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압출금형의 표면을 에칭 처리하는 1단계;에칭처리한 압출금형의 표면에 질화물 또는 황화물을 포함하는 화합물을 증착하여 접착층을 형성하는 2단계;상기 접착층의 표면을 에칭 처리하는 3단계; 및에칭처리한 접착층을 포함하는 압출금형을 질화 처리 또는 질탄화 처리하여 질화층 또는 질탄화층을 형성하는 4단계;를 포함하는 압출금형의 표면처리방법
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제1항에 있어서, 상기 1단계 및 2단계의 에칭 처리는 이온 건식 에칭처리 또는 진공 플라즈마 에칭처리인 것을 특징으로 하는 압출금형의 표면처리방법
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제2항에 있어서, 상기 이온 건식 에칭처리는 아르곤 가스 하에서, 500V ~ 1,000V의 전압을 인가하여 수행하는 것을 특징으로 하는 압출금형의 표면처리방법
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제2항에 있어서, 상기 진공 플라즈마 에칭처리는 아르곤과 산소를 0
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제1항에 있어서, 상기 질화물 CrN, Cr2N, AlN, Mo2N, WN 및 VN로 이루어진 군 중 1종 이상을 포함하고, 상기 황화물은 FeS, CoS, NiS, CuS 및 MoS로 이루어진 군 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 압출금형의 표면처리방법
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제1항에 있어서, 상기 2단계의 증착은 스퍼터링(sputtering) 증착, PVD (Physical Vapor Deposition) 또는 CDV(chemical vapor deposition)으로 수행하는 것을 특징으로 하는 압출금형의 표면처리방법
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제1항에 있어서, 상기 질화 처리는 질소(N2) 및 수소(H2)를 1 : 0
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제1항에 있어서, 상기 질탄화 처리는 질소(N2), 수소(H2), 및 질소와 이산화탄소(CO2)의 혼합가스를 1 : 0
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압출금형; 상기 압출금형의 일면에 질화물 또는 황화물을 포함하는 화합물이 증착된 접착층; 및 상기 접착층의 타면에 형성된 질화층 또는 질탄화층; 을 포함하고,상기 압출금형과 접착층의 접착면 및 접착층과 질화층의 접착면은 각각 에칭시켜 표면처리된 것을 특징으로 하는 압출금형
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제9항에 있어서, 상기 압출금형은 SUS, SACM, SCM, SKD 또는 SNCM을 포함하는 합금공구강인 것을 특징으로 하는 표면처리된 압출금형
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제9항에 있어서, 상기 질화층 또는 질탄화층의 평균 두께는 50 ㎛ ~ 200 ㎛이고, 상기 접착층의 평균 두께는 0
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12
제9항에 있어서, 상기 표면처리된 압출금형은 KS B 0811:2003에 의거하여 로크웰경도 측정시, 상기 압출금형의 표면으로부터 내부 깊이 0
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제9항에 있어서, 상기 압출금형의 평균표면조도(Rt)가 1
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