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니켈-아연 포켓 타입 전지의 제조방법(MANUFACTURE METHOD OF POCKET TYPE Ni-Zn BATTERY)

  • 기술번호 : KST2016006660
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 니켈-아연 포켓 타입 전지에 사용되는 음극 활물질을 개질하여 음극 활물질이 스트립 내부에서 쉽게 이탈되지 않도록 하고, 음극과 양극의 분리막에 고분자 용액을 코팅하여 활물질 분말의 유출을 방지하여 수명을 연장시킬 수 있는 니켈-아연 포켓 타입 전지의 제조방법을 제공하는 것이다.본 발명은 (a) 표면이 천공된 두 장의 Ni 스트립(strip)을 ㄷ자 형태의 요철가공을 한 후에 맞대어 삽입홀이 형성된 포켓 형태로 제작하는 단계; (b) 삽입홀의 내부로 활물질을 균일하게 충진하는 단계; (c) 금속판에 외력을 가하여 2장의 금속판을 캡슐화된 음극 또는 양극 활물질에 접촉시키는 단계; (d) 관통공이 외부로 돌출된 러그와 사이드 비드 사이에 필요한 용량만큼 상기 스트립을 삽입하고, 결합시켜 1개의 극판을 제작하는 단계; 및 (e) 완성된 극판을 전지 용량에 맞게 음극, 분리막 및 양극을 교대로 적층하여, 극판 군조립하고 극주 단자를 외부 단자와 연결하는 단계; (f) 군조립된 극판을 케이스의 내부에 전해액을 채우는 단계를 포함하는 니켈-아연 포켓 타입 전지의 제조방법에 있어서, 양극 활물질은 Ni(OH)2, CoO, Carbon을 혼합하여 사용하면서 500~700 ㎛의 입자로 제조되고, 음극 활물질은 ZnO(S), AB, Ca(OH)2, Bi2O3, Acrylic Binder를 사용하면서 Ni 스트립의 표면의 천공 크기보다 큰 입자로 성형되며, 전해액은 ZnO로 포화된 EG-EKNL(KOH:NaOH:LiOH=3:2:1)인 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01M 10/34 (2006.01) H01M 4/26 (2006.01) H01M 4/32 (2006.01) H01M 10/28 (2006.01) H01M 10/30 (2006.01)
CPC H01M 10/28(2013.01) H01M 10/28(2013.01) H01M 10/28(2013.01) H01M 10/28(2013.01) H01M 10/28(2013.01) H01M 10/28(2013.01) H01M 10/28(2013.01) H01M 10/28(2013.01) H01M 10/28(2013.01) H01M 10/28(2013.01) H01M 10/28(2013.01) H01M 10/28(2013.01) H01M 10/28(2013.01) H01M 10/28(2013.01) H01M 10/28(2013.01)
출원번호/일자 1020140099069 (2014.08.01)
출원인 서울과학기술대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1641483-0000 (2016.07.15)
공개번호/일자 10-2016-0017243 (2016.02.16) 문서열기
공고번호/일자 (20160722) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.01)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울과학기술대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김래현 대한민국 서울 송파구
2 박동필 대한민국 경기도 의왕시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전종일 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, 신관 ***호 (역삼동, 과학기술회관)(리더스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울과학기술대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0731999-07
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.01.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0009963-61
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2015-5084292-58
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5111449-53
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0593533-22
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-1063944-29
8 보정요구서
Request for Amendment
2015.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0169691-95
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-1103975-62
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1166170-35
11 보정요구서
Request for Amendment
2015.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0183259-13
12 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-1198507-12
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-1292210-41
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0084317-60
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.01.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0084229-40
16 등록결정서
Decision to grant
2016.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0470909-24
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 표면이 천공된 두 장의 Ni 스트립(strip)을 ㄷ자 형태의 요철가공을 한 후에 서로 맞대어 삽입홀이 형성된 포켓 형태로 제작하는 단계; (b) 삽입홀의 내부로 준비된 활물질을 균일하게 충진하는 단계; (c) 금속판에 외력을 가하여 2장의 금속판을 캡슐화된 음극 또는 양극 활물질에 접촉시키는 단계; (d) 관통공이 외부로 돌출된 러그와 사이드 비드 사이에 필요한 용량만큼 상기 스트립을 삽입하고, 결합시켜 1개의 극판(Plate) 제작하는 단계; 및 (e) 완성된 극판을 전지 용량에 맞게 음극, 분리막(separate) 및 양극을 교대로 적층하여, 극판 군조립하고 극주 단자를 외부 단자(Terminal Post)와 연결하는 단계; (f) 군조립된 극판을 케이스의 내부에 전해액을 채우는 단계를 포함하는 니켈-아연 포켓 타입 전지의 제조방법에 있어서, 양극 활물질은 Ni(OH)2, CoO, Carbon을 혼합하여 사용하면서 500~700 ㎛의 입자로 제조되고, 음극 활물질은 ZnO(S), AB, Ca(OH)2, Bi2O3, Acrylic Binder를 사용하면서 Ni 스트립의 표면의 천공 크기보다 큰 입자로 성형되며, 전해액은 ZnO로 포화된 EG-EKNL(KOH:NaOH:LiOH=3:2:1)인 것을 특징으로 하는 니켈-아연 포켓 타입 전지의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 양극 활물질은 전체 중량을 기준으로 Ni(OH)2 85중량%, CoO 7중량%, Carbon 8중량%가 사용되고, 음극 활물질은 전체중량을 기준으로 ZnO(S) 89
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청구항 1에 있어서, 음극과 양극의 표면 또는 분리막에 PAAK(Polyacrylic Acid partial Potasium Salt) 고분자 용액을 코팅한 것을 특징으로 하는 니켈-아연 포켓 타입 전지의 제조방법
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