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제1영역과 제1영역 상의 제2영역을 포함하는 리지-형상부를 포함하는 광도파로;상기 리지-형상부의 제1영역에 접촉된 슬랩-형상부;상기 리지-형상부의 제2영역에 정류성 접촉된 광도파로전극;상기 슬랩-형상부와 광도파로전극에 각각 접촉하는 금속플러그; 및각각의 상기 금속플러그에 연결된 금속패드를 포함하는 광변조기
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제1항에 있어서,상기 광도파로전극은 투광성을 갖는 도전성 물질을 포함하는 광변조기
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제1항에 있어서,상기 광도파로전극은 인듐주석산화물을 포함하는 광변조기
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제1항에 있어서,상기 리지-형상부와 광도파로전극 간의 접촉면적은 상기 리지-형상부와 슬랩-형상부 간의 접촉면적보다 더 큰 광변조기
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제1항에 있어서,반도체기판;상기 반도체기판 상의 절연층을 더 포함하고,상기 절연층 상에 상기 광도파로 및 슬랩-형상부가 위치하는 광변조기
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6
제1항에 있어서, 상기 슬랩-형상부는,상기 리지-형상부의 제1영역의 일측에 접촉된 제1슬랩-형상부; 및상기 리지-형상부의 제1영역의 타측에 접촉된 제2슬랩-형상부를 포함하는 광변조기
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제1항에 있어서, 상기 리지-형상부는 도펀트가 미도핑된 진성 실리콘층을 포함하고, 상기 슬랩-형상부는 N형 도펀트가 주입된 외인성 실리콘층을 포함하는 광변조기
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8
제1항에 있어서,상기 리지-형상부와 슬랩-형상부는 서로 다른 두께를 가지고 수평적으로 접촉하는 광변조기
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제1항에 있어서,상기 광도파로의 단면크기는 상기 광도파로를 통과하는 빛의 유효파장보다 작은 크기를 갖는 광변조기
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10
제1항에 있어서,상기 슬랩-형상부와 리지-형상부의 제1영역은 두께가 동일하고, 상기 슬랩-형상부는 상기 리지-형상부의 제2영역보다 얇은 두께를 갖는 광변조기
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판, 광도파로 및 슬랩-형상부는, 실리콘, SiGe 또는 화합물반도체를 포함하는 광변조기
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제1항에 있어서,상기 슬랩-형상부는 상기 리지-형상부의 제1영역의 일측에 접촉된 편측 구조인 광변조기
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진성 실리콘을 포함하는 리지-형상부, 상기 리지-형상부의 제1영역에 접촉된 외인성 실리콘을 포함하는 슬랩-형상부 및 상기 리지-형상부의 제2영역에 정류성 접촉된 인듐주석산화물을 포함하는 쇼트키 다이오드;상기 슬랩-형상부와 광도파로전극에 각각 접촉하는 금속플러그; 및각각의 상기 금속플러그에 연결된 금속패드를 포함하는 광변조기
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제13항에 있어서,상기 리지-형상부와 인듐주석산화물 간의 접촉면적은 상기 리지-형상부와 슬랩-형상부 간의 접촉면적보다 더 큰 광변조기
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제13항에 있어서, 상기 슬랩-형상부는,상기 리지-형상부의 제1영역의 일측에 접촉된 제1외인성실리콘을 포함하는 제1슬랩-형상부; 및상기 리지-형상부의 제1영역의 타측에 접촉된 제2외인성실리콘을 포함하는 제2슬랩-형상부를 포함하는 광변조기
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제13항에 있어서,상기 리지-형상부의 제2영역은 상기 제1영역보다 더 큰 두께를 갖고, 상기 제1영역과 슬랩-형상부는 동일한 두께를 갖는 광변조기
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제1영역과 제1영역 상의 제2영역을 포함하는 리지-형상부를 포함하는 광도파로;상기 리지-형상부의 제1영역에 접촉된 슬랩-형상부;상기 리지-형상부의 제2영역의 상부면과 양측벽을 덮는 전극;상기 전극과 제2영역 사이에 위치하는 인터-절연층;상기 슬랩-형상부와 전극에 각각 접촉하는 금속플러그; 및각각의 상기 금속플러그에 연결된 금속패드를 포함하는 광변조기
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제17항에 있어서,상기 전극은 인듐주석산화물을 포함하는 광변조기
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제17항에 있어서,상기 리지-형상부는 진성 실리콘을 포함하고, 상기 슬랩-형상부는 외인성 실리콘을 포함하는 광변조기
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제17항에 있어서,상기 전극의 일부는 상기 리지-형상부의 제1영역과 접촉되는 광변조기
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