| 1 |
1
제1 도전형의 제1 반도체층;상기 제1 반도체층 상의 활성층;상기 활성층 상에 배치되는 제2 도전형의 제2 반도체층; 및상기 제2 반도체층 상에 직접 접촉(directly contact)하도록 배치되고, 상기 제2 반도체층보다 작은 굴절률을 갖는 코어부(core portion), 및 상기 코어부를 덮고 상기 코어부보다 작은 굴절률을 갖는 쉘부(shell portion)를 갖는 로드 구조체(rod structure)를 포함하되,상기 활성층에서 방출된 광은 상기 제2 반도체층, 상기 코어부 및 상기 쉘부를 순차적으로 투과하여 외부로 방출되는 발광 소자
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서, 상기 쉘부와 상기 코어부의 굴절률의 차이는 적어도 0
|
| 3 |
3
제1 항에 있어서, 상기 코어부 및 상기 쉘부는, 서로 다른 금속 산화물로 형성된 것을 포함하는 발광 소자
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서, 상기 코어부는 아연 산화물을 포함하고, 상기 쉘부는 알루미늄 산화물을 포함하는 발광 소자
|
| 5 |
5
제1 항에 있어서, 상기 로드 구조체는 상기 제2 반도체층 상에 복수로 제공되고, 상기 복수의 로드 구조체들은, 서로 이격되는 것을 포함하는 발광 소자
|
| 6 |
6
제1 항에 있어서,상기 쉘부는 알루미늄 산화물로 이루어지며, 상기 코어부는 아연 산화물로 이루어지며, 상기 쉘부와 상기 코어부의 굴절률의 차이는 적어도 0
|
| 7 |
7
제1 도전형의 제1 반도체층, 활성층 및 제2 도전형의 제2 반도체층이 차례로 적층된 구조물을 준비하는 단계;금속 및 산소를 포함하는 혼합액을 준비하는 단계;상기 혼합액을 상기 구조물의 상기 제2 반도체층 상에 제공하여, 상기 제2 반도체층 상에 직접 접촉하도록 금속 산화물로 형성되며 상기 제2 반도체층보다 작은 굴절률을 가지는 코어부를 제조하는 단계; 및상기 코어부를 덮으며, 상기 코어부보다 작은 굴절률을 가지는 쉘부를 형성하는 단계를 포함하되상기 활성층에서 방출된 광이 상기 제2 반도체층, 상기 코어부 및 상기 쉘부를 순차적으로 투과하여 외부로 방출되도록 이루어지는 발광 소자의 제조 방법
|
| 8 |
8
제7 항에 있어서, 상기 쉘부는 원자층 증착법으로 형성되는 것을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제7 항에 있어서, 상기 코어부는 아연 산화물로 형성되고, 상기 쉘부는 알루미늄 산화물로 형성되는 것을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
|
