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애노드; 상기 애노드에 대향하는 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 제공된 발광층을 포함하고,상기 애노드는 도전성 고분자, 플루오르계 고분자, 및 금속 나노 입자를 포함하는 유기 발광 소자
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제1 항에 있어서,상기 플루오르계 고분자는 상기 발광층과 가까울수록 상기 애노드 내 농도가 증가하는 유기 발광 소자
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제2 항에 있어서,상기 플루오르계 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 유기 발광 소자
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제2 항에 있어서,상기 플루오르계 고분자는 하기 화학식 2로 표시되는 유기 발광 소자
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제2 항에 있어서,상기 플루오르계 고분자는 하기 화학식 3으로 표시되는 유기 발광 소자
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제2 항에 있어서,상기 플루오르계 고분자는 하기 화학식 4으로 표시되는 유기 발광 소자
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제3 항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전성 고분자는 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리스티렌, 술폰화된 폴리스티렌, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 셀프-도핑 도전성 고분자, 이들의 유도체 및 이들의 조합 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 소자
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제7 항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 상기 애노드에 균일하게 분산된 유기 발광 소자
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제7 항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 상기 발광층으로부터 먼 상기 애노드의 계면에 접하도록 제공된 유기 발광 소자
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제7 항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 Au, Ag, Cu, Pt, Pd, Ru, 및 Re 나노 입자 중 적어도 어느 하나인 유기 발광 소자
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제10 항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 5 내지 50 nm 크기를 갖는 유기 발광 소자
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제10 항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 구, 큐브, 플레이트, 케이지의 형태를 갖는 유기 발광 소자
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제1 항에 있어서,상기 애노드는 투명 도전 물질을 포함하는 전극부; 및 상기 전극부 및 상기 발광층 사이에 제공된 정공 주입부를 포함하는 유기 발광 소자
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제13 항에 있어서,상기 정공 주입층은 상기 금속 나노 입자, 상기 도전성 고분자, 및 상기 플루오르계 고분자를 포함하는 유기 발광 소자
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제14 항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 상기 정공 주입부에 균일하게 분산된 유기 발광 소자
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제14 항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 상기 애노드와 인접한 상기 정공 주입층의 계면에 제공된 유기 발광 소자
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기판 상에 금속 나노 입자, 도전성 고분자 및 플루오르계 고분자를 포함하는 애노드를 형성하는 단계;상기 애노드 상에 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 상에 캐소드를 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법
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제17 항에 있어서,상기 애노드를 형성하는 단계는 상기 금속 나노 입자, 상기 도전성 고분자, 및 상기 플루오르계 고분자를 혼합한 용액을 상기 기판 상에 형성한 후 상기 도전성 고분자와 상기 플루오르계 고분자를 미세 상분리시키는 단계를 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법
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제17 항에 있어서,상기 애노드를 형성하는 단계는 금속 나노 입자를 상기 기판 상에 형성하고, 상기 도전성 고분자와 상기 플루오르계 고분자를 혼합한 용액을 상기 기판 상에 형성한 후, 상기 도전성 고분자와 상기 플루오르계 고분자를 미세 상분리시키는 단계를 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법
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제17 항에 있어서,상기 애노드를 형성하는 단계는투명 도전 물질로 전극부를 형성하고, 상기 금속 나노 입자, 상기 도전성 고분자, 및 상기 플루오르계 고분자로 정공 주입부를 형성하는 것을 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법
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