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게이트 전극의 위에 형성된 게이트 절연체;상기 게이트 절연체의 위에 형성되고, 소스 전극과 드레인 전극 사이에 형성된 채널; 및상기 채널의 위에 형성되고, 입사 광에 따라 광 전하를 생성하는 유기 광전 변환 소자를 포함하는 광 전하 저장 소자
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제1항에 있어서,상기 채널은 상기 유기 광전 변환 소자에 의해 생성된 상기 광 전하를 축적하는 광 전하 저장 소자
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제2항에 있어서,상기 채널에 축적된 광 전하는, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 전압에 응답하여, 상기 채널을 통하여 리드아웃(read out)되는 광 전하 저장 소자
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제2항에 있어서,상기 채널에 축적된 광 전하는, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 중에서 어느 하나로 공급되는 전압과 상기 게이트 전극으로 공급되는 전압의 차이에 기초하여, 상기 채널을 통하여 리드아웃되는 광 전하 저장 소자
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제1항에 있어서,상기 채널이 N-타입인 경우, 진공 레벨을 기준으로, 상기 채널의 전도대는 상기 유기 광전 변환 소자의 전도대보다 크고 상기 채널의 가전자대는 상기 유기 광전 변환 소자의 가전자대보다 큰 광 전하 저장 소자
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제1항에 있어서,상기 채널이 P-타입인 경우, 진공 레벨을 기준으로, 상기 채널의 전도대는 상기 유기 광전 변환 소자의 전도대보다 작고 상기 채널의 가전자대는 상기 유기 광전 변환 소자의 가전자대보다 작은 광 전하 저장 소자
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제1항에 있어서, 상기 광 전하 저장 소자는,상기 게이트 전극의 아래에 형성되고, 접속 노드를 포함하는 반도체 기판; 및상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 중에서 어느 하나와 상기 접속 노드를 접속하는 비아를 더 포함하는 광 전하 저장 소자
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광 전하 저장 소자; 및상기 광 전하 저장 소자의 작동을 제어하는 로우 드라이버를 포함하고상기 광 전하 저장 소자는,게이트 전극의 위에 형성된 게이트 절연체;상기 게이트 절연체의 위에 형성되고, 소스 전극과 드레인 전극 사이에 형성된 채널; 및상기 채널의 위에 형성되고, 입사 광에 응답하여 광 전하를 생성하는 유기 광전 변환소자를 포함하는 이미지 센서
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제8항에 있어서,상기 채널이 N-타입인 경우, 상기 채널의 에너지 대역은 상기 유기 광전 변환 소자의 에너지 대역보다 크고, 상기 채널이 P-타입인 경우, 상기 채널의 에너지 대역은 상기 유기 광전 변환 소자의 에너지 대역보다 작은 이미지 센서
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이미지 센서; 및상기 이미지 센서의 작동을 제어하는 프로세서를 포함하고,상기 이미지 센서는,광 전하 저장 소자; 및상기 광 전하 저장 소자의 작동을 제어하는 로우 드라이버를 포함하고상기 광 전하 저장 소자는,게이트 전극의 위에 형성된 게이트 절연체;상기 게이트 절연체의 위에 형성되고, 소스 전극과 드레인 전극 사이에 형성된 채널; 및상기 채널의 위에 형성되고, 입사 광에 응답하여 광 전하를 생성하는 유기 광전 변환소자를 포함하는 휴대용 전자 장치
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