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시냅스 모방 소자 및 이의 제조방법(Device imitating synaptic and method of manufacturing thereof)

  • 기술번호 : KST2016006826
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 시냅스 모방 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 상기 시냅스 모방 소자는 게이트 전극, 활성층, 상기 게이트 전극 및 활성층 사이에 배치되고, 절연성 고분자 및 이온성 물질을 포함하는 이온젤 게이트 절연층, 및 상기 활성층과 전기적으로 접속하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 게이트 전극 또는 활성층은 기판에 지지된다. 이에 따라, 신호 전달과 자가학습을 동시에 수행할 수 있고 신규한 시냅스 모방 소자를 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 27/11521(2013.01)
출원번호/일자 1020140104279 (2014.08.12)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0019682 (2016.02.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 서문도 중국 경상북도 포항시 남구
3 민성용 대한민국 광주광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0761363-27
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.08.12 무효 (Invalidation) 1-1-2019-0825082-65
3 보정요구서
Request for Amendment		 2019.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0138511-18
4 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2019.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0157606-47
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트 전극;활성층;상기 게이트 전극 및 활성층 사이에 배치되고, 절연성 고분자 및 이온성 물질을 포함하는 이온젤 게이트 절연층; 및상기 활성층과 전기적으로 접속하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 게이트 전극 또는 활성층은 기판에 지지되는 시냅스 모방 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 시냅스 모방 소자는 탑-게이트/바텀-컨텍, 탑-게이트/탑-컨텍, 바텀-게이트/바텀-컨텍, 또는 바텀-게이트/탑-컨텍 구조인 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 활성층은 1차원 나노 반도체 소재인 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
4 4
제3항에 있어서,상기 1차원 나노 반도체 소재는 나노 와이어, 나노리본, 나노튜브, 나노로드, 및 나노필름으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 시냅스 모방 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 활성층은 저분자 유기 반도체, 유기반도체, 전도성 고분자, 무기 반도체, 산화물 반도체, 이차원 반도체, 및 양자점으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 시냅스 모방 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 활성층은 TIPS 펜타센(6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene), TES ADT(Triethylsilylethynyl anthradithiophene) 또는 PCBM([6,6]-Phenyl C61 butyric acid methyl ester), P3HT(Poly(3-hexylthiophene)), PEDOT(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), PVK(Poly(9-vinylcarbazole)), 폴리(p-페닐렌 비닐렌)(poly(p-phenylene vinylene)), 폴리플루오렌(polyfluorene), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 실리콘, 게르마늄, 갈륨아세나이드, 카본 나노튜브 (CNT), 환원된 산화 그래핀, 그래핀, 그래핀 양자점, 흑연, 산화아연, 산화주석, 산화인듐, 산화아연주석 (ZTO), 산화인듐아연(IZO), 산화인듐아연갈륨(IGZO), 황화몰리브덴 (MoS2), 황화텅스텐(WS2), 몰리브데넘셀레나이드(MoSe2), 텅스텐셀레나이드(WSe2), 질화붕소(h-BN), 불화 그래핀(fluoro-graphene), 카드뮴 셀레나이드, 카드뮴 텔룰라이드, 및 황화카드뮴으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 시냅스 모방 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 절연성 고분자는 절연성을 갖는 단일 고분자, 블록 공중합체, 고분자-단분자 혼합물, 및 가교성 고분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 시냅스 모방 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 절연성 고분자는 재료는 폴리(9-비닐카바졸), 폴리(p-페닐렌비닐렌), 폴리플루오렌, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리스티렌, 폴리카프로락톤, 폴리아크릴로니트릴, 폴리(메틸메타크릴레이트), 폴리이미드, 폴리(비닐리덴 플로라이드), 및 폴리비닐클로라이드폴리(스티렌-에틸렌옥사이드-스티렌) (PS-PEO-PS)d로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 시냅스 모방 소자
9 9
제1항에 있어서,상기 이온성 물질은 리튬-비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 (LiTFSI), 리튬폴리(스티렌 설포네이트) (LiPSS), 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 ([EMIM][TFSI]), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트 ([BMIM][PF6]), 및 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 n-옥틸설페이트 ([EMIM][OctOSO3])로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 시냅스 모방 소자
10 10
기판 상에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상의 일단 및 타단에 각각 상기 활성층과 전기적으로 접속하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 절연성 고분자 및 이온성 물질을 포함하는 이온젤 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및상기 이온젤 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 시냅스 모방 소자의 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 활성층은 나노 와이어 패턴, 나노리본 패턴, 나노튜브 패턴, 또는 나노로드 패턴인 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
12 12
제11항에 있어서,상기 활성층을 형성하는 단계는 전기장 잉크젯 프린팅 공정을 사용하는 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자의 제조방법
13 13
제10항에 있어서,상기 이온젤 게이트 절연층을 형성하는 단계는 드롭 캐스팅 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자의 제조방법
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1 WO2016024676 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2016024676 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 미래유망융합기술파이오니어사업 뉴로모픽(NEUROMORPHIC) 소자용 고집적 시냅스 소자 및 집적공정 개발