맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

피라미드 형태의 양자점을 구비하는 나노선 구조체의 제조 방법(Method for manufacturing a nanowire structure with pyramidal quantum dot)

  • 기술번호 : KST2016006749
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 나노선 구조체의 제조방법은, (a) 기판을 마련하는 단계; (b) 상기 기판 상에서 제1 도전형 반도체를 성장시키는 단계; 및 (c) 수직형 나노와이어 형태로 성장된 상기 제1 도전형 반도체 상에 Ⅴ족 전구체를 연속적으로 공급하되 Ⅲ족 전구체는 펄스 방식으로 공급함으로써 양자점을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL B82B 3/00 (2006.01)
CPC C09K 11/00(2013.01)
출원번호/일자 1020140095794 (2014.07.28)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1595097-0000 (2016.02.11)
공개번호/일자 10-2016-0013679 (2016.02.05) 문서열기
공고번호/일자 (20160218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.28)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이철로 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 박지현 대한민국 전라북도 익산시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0711201-34
2 보정요구서
Request for Amendment		 2014.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0136096-31
3 국가연구개발사업 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation of Technological Distance		 2014.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0175037-17
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.04.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0039310-15
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0512000-88
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0947739-32
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0947738-97
9 등록결정서
Decision to grant		 2016.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0043754-40
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판을 마련하는 단계;(b) 상기 기판 상에서 제1 도전형 반도체를 성장시키는 단계; 및(c) 수직형 나노와이어 형태로 성장된 상기 제1 도전형 반도체 상에 Ⅴ족 전구체를 연속적으로 공급하되 Ⅲ족 전구체는 펄스 방식으로 공급함으로써 양자점을 형성하는 단계를 포함하며,상기 (c)단계는,상기 양자점을 P-타입 도핑하여 상기 양자점이 피라미드 형태를 갖추도록 하기 위해 Ⅱ족 억셉터를 공급하는 단계를 포함하는 나노선 구조체의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (a)단계는,Si로 이루어진 기판을 마련하는 단계인 것을 특징으로 하는 나노선 구조체의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 (b)단계는,(b1) 상기 기판 상에 금속 촉매 층을 형성시키는 단계;(b2) 상기 금속 촉매 층을 어닐링 하여 나노 드롭렛을 형성하는 단계; 및(b3) 상기 나노 드롭렛을 시드로 하여 기판과 수직한 방향을 따라 제1 도전형 반도체를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 구조체의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 (b1)단계는,Au, Ni, Ag, Pt, Cu 및 Cu를 포함하는 그룹으로부터 선택된 금속으로 이루어진 박막을 상기 기판 상에 증착시키는 단계인 것을 특징으로 하는 나노선 구조체의 제조 방법
5 5
제3항에 있어서,상기 (b2)단계는,400℃ 내지 700℃ 의 온도에서 어닐링을 수행하는 단계인 것을 특징으로 하는 나노선 구조체의 제조 방법
6 6
제3항에 있어서,상기 (b3)단계는,n-타입 GaN 나노선을 성장시키는 단계인 것을 특징으로 하는 나노선 구조체의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 (b3)단계는,n-타입 GaN 나노선을 만들기 위해 GaN 나노선이 성장하는 동안에 SiH4를 이용하여 Si를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 구조체의 제조 방법
8 8
제6항에 있어서,상기 (b3)단계는,850℃ 내지 980℃의 온도 범위 및 400torr 내지 600torr의 압력 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 나노선 구조체의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 (c)단계는,상기 Ⅲ족 전구체로서 TMIn을 이용하고 상기 Ⅴ족 전구체로서 NH3를 이용함으로써 InN으로 이루어진 양자점을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 나노선 구조체의 제조 방법
10 10
제1항에 있어서,상기 (C)단계는,450℃ 내지 550℃ 에서 상기 양자점을 성장시키는 단계인 것을 특징으로 하는 나노선 구조체의 제조 방법
11 11
제1항에 있어서,상기 (c)단계는,부피를 기준으로 한 Ⅴ족 전구체의 공급량/Ⅲ족 전구체의 공급량의 비가 1250 이상인 것을 특징으로 하는 나노선 구조체의 제조 방법
12 12
삭제
13 13
제1항에 있어서,상기 (c)단계는,상기 Ⅱ족 억셉터로서 Mg 또는 Zn 을 적용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 구조체의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.