맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

도펀트의 선택적 인쇄에 따른 트랜지스터 제조방법(Manufacturing method of transitor using selective print of dopant)

  • 기술번호 : KST2016006007
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 도펀트의 선택적 인쇄에 따른 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로 트랜지스터의 제조를 위해 기판 상에 반도체층을 형성하며, 상기 반도체층상에 도펀트를 형성하되, 상기 도펀트의 형성은 잉크젯 프린팅을 이용하여 n형 도펀트 또는 p형 도펀트를 선택적으로 인쇄하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 27/32 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020140090254 (2014.07.17)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1616190-0000 (2016.04.21)
공개번호/일자 10-2016-0010690 (2016.01.28) 문서열기
공고번호/일자 (20160513) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.17)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 노용영 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강일신 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층 혜산빌딩(양재동)(시공특허법률사무소)
2 백두진 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0671844-43
2 보정요구서
Request for Amendment		 2014.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0125877-25
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2014.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0707924-86
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.12.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0012702-33
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0405095-70
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0647653-03
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-1137383-84
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1248386-91
10 보정요구서
Request for Amendment		 2015.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0195743-25
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0000925-63
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0066281-93
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0066237-94
14 등록결정서
Decision to grant		 2016.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0273896-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
트랜지스터의 제조를 위해 기판 상에 반도체층을 형성하며, 상기 반도체층상에 도펀트를 형성하되,상기 도펀트의 형성은 반도체층 형성 후 잉크젯 프린팅을 이용하여 n형 도펀트 또는 p형 도펀트를 선택적으로 인쇄하여 상기 반도체층의 일부분을 차지하도록 하는 데, 상온에서 도펀트를 포함한 용매가 반도체층을 녹여 반도체층의 일부분을 차지하도록 하며,상기 도펀트는 n형 도펀트로 CsF(Cesium Fluoride), BEDT-TTF (bis(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene), TTN (tetrathianaphthacene), CoCp2 (bis(cyclopentadienyl)-cobalt(II)), Cr2(hpp)4 (chromium with the anion of 1,3,4,6,7,8-hexahydro-2H-pyrimido[1,2-a]pyrimidine (hpp)), W2(hpp)4 (tungsten with the anion of 1,3,4,6,7,8-hexahydro-2H-pyrimido[1,2-a]pyrimidine (hpp)), pyronin B chloride, acridine orange base [3,6-bis(dimethylamino)acridine (AOB)], leuco bases like leuco crystal violet (LCV), (nDMBI) (4-(1,3-dimethyl-2,3-dihydro-1H-benzoimidazol-2 yl)phenyl)dimethylamine, (o-MeO-DMBI-I) 2-(2-methoxyphenyl)-1,3-dimethyl-1H-benzoimidazol-3-ium iodide 중에서 1이상 선택되며,p형 도펀트로 F2-HCNQ (3,6-difluoro-2,5,7,7,8,8-hexacyanoquinodimethane), MoO3 (Molybdenum trioxide), WO3 (Tungsten trioxide) 중에서 1이상 선택되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 n형 도펀트 또는 p형 도펀트는 클로로벤젠(Chlorobenzene), 클로로포름(Chloroform), 트리클로로벤젠(Trichlorobenzene), 테트라히드로퓨란(Tetrahydrofuran), 디클로로벤젠(Dichlorobenzene), 디클로로에탄(Dichloroethane) 중 어느 하나의 용매로 녹여 잉크젯 프린팅에 이용하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
4 4
제1항에 있어서,반도체층 중에서 도펀트가 포함되어 있는 부분에서의 도펀트의 양은 0
5 5
기판을 준비하는 단계;상기 기판위에 소스/드레인 전극을 형성시키는 S/D전극형성단계;상기 소스/드레인 전극 상에 반도체층을 형성시키는 반도체층 형성단계;상기 반도체층의 일부에 도펀트층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상에 절연층을 형성하는 절연층 형성단계; 및상기 절연층 상에 게이트 전극을 형성시키는 게이트전극 형성단계를 포함하되,상기 도펀트층 형성은 잉크젯 프린팅을 이용하여 반도체층 상에 인쇄를 통해 선택적으로 형성하되, 반도체층 형성 후 도펀트를 선택적으로 인쇄하여 상기 반도체층의 일부분을 차지하도록 하는 데, 상온에서 도펀트를 포함한 용매가 반도체층을 녹여 반도체층의 일부분을 차지하도록 하며,상기 도펀트층에 형성되는 도펀트는 n형 도펀트로 CsF(Cesium Fluoride), BEDT-TTF (bis(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene), TTN (tetrathianaphthacene), CoCp2 (bis(cyclopentadienyl)-cobalt(II)), Cr2(hpp)4 (chromium with the anion of 1,3,4,6,7,8-hexahydro-2H-pyrimido[1,2-a]pyrimidine (hpp)), W2(hpp)4 (tungsten with the anion of 1,3,4,6,7,8-hexahydro-2H-pyrimido[1,2-a]pyrimidine (hpp)), pyronin B chloride, acridine orange base [3,6-bis(dimethylamino)acridine (AOB)], leuco bases like leuco crystal violet (LCV), (nDMBI) (4-(1,3-dimethyl-2,3-dihydro-1H-benzoimidazol-2 yl)phenyl)dimethylamine, (o-MeO-DMBI-I) 2-(2-methoxyphenyl)-1,3-dimethyl-1H-benzoimidazol-3-ium iodide 중에서 1이상 선택되며,p형 도펀트로 F2-HCNQ (3,6-difluoro-2,5,7,7,8,8-hexacyanoquinodimethane), MoO3 (Molybdenum trioxide), WO3 (Tungsten trioxide) 중에서 1이상 선택되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
6 6
삭제
7 7
제5항에 있어서,상기 n형 도펀트 또는 p형 도펀트는 클로로벤젠(Chlorobenzene), 클로로포름(Chloroform), 트리클로로벤젠(Trichlorobenzene), 테트라히드로퓨란(Tetrahydrofuran), 디클로로벤젠(Dichlorobenzene), 디클로로에탄(Dichloroethane) 중 어느 하나의 용매로 녹여 잉크젯 프린팅에 이용하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
8 8
제5항에 있어서,도펀트층 형성단계에서 도펀트의 양은 0
9 9
제5항에 있어서,상기 반도체층은 유기반도체, 금속산화물 반도체 및 탄소화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 유기반도체는 양쪽성 유기반도체, n형 유기반도체 및 p형 유기반도체 중 어느 하나로 이루어지며,상기 양쪽성 유기반도체는 PCBM([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester), P(NDI2OD-T2) (Naphthalene-bis(dicarboximide) bithiophene), F8BT (poly[(9,9-di-n-octylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-(benzo[2,1,3]thiadiazol-4,8-diyl)]), PFO (poly(9,9-dioctylfluorene)), DPPT-TT(diketopyrrolo-pyrrole-bithiophene) 및 PTVPhI-Eh (poly(thienylenevinylene-cophthalimide) functionalized with dodecyl at the imide nitrogen) 중 어느하나로 선택되고,상기 n형 유기 반도체는 아센계 물질, 완전 불화된 아센계 물질, 부분 불화된 아센계 물질, 부분 불화된 올리고티오펜(oligothiophene)계 물질, 플러렌(fullerene)계 물질, 치환기를 갖는 플러렌계 물질, 완전 불화된 프탈로시아닌(phthalocyanine)계 물질, 부분 불화된 프탈로시아닌계 물질, 페릴렌 테트라카르복실릭 디이미드(perylene tetracarboxylic diimide)계 물질, 페릴렌 테트라카르복실 디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride)계 물질, 나프탈렌 테트라카르복실릭 디이미드(naphthalene tetracarboxylic diimide)계 물질 및 나프탈렌 테트라카르복실릭 디안하이드라이드(naphthalene tetracarboxylic dianhydride)계 물질 중에서 어느 하나로 선택되며,상기 p형 유기반도체는 아센(acene), 폴리-티에닐렌비닐렌(poly-thienylenevinylene), 폴리-3-헥실티오펜(poly-3-hexylthiophen), 알파-헥사티에닐렌(α-hexathienylene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜(α-6-thiophene), 알파-4-티오펜 (α-4-thiophene), 루브렌(rubrene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리파라페닐렌비닐렌 (polyparaphenylenevinylene), 폴리파라페닐렌(polyparaphenylene), 폴리티오펜비닐렌(polythiophenevinylene), 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체(polythiophene-heterocyclicaromatic copolymer), 트리아릴아민(triarylamine) 중에서 어느하나로 선택되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
11 11
제9항에 있어서,상기 금속산화물 반도체는 아연산화물(ZnOx), 인듐산화물(InOx), 인듐갈륨아연산화물(IGZO), 인듐주석산화물(ITO) 산화물 중 어느 하나로 선택되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
12 12
제9항에 있어서,상기 탄소화합물 반도체는 반도체성 탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀(Graphene) 나노리본으로부터 선택되는 트랜지스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09997709 US 미국 FAMILY
2 US20170200889 US 미국 FAMILY
3 WO2016010332 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2017200889 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9997709 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2016010332 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 동국대학교 나노기반 소프트일렉트로닉스 연구단 (글로벌프론티어사업) 소프트전자회로 및 센서회로 개발