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결정질소(N) 원자와 불활성 원소를 포함하는 중성입자 빔을 기판 상에 방출하는 단계; 및 상기 중성입자 빔이 상기 기판에 닿기 직전 또는 직후에 3 족 고체원소를 방출하는 단계를 포함하고,상기 중성입자 빔의 운동에너지를 10 내지 30 eV로 하고,상기 기판의 온도를 200 내지 800℃로 유지하여,상기 중성입자 빔과 상기 3 족 고체원소가 상기 기판상에 질화물 반도체 단결정 박막으로 증착되게 하되,중성입자 빔의 운동에너지의 제어는, 중성입자빔 발생원 내에 중성입자빔을 생성하기 위한 중성화반사판을 구비하여, 플라즈마를 중성화반사판 쪽으로 당기기 위해 인가하는 전위 값 조절에 의하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 단결정 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 질화물 반도체 단결정 박막의 형성 방법에 의해 형성되고 있는 질화물 반도체 단결정 박막에, 도핑하고자 하는 고체원소를, 전구체 분사 가스 없이 직접적으로 제공하도록 방출하는 단계를, 상기 3 족 고체 원소 방출 단계와 동시에 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 단결정 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 불활성 원소는 Ar, He, Ne, Kr, Xe 중 하나이거나, 둘 이상의 원소를 혼합한 것으로 구성되고, 상기 3 족 고체원소는 Al, Ga, In 중 하나이거나, 둘 이상의 원소를 혼합하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 단결정 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 3 족 고체원소의 방출 단계는 출사와 정지를 주기적으로 반복하는 모듈레이션(modulation) 모드로 동작하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 단결정 박막 형성 방법
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제4항에 있어서, 출사 시간 과 정지 시간 의 비율은 을 만족하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 단결정 박막 형성 방법
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제2항에 있어서, 상기 3족 고체원소의 방출과 도핑하고자 하는 고체원소의 방출은 출사 및 정지를 동기화하여 주기적으로 반복하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 단결정 박막 형성 방법
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제2항에 있어서, 상기 3족 고체원소의 방출과 도핑하고자 하는 고체원소의 방출은 출사 및 정지를 서로 엇갈리게 하여 주기적으로 반복하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 단결정 박막 형성 방법
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