하는 발광다이오드
14 14
제13항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층은 [0002] 방향으로 성장된 GaN층인 발광다이오드
15 15
결정성 기판을 제공하는 단계;상기 결정성 기판을 식각하여 필라를 형성하는 단계;상기 필라 상에 베이스 반도체층을 에피택셜하게 성장시켜 결정성 다면체를 형성하는 단계;상기 결정성 다면체 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 소자층을 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법
16 16
제15항에 있어서,상기 베이스 반도체층을 에피택셜하게 성장시키기 전에,상기 필라를 수소 어닐링하는 것을 더 포함하는 발광다이오드 제조방법
17 17
제15항에 있어서,상기 필라를 식각하는 것은 이방성 식각법을 사용하는 발광다이오드 제조방법
18 18
제17항에 있어서,상기 필라를 식각하는 것은 상기 이방성 식각법을 수행한 후 등방성 식각법을 수행하는 발광다이오드 제조방법
19 19
제15항에 있어서,상기 기판은 실리콘 단결정 기판인 발광다이오드 제조방법
20 20
제19항에 있어서,상기 베이스 반도체층은 실리콘층인 발광다이오드 제조방법
21 21
제19항 또는 제20항에 있어서, 상기 기판은 003c#100003e# 방향, 003c#110003e# 방향, 또는 003c#111003e# 방향으로 성장된 기판인 발광다이오드 제조방법
22 22
제21항에 있어서,상기 기판은 003c#100003e# 방향으로 성장된 기판이고,상기 소자층은 에피택시얼하게 성장시키는 발광다이오드 제조방법
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2 미래창조과학부 (재)한국연구재단 원천기술개발사업 / 글로벌프론티어연구개발사업 / 지능형 바이오 시스템 설계 및 합성 연구 지능형 바이오 시스템 구축을 위한 효율적인 나노구조체 개발