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노광용 마스크, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 기판의 제조 방법(MASK FOR PHOTOLITHOGRAPHY, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE USING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016006709
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 노광용 마스크는 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 배치되고, 광의 위상을 변화시키는 위상 시프트 패턴, 상기 위상 시프트 패턴이 배치된 상기 투명 기판 상에 배치되는 유전체층, 및 상기 유전체층 상에 배치되는 음굴절율 메타물질층을 포함한다. 기판을 제조하는 방법은 포토 레지스트 층이 형성된 기판 상에 상기 노광용 마스크를 상기 기판과 마주보도록 위치시키는 단계, 상기 노광용 마스크를 통해 상기 포토레지스트 층에 광이 전달되며, 상기 유전체층 및 상기 음굴절율 메타물질층으로 인하여 발생되는 플라즈모닉 공명 또는 음향양자 공명으로 인하여 상기 광의 소산파가 소멸하지 않고 상기 포토 레지스트층로 전달되는 단계, 및 현상액을 이용하여 상기 포토 레지스트 층을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL G03F 1/26 (2012.01.01) G03F 1/38 (2012.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020140099687 (2014.08.04)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0017292 (2016.02.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.07.31)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손용 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 강민 대한민국 서울특별시 서초구
3 김봉연 대한민국 서울특별시 구로구
4 이현주 대한민국 서울특별시 서초구
5 공향식 대한민국 경기도 성남시 분당구
6 주진호 대한민국 서울특별시 마포구
7 김경식 대한민국 서울특별시 강남구
8 백승화 대한민국 인천광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-0735085-85
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2015-0541322-07
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2019-0785374-64
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2020-0020635-77
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0553987-72
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-1059899-85
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.10.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1059869-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 기판;상기 투명 기판 상에 배치되고, 광의 위상을 변화시키는 위상 시프트 패턴;상기 위상 시프트 패턴이 배치된 상기 투명 기판 상에 배치되는 유전체층; 및상기 유전체층 상에 배치되는 음굴절율 메타물질층을 포함하는 노광용 마스크
2 2
제1항에 있어서, 상기 위상 시프트 패턴은 제2 폭을 갖고, 제1 폭을 갖는 개구를 형성하고,상기 제1 폭 및 제2 폭의 합은 피치로 정의되고, 상기 피치는 4ㅅm(마이크로미터) 이하인 것을 특징으로 하는 노광용 마스크
3 3
제2항에 있어서, 상기 피치는 1ㅅm(마이크로미터) 이하인 것을 특징으로 하는 노광용 마스크
4 4
제1항에 있어서, 상기 위상 시프트 패턴은 크롬옥사이드(CrOx), 크롬옥사이드나이트라이드(CrOxNy) 또는 몰리브데늄실리사이드옥사이드나이트라이드(MoSiOxNy) 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크
5 5
제4항에 있어서,상기 위상 시프트 패턴의 두께는 약 130nm(나노미터)인 것을 특징으로 하는 노광용 마스크
6 6
제1항에 있어서,상기 유전체층은 폴리 메틸 메타크릴레이트(PMMA)를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크
7 7
제6항에 있어서,상기 유전체층은 약 40nm(나노미터)의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크
8 8
제1항에 있어서,상기 음굴절율 메타물질층은 표면 플라즈몬 공명 또는 음향 양자 공명을 발생시켜 전자기파의 진행거리에 따라 지수 함수적으로 소명하는 소산파를 복원하여 노광에 사용될 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크
9 9
제8항에 있어서,상기 음굴절율 메타물질층은 약 35nm 의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크
10 10
제1항에 있어서,상기 음굴절율 메타물질층 상에 배치되는 제2 유전체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크
11 11
투명 기판 상에 위상 시프트 패턴을 형성하는 단계;상기 위상 시프트 패턴이 형성된 상기 투명 기판 상에 유전체층을 형성하는 단계; 및 상기 유전체층 상에 음굴절율 메타물질층을 형성하는 단계를 포함하는 노광용 마스크의 제조 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 위상 시프트 패턴은 제2 폭을 갖고, 제1 폭을 갖는 개구를 형성하고,상기 제1 폭 및 제2 폭의 합은 피치로 정의되고, 상기 피치는 4ㅅm(마이크로미터) 이하인 것을 특징으로 하는 노광용 마스크의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 위상 시프트 패턴은 크롬옥사이드(CrOx), 크롬옥사이드나이트라이드(CrOxNy) 또는 몰리브데늄실리사이드옥사이드나이트라이드(MoSiOxNy) 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크의 제조 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 위상 시프트 패턴의 상면에 대해 플라즈마 친수 처리를 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크의 제조 방법
15 15
제14항에 있어서,상기 유전체층을 애슁(ashing)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크의 제조 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 유전체층은 약 40nm(나노미터)의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크의 제조 방법
17 17
제11항에 있어서,상기 음굴절율 메타물질층 물질은 은, 금, 알루미늄 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크의 제조 방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 음굴절율 메타물질층은 약 35nm 의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크의 제조 방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 음굴절율 메타물질층 상에 제2 유전체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크의 제조 방법
20 20
투명 기판, 상기 투명 기판 상에 배치되고 광의 위상을 변화시키는 위상 시프트 패턴, 상기 위상 시프트 패턴이 배치된 상기 투명 기판 상에 배치되는 유전체층, 및 상기 유전체층 상에 배치되는 음굴절율 메타물질층을 포함하는 노광용 마스크를 이용하여,포토 레지스트 층이 형성된 기판 상에 상기 노광용 마스크를 상기 기판과 마주보도록 위치시키는 단계;상기 노광용 마스크를 통해 상기 포토레지스트 층에 광이 전달되며, 상기 유전체층 및 상기 음굴절율 메타물질층으로 인하여 발생되는 플라즈모닉 공명 또는 음향양자 공명으로 인하여 상기 광의 소산파가 소멸하지 않고 상기 포토 레지스트층로 전달되는 단계; 및현상액을 이용하여 상기 포토 레지스트 층을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 기판을 제조하는 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105319833 CN 중국 FAMILY
2 EP02983043 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02983043 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 US09778558 US 미국 FAMILY
5 US10338463 US 미국 FAMILY
6 US20160033857 US 미국 FAMILY
7 US20170371238 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105319833 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 EP2983043 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP2983043 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 US10338463 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US2016033857 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US2017371238 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US9778558 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.