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임플란트의 표면처리방법에 있어서,임플란트를 챔버에 장입하는 단계;챔버내에 산소를 배제한 상태에서 적어도 질소가 포함된 가스를 주입하는 단계;상기 질소가 포함된 가스가 주입된 상태에서 임플란트의 표면에 UV를 조사하여 표면처리하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질소분위기에서의 임플란트의 표면처리방법
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제1항에 있어서,상기 임플란트 재료는 티타늄 또는 티타늄 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 질소분위기에서의 임플란트의 표면처리방법
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제2항에 있어서,상기 임플란트 재료의 표면에는 TiO2 산화층이 형성된 것을 특징으로 하는 질소분위기에서의 임플란트의 표면처리방법
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제3항에 있어서,상기 임플란트 표면의 산화층 형성 방법은 자연적 산화층 및 물리·화학적 처리를 통해 형성되는 산화층 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질소분위기에서의 임플란트의 표면처리방법
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제1항에 있어서,상기 질소가스 주입과 UV를 조사하는 것은 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하는 질소분위기에서의 임플란트의 표면처리방법
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제1항에 있어서,상기 UV는 184nm(UVC), 254nm(UVB) 및 365nm(UVA)의 파장대 중 어느 하나의 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 질소분위기에서의 임플란트의 표면처리방법
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제6항에 있어서,상기 UV는 각 파장을 갖는 UV를 조합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 질소분위기에서의 임플란트의 표면처리방법
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제8항에 있어서,상기 UV 처리시 사용되는 UV lamp는 20 ~ 1000W 이하 범위의 전력값을 갖는 것을 특징으로 하는 질소분위기에서의 임플란트의 표면처리방법
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제1항에 있어서,상기 UV 처리되는 영역은 임플란트의 산화층 또는 산화층 하부의 임플란트 표면인 것을 특징으로 하는 질소분위기에서의 임플란트의 표면처리방법
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제1항에 있어서,상기 질소가 포함된 가스의 질소 함량이 부피% 기준으로 30 ~ 99
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제1항에 있어서,상기 질소가 포함된 가스의 주입량이 0
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제1항에 있어서,상기 표면 처리하는 단계에서 표면 처리시간은 6 ~ 24시간인 것을 특징으로 하는 질소분위기에서의 임플란트의 표면처리방법
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제1항에 있어서,표면 처리된 임플란트의 표면은 Ti-N 결합이 포함되는 것을 특징으로 하는 질소분위기에서의 임플란트의 표면처리방법
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제13항에 있어서,상기 Ti-N 결합이 포함되는 임플란트는 표면처리되지 않은 임플란트의 표면에 비하여 단백질 부착, 세포 증식 및 분화가 개량되는 것을 특징으로 하는 질소분위기에서의 임플란트의 표면처리방법
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제1항에 있어서,상기 표면 처리된 임플란트는 치과용, 정형외과용 임플란트인 것을 특징으로 하는 질소분위기에서의 임플란트의 표면처리방법
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