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반도체 물질로 형성된 상부 전지; 상기 상부 전지와 전기적으로 분리되어 별도의 기전력을 발생시키고, 상기 상부 전지의 반도체 물질과 다른 반도체 물질로 형성된 하부 전지; 및 상기 상부 전지와 상기 하부 전지 사이에 형성되고, 상기 상부 전지에 입사되는 빛을 흡수없이 또는 흡수를 최소화하여 투과시키는 투명층;을 포함하고, 상기 하부 전지의 반도체 물질은 상기 하부 전지가 상기 투명층을 통해 상기 상부 전지와 전기적으로 분리됨으로 인해 상기 상부 전지의 반도체 물질의 격자 상수와 다른 격자 상수를 가질 수 있고, 상기 하부 전지의 반도체 물질은 Si, GaSb 및 InGaAs 중 적어도 어느 하나이고, 상기 상부 전지의 반도체 물질은 GaInP 및 GaAs 계열의 화합물인 것 을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 하부 전지의 반도체 물질은 상기 상부 전지의 반도체 물질의 밴드갭 에너지보다 작은 밴드갭 에너지를 가지는 것 을 특징으로 하는 태양전지
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제3항에 있어서, 상기 하부 전지의 반도체 물질은 밴드갭 에너지가 1eV 내지 1
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제1항에 있어서, 상기 상부 전지의 반도체 물질은 밴드갭 에너지가 상이한 복수의 반도체 물질인 것 을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 상부 전지 또는 상기 하부 전지의 반도체 물질은 다중 접합을 통해 형성하는 것 을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 상부 전지는 기판, 상기 기판 일면에 형성되는 제2전지층 및 상기 제2전지층에 형성되어 상기 제2전지층의 반도체 물질과 상이한 반도체 물질로 구성된 제1전지층을 포함하는 것 을 특징으로 하는 태양전지
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제9항에 있어서, 상기 제1전지층은 상기 제2전지층의 반도체 물질보다 더 큰 밴드갭 에너지를 가지는 반도체 물질로 형성된 것 을 특징으로 하는 태양전지
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제9항에 있어서, 상기 제1전지층과 제2전지층 중 적어도 어느 하나는 전자정공 트랩 방지층을 포함하는 것 을 특징으로 하는 태양전지
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제9항에 있어서, 상기 제1전지층에 형성되고 저항 접합을 이루는 컨택층; 상기 컨택층상에 형성된 제1금속층;을 더 포함하는 것 을 특징으로 하는 태양전지
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제12항에 있어서, 상기 제1금속층상에 형성된 반사 방지막을 포함하는 것 을 특징으로 하는 태양전지
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제12항에 있어서, 상기 기판 타면에 형성된 제2금속층을 포함하는 것 을 특징으로 하는 태양전지
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제14항에 있어서, 상기 제1금속층은 패턴을 포함하고, 상기 제2금속층은 상기 제1금속층의 패턴과 서로 정렬되어 동일한 간격을 가지는 패턴을 포함하는 것 을 가지는 패턴 특징으로 하는 태양전지
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제15항에 있어서, 상기 하부 전지는 기전력을 발생시키는 제3전지층 및 상기 제3전지층 일면에 형성된 제3금속층을 포함하는 것 을 특징으로 하는 태양전지
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제16항에 있어서, 상기 제3금속층은 상기 제1금속층의 패턴 및 상기 제2금속층의 패턴과 서로 정렬되어 동일한 간격을 가지는 패턴을 포함하는 것 을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 투명층은 투명성 및 절연성을 갖는 소재인 것 을 특징으로 하는 태양전지
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제18항에 있어서, 상기 투명층은 PMMA 또는 PDMS로 구성된 것 을 특징으로 하는 태양전지
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제19항에 있어서, 상기 PMMA 투명층은 클로로포름(CHCl3)에 대하여 PMMA를 1
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제1항에 있어서, 상기 하부 전지와 전기적으로 분리되어 별도의 기전력을 발생시키는 제4전지층; 및 상기 하부 전지와 제4전지층 사이에 형성된 투명층;을 더 포함하는 것 을 특징으로 하는 태양전지
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