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입력 신호를 증폭시키는 증폭부;상기 증폭부에 의해 증폭된 입력 신호의 주파수를 다른 주파수로 변환하는 주파수 혼합부; 및상기 증폭부와 상기 주파수 혼합부를 연결시키는 연결 회로부를 포함하되,상기 주파수 혼합부에 의해 사용된 전류가 상기 연결 회로부를 통하여 상기 증폭부로 흘러 상기 전류가 재사용되되, 상기 주파수 혼합부는, 전원전압에 상호 병렬로 연결되는 제 1 트랜지스터들을 포함하는 스위칭부; 및 상기 전원전압을 기준으로 상기 제 1 트랜지스터들과 병렬로 연결되는 제 2 트랜지스터를 포함하는 커런트 블리딩부를 포함하되, 상기 제 1 트랜지스터들 및 상기 제 2 트랜지스터가 만나는 지점의 노드가 상기 연결 회로부에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로
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제1항에 있어서, 상기 제 1 트랜지스터들의 벌크들로 각기 국부 발진 신호가 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로
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제1항에 있어서, 상기 연결 회로부는,상기 노드와 상기 증폭부의 제 3 트랜지스터 사이에 연결되는 인덕터; 및상기 제 1 트랜지스터들의 게이트들과 상기 제 3 트랜지스터의 드레인 사이에 각기 연결되는 제 1 캐패시터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 회로
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제4항에 있어서, 상기 연결 회로부는,상기 인덕터에 병렬로 연결되어 공진을 일으키는 제 2 캐패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 회로
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제1항에 있어서, 상기 증폭부는,상기 노드와 연결되는 제 3 트랜지스터;상기 제 3 트랜지스터의 게이트와 입력단 사이에 순차적으로 연결되는 제 1 인덕터 및 캐패시터; 및상기 제 3 트랜지스터의 소스와 접지 사이에 연결되는 제 2 인덕터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 회로
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입력 신호를 증폭시키는 증폭부;전원전압에 상호 병렬로 연결되는 제 1 트랜지스터들을 포함하는 스위칭부; 및 상기 전원전압을 기준으로 상기 제 1 트랜지스터들과 병렬로 연결되는 제 2 트랜지스터를 포함하는 커런트 블리딩부를 포함하며, 상기 제 1 트랜지스터들을 이용하여 상기 증폭부에 의해 증폭된 입력 신호의 주파수를 다른 주파수로 변환하는 주파수 혼합부; 및상기 증폭부와 상기 주파수 혼합부를 연결시키는 연결 회로부를 포함하되,국부 발진 신호들이 상기 제 1 트랜지스터들의 벌크들로 각기 입력되며, 상기 증폭부의 의해 증폭된 입력 신호가 상기 제 1 트랜지스터들의 게이트들로 각기 입력되고, 상기 제 1 트랜지스터들 및 상기 제 2 트랜지스터가 만나는 지점의 노드가 상기 연결 회로부에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로
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제7항에 있어서, 상기 연결 회로부는,상기 노드와 상기 증폭부의 제 3 트랜지스터 사이에 연결되는 인덕터; 및상기 제 1 트랜지스터들의 게이트들과 상기 제 3 트랜지스터의 드레인 사이에 각기 연결되는 캐패시터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 회로
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입력 신호를 증폭시키는 증폭부;제 1 트랜지스터들을 이용하여 상기 증폭부에 의해 증폭된 입력 신호의 주파수를 다른 주파수로 변환하는 주파수 혼합부; 및상기 증폭부와 상기 주파수 혼합부를 연결시키는 연결 회로부를 포함하되,상기 주파수 혼합부는,전원전압을 기준으로 상기 제 1 트랜지스터들과 병렬로 연결되는 제 2 트랜지스터를 포함하는 커런트 블리딩부를 더 포함하고,상기 제 1 트랜지스터들 및 상기 제 2 트랜지스터가 만나는 지점의 노드가 상기 연결 회로부에 연결되며, 상기 증폭부의 의해 증폭된 입력 신호가 상기 제 1 트랜지스터들의 게이트들로 각기 입력되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로
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제10항에 있어서, 상기 연결 회로부는,상기 노드와 상기 증폭부의 제 3 트랜지스터 사이에 연결되는 인덕터; 및상기 제 1 트랜지스터들의 게이트들과 상기 제 3 트랜지스터의 드레인 사이에 각기 연결되는 캐패시터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 회로
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