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반도체 광전자 소자 및 그 제조방법(OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME)

  • 기술번호 : KST2016006492
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 반도체 광전자 구조체의 배면에, 그래핀층 및 상기 그래핀층 위에 형성된 카본나노튜브층을 포함하는 열전도층을 포함함으로써, 종래 기판과 반도체 광전자 구조체 사이의 격자상수 및 열팽창 계수의 차이로 인해 발생하는 관통 전위 및 스트레인이 감소되고 열 분산은 개선되어 향상된 소자 효율을 나타낼 수 있는 반도체 광전자 소자가 제공된다.
Int. CL H01L 29/16 (2006.01) H01L 33/64 (2010.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01)
CPC H01L 33/641(2013.01) H01L 33/641(2013.01) H01L 33/641(2013.01) H01L 33/641(2013.01)
출원번호/일자 1020150089435 (2015.06.24)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0016586 (2016.02.15) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140099280   |   2014.08.01
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.24)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서은경 대한민국 전라북도 전주시 완산구
2 서태훈 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 박아현 대한민국 전라북도 익산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 천지 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0610217-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0238478-61
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.05.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0521420-49
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-0521426-12
6 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2016.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0771472-01
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-1126783-10
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.11.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-1126762-62
9 등록결정서
Decision to grant
2017.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0280831-40
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판,상기 기판 위에 위치하는 열전도층, 및 상기 열전도층 위에 위치하는 반도체 광전자 구조체를 포함하며, 상기 열전도층은 그래핀(graphene)을 포함하는 그래핀층, 그리고 상기 그래핀층과 반도체 광전자 구조체 사이에 형성되며, 카본나노튜브(carbon nanotube)를 포함하는 카본나노튜브층을 포함하고,상기 반도체 광전자 구조체는 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층이 순차로 적층된 다층 구조체를 포함하는 것인 반도체 광전자 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 그래핀층에서의 그래핀과 카본나노튜브층에서의 카본나노튜브가 접하는 계면에서의 표면에너지(surface energy)와, 그래핀과 카본나노튜브가 접하지 않는 부분에서의 표면에너지는 차이가 있는 반도체 광전자 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 카본나노튜브는 500nm 이하의 평균직경 및 10 내지 20㎛의 길이를 갖는 것인 반도체 광전자 소자
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 제1도전형 반도체층이 n형 반도체층이고, 상기 제2도전형 반도체층이 p형 반도체층인 반도체 광전자 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 반도체 광전자 구조체가 상기 제1도전형 반도체층과 상기 열전도층 사이에 위치하는 질화물 반도체층을 더 포함하는 것인 반도체 광전자 소자
7 7
제6항에 있어서,상기 질화물 반도체층이 수평성장된 질화물 반도체를 포함하는 것인 반도체 광전자 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 반도체 광전자 구조체가 상기 제2도전형 반도체층 위에 위치하는 반사층 또는 투명전극을 더 포함하는 것인 반도체 광전자 소자
9 9
기판 위에 그래핀을 포함하는 그래핀층 및 상기 그래핀층 위에 카본나노튜브를 포함하는 카본나노튜브층을 순차로 형성하여 열전도층을 형성하는 단계; 그리고 상기 열전도층 위에 반도체 광전자 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 광전자 소자의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 열전도층 형성 단계는 기판 위에 스카치테입법, 전사법 또는 스핀코팅법을 이용하여 그래핀층을 형성한 후, 상기 그래핀층 위에 스핀코팅법을 이용하여 카본나노튜브층을 형성하는 공정에 의해 실시되는 것인 반도체 광전자 소자의 제조방법
11 11
제9항에 있어서,상기 반도체 광전자 구조체의 형성 단계 후, 상기 열전도층의 배면에 위치하는 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 반도체 광전자 소자의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 전북대학교 여성과학자지원사업 신물질-나노구조 융합 AIInGaN 기반 UV-LED 핵심 기반기술연구
2 교육부 전북대학교 기초연구실육성사업 나노리소그라피 기반 LED 기초연구실