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공급된 전류에 의해 파장이 가변되는 적어도 하나의 수직 공진형 표면 방출 반도체 레이저가 마련되어 메인 채널을 통해 생성된 광을 출력하는 파장 가변 광원부와;상기 파장 가변 광원부의 상기 메인 채널을 통해 출사되는 광의 파장이 가변되게 상기 파장 가변 광원부를 제어하면서, 상기 파장 가변 광원부에서 출사된 광을 측정대상체로 송출하고, 상기 측정대상체로부터 반사된 광으로부터 설정된 물리량을 산출하는 광센서유니트;를 구비하는 것을 특징으로 하는 파장가변 광원을 이용한 광센서 시스템
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제1항에 있어서, 상기 광센서 유니트는 상기 파장 가변 광원부에서 출사된 광을 제1경로와 제2경로로 분기시키는 빔스플릿터와;상기 빔스플릿터에서 상기 제1경로로 진행하는 광을 반사시키는 레퍼런스 미러와;상기 빔스플릿터에서 상기 제2경로로 진행하여 측정대상체로부터 반사되어 상기 제1 및 제2 경로와 다른 제3경로로 상기 빔스플릿터로부터 진행하는 광과 상기 레퍼런스 미러로부터 반사되어 상기 제3경로로 진행하는 광을 검출하는 광검출부와;상기 파장 가변 광원부에서 출사되는 광의 파장이 가변되게 상기 파장 가변 광원부를 제어하면서, 상기 광검출부에서 출력되는 신호로부터 측정대상체에 대해 설정된 물리량 정보를 산출되게 처리하는 제어부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 파장가변 광원을 이용한 광센서 시스템
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제1항에 있어서, 상기 광센서 유니트는 상기 파장 가변 광원부에서 출사된 광을 입력받아 출력단을 통해 출력하고, 상기 출력단에서 역으로 입사되는 광을 검출단을 통해 출력하는 광서큘레이터와;상기 광서큘레이터의 상기 출력단과 접속되며 측정대상체가 되는 광섬유격자 형성된 광섬유 격자부와;상기 광섬유격자로부터 반사되어 상기 광서큘레이터의 검출단을 통해 출력되는 광을 검출하는 광검출부와;상기 파장 가변 광원부에서 출사되는 광의 파장이 가변되게 상기 파장 가변 광원부를 제어하면서, 상기 광검출부에서 출력되는 신호로부터 상기 광섬유 격자에 대해 설정된 물리량 정보를 산출되게 처리하는 제어부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 파장가변 광원을 이용한 광센서 시스템
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 수직 공진형 표면 방출 반도체 레이저는반사를 위한 하부거울층과, 상기 하부 거울층 위에 마련된 활성층을 구비하여 인가된 제1전류에 의해 광을 출사하는 하부 파장조절소자와;상기 하부 파장조절소자 상부에 본딩되며, 상기 하부 거울층에 대향되는 위치에 상부 거울층이 마련되고, 인가된 제2전류에 의해 상기 상부 거울층의 반사율과 반사위상이 조절되어 출사되는 광의 파장이 조절되는 상부 파장조절소자;를 구비하는 것을 특징으로 하는 파장가변 광원을 이용한 광센서 시스템
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제4항에 있어서, 상기 파장 가변 광원부는복수 개의 상기 수직 공진형 표면 방출 반도체 레이저가 마련되고, 복수 개의 상기 수직 공진형 표면 방출 반도체 레이저 각각에서 출사되는 광을 각각 입력받아 상기 메인 채널을 통해 출력하는 광커플러를 더 구비하고,상기 제어부는 상기 수직 공진형 표면 방출 반도체 레이저들 각각에 대해 상호 다른 파장이 설정된 순번으로 순차적으로 출력되게 제어하는 것을 특징으로 하는 파장가변 광원을 이용한 광센서 시스템
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