| 1 |
1
(a) 기판상에 희토류 금속을 포함하는 전구체를 공급하는 단계;(b) 상기 기판상에 희토류 금속이 결합한 후 남은 전구체의 불순물을 퍼징(purging)하는 단계;(c) 상기 기판상에 산화제를 공급하는 단계; 및(d) 상기 기판상에 희토류 금속 산화물을 포함하는 코팅층이 형성된 후 남은 불순물을 퍼징하는 단계를 포함하는 원자층 증착법에 의해 코팅층을 형성하는 코팅층 형성 방법으로서,상기 희토류 금속 산화물은 디스프로슘 산화물(Dy2O3), 에르븀 산화물(Er2O3) 및 세륨 산화물(CeO2) 중 적어도 하나를 포함하며,상기 코팅층 중의 탄소의 원소 비율이 1% 미만이 되도록 상기 기판의 온도를 조절함으로써, 물과의 접촉각이 90° 이상인 소수성 혹은 초소수성을 갖는 코팅층을 형성하는 코팅층 형성 방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제1 항에 있어서,상기 희토류 금속은 디스프로슘(dysprosium)을 포함하는 코팅층 형성 방법
|
| 9 |
9
제8 항에 있어서,소수성 혹은 초소수성을 갖는 코팅층을 형성하기 위해, 상기 코팅층 중의 탄소의 원소 비율이 1% 미만이 되도록 상기 기판의 온도를 145 ~ 230 ℃ 로 조절하는 코팅층 형성 방법
|
| 10 |
10
제9 항에 있어서,상기 전구체는 Dy(iPrCp)2(N-iPr-amd)를 포함하는 코팅층 형성 방법
|
| 11 |
11
제10 항에 있어서,상기 (a) 단계는 상기 기판상에 상기 전구체가 노출되는 시간이 2초 이상이 되도록 상기 전구체를 공급하고,상기 (c) 단계는 상기 기판상에 상기 산화제가 노출되는 시간이 0
|
| 12 |
12
제11 항에 있어서,상기 산화제는 플라즈마 O2를 포함하는 코팅층 형성 방법
|
| 13 |
13
제8 항 내지 제12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 희토류 금속 산화물은 디스프로슘 산화물(Dy2O3)을 포함하는 코팅층 형성 방법
|
| 14 |
14
제1 항에 있어서,상기 희토류 금속은 에르븀(erbium)을 포함하는 코팅층 형성 방법
|
| 15 |
15
제14 항에 있어서,소수성 혹은 초소수성을 갖는 코팅층을 형성하기 위해, 상기 코팅층 중의 탄소의 원소 비율이 1% 미만이 되도록 상기 기판의 온도를 180 ~ 250 ℃ 로 조절하는 코팅층 형성 방법
|
| 16 |
16
제15 항에 있어서,상기 전구체는 Er(MeCp)2(N-iPr-amd)를 포함하는 코팅층 형성 방법
|
| 17 |
17
제16 항에 있어서,상기 (a) 단계는 상기 기판상에 상기 전구체가 노출되는 시간이 3초 이상이 되도록 상기 전구체를 공급하고,상기 (c) 단계는 상기 기판상에 상기 산화제가 노출되는 시간이 1초 이상이 되도록 상기 산화제를 공급하는 코팅층 형성 방법
|
| 18 |
18
제17 항에 있어서,상기 산화제는 H2O를 포함하는 코팅층 형성 방법
|
| 19 |
19
제14 항 내지 제18 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 희토류 금속 산화물은 에르븀 산화물(Er2O3)을 포함하는 코팅층 형성 방법
|
| 20 |
20
삭제
|
| 21 |
21
삭제
|
| 22 |
22
삭제
|
| 23 |
23
삭제
|
| 24 |
24
삭제
|
| 25 |
25
삭제
|
| 26 |
26
제1 항에 있어서,상기 희토류 금속은 세륨(cerium)을 포함하는 코팅층 형성 방법
|
| 27 |
27
제26 항에 있어서,소수성 혹은 초소수성을 갖는 코팅층을 형성하기 위해, 상기 코팅층 중의 탄소의 원소 비율이 1% 미만이 되도록 상기 기판의 온도를 200 ~ 300 ℃ 로 조절하는 코팅층 형성 방법
|
| 28 |
28
제27 항에 있어서,상기 전구체는 Ce(iPrCp)3를 포함하는 코팅층 형성 방법
|
| 29 |
29
제28 항에 있어서,상기 (a) 단계는 상기 기판상에 상기 전구체가 노출되는 시간이 4초 이상이 되도록 상기 전구체를 공급하고,상기 (c) 단계는 상기 기판상에 상기 산화제가 노출되는 시간이 3초 이상이 되도록 상기 산화제를 공급하는 코팅층 형성 방법
|
| 30 |
30
제29 항에 있어서,상기 산화제는 플라즈마 O2를 포함하는 코팅층 형성 방법
|
| 31 |
31
제26 항 내지 제30 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 희토류 금속 산화물은 세륨 산화물(CeO2)을 포함하는 코팅층 형성 방법
|
| 32 |
32
제1 항에 있어서,상기 (a) 내지 (d) 단계를 반복하여 소수성 혹은 초소수성을 갖는 코팅층을 형성하는 코팅층 형성 방법
|
| 33 |
33
삭제
|
| 34 |
34
삭제
|
| 35 |
35
삭제
|
